在剛剛于無(wú)錫圓滿落幕的第三屆芯粒開發(fā)者大會(huì)——這場(chǎng)匯聚全球頂尖芯片企業(yè)、科研機(jī)構(gòu)及產(chǎn)業(yè)鏈專家的盛會(huì)上，行芯科技作為國(guó)內(nèi)Signoff領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，受邀發(fā)表了主題演講《面向3DIC的Signoff挑戰(zhàn)與行芯創(chuàng)新性策略》，為行業(yè)破解3DIC Signoff難題提供了全新路徑。

Face to Face(F2F）晶圓堆棧憑借超短互連、超高帶寬成為3DIC前沿方向，卻也使Signoff復(fù)雜度指數(shù)級(jí)攀升：

數(shù)據(jù)交互劇增：高密度Hybrid Bonding (HB)與硅通孔(TSV)寄生參數(shù)提取量激增，傳統(tǒng)方法效率遭遇瓶頸。

新型耦合效應(yīng)產(chǎn)生：復(fù)合Die結(jié)構(gòu)引發(fā)跨層耦合（Coupling RC）、信號(hào)完整性（SI）、電源完整性（PI）等干擾新挑戰(zhàn)。

多物理場(chǎng)耦合系統(tǒng)級(jí)挑戰(zhàn)：電、熱、力等多物理場(chǎng)效應(yīng)相互耦合，加劇系統(tǒng)級(jí)不確定性。

行芯科技推出的業(yè)內(nèi)首個(gè)多Die并行寄生參數(shù)提取方案三大核心優(yōu)勢(shì)直擊要害：

高精度跨層寄生參數(shù)提取：獨(dú)家算法精準(zhǔn)捕獲相鄰Die間納米級(jí)寄生參數(shù)耦合，修正傳統(tǒng)工具對(duì)Coupling RC的低估。

多維度協(xié)同驗(yàn)證閉環(huán)：實(shí)現(xiàn)SI/PI/Power/Thermal簽核流程的無(wú)縫銜接，提升驗(yàn)證效率，達(dá)成“一次提取，全維度驗(yàn)證”。

Shift Left設(shè)計(jì)實(shí)踐：將電源網(wǎng)絡(luò)分析、功耗驗(yàn)證等關(guān)鍵環(huán)節(jié)前置，提前識(shí)別系統(tǒng)級(jí)風(fēng)險(xiǎn)，有效提升“首輪流片成功率”。

正如行芯科技銷售總監(jiān)在會(huì)議上提到：“多Die協(xié)同提取是3DIC Signoff的基石！”

該創(chuàng)新方案已成功應(yīng)用于國(guó)內(nèi)頭部設(shè)計(jì)客戶的先進(jìn)工藝項(xiàng)目，助力客戶實(shí)現(xiàn)首次流片即通過(guò)Signoff驗(yàn)證。行芯科技將持續(xù)深耕技術(shù)，為加速中國(guó)芯粒生態(tài)突破技術(shù)瓶頸提供堅(jiān)實(shí)的Signoff核心技術(shù)支撐！