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奇異摩爾榮獲2025中國創(chuàng)新IC強(qiáng)芯-創(chuàng)新突破獎,助力國產(chǎn)化芯片技術(shù)突破

奇異摩爾 ? 來源: 奇異摩爾 ? 2025-07-14 14:05 ? 次閱讀
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7月11日,2025年度中國創(chuàng)新IC-強(qiáng)芯獎頒獎典禮在ICDIA創(chuàng)芯展上揭曉獲獎名單。奇異摩爾申報的Kiwi 3D Base Die產(chǎn)品從申報的142款產(chǎn)品中脫穎而出,榮獲創(chuàng)新突破獎。據(jù)悉,“強(qiáng)芯評選”作為一年一度的國產(chǎn)IC權(quán)威推優(yōu)平臺,始終致力于鼓勵設(shè)計創(chuàng)新、推動“國芯國用”、促進(jìn)整機(jī)聯(lián)動、加速成果轉(zhuǎn)化,為國產(chǎn)集成電路產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展注入強(qiáng)勁動力。

有源基板Base Die的架構(gòu)創(chuàng)新

一種基于Silicon的Chiplet技術(shù)能讓高性能芯片獲得更高的傳輸速度并降低各個模塊之間的傳輸功耗;它就是Active Silicon Interposer 又名有源基板 Base Die。舉例說明,Intel 的Lakefield運(yùn)用Base Die充當(dāng)Compute Die的傳輸通道;此外與Passive Interposer有所不同的是:Base Die 集成了類似PCH的邏輯電路。由于Base Die需要很多過孔TSV,其技術(shù)難度較大。

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(圖: Intel LakeField CPU架構(gòu))

AMD MI350:

3.5D IC 繼續(xù)沿用Base Die

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(來源:The serverhome)

今年在Advancing AI大會上,AMD 重磅發(fā)布下一代3.5D GPU MI350 ; AMD利用MI300發(fā)布后的兩年時間對芯粒架構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化。從晶圓布局可見,芯片設(shè)計進(jìn)行了微調(diào):The Base Active Interposer Dies (即 3D Base Die)從四個象限合并為兩個光罩尺寸的半?yún)^(qū),HBM存儲器的位置調(diào)整使得結(jié)構(gòu)支撐硅片從HBM堆棧之間轉(zhuǎn)移到了邊角位置。

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(來源:AMD Advancing AI 2025)

這種布局顯著優(yōu)化了芯粒間的通信——直接消除了整個2.5D Infinity Fabric先進(jìn)封裝連接的軸向傳輸,減少芯片邊界穿越次數(shù)從而節(jié)省功耗與面積。同時解決了MI300時代對角象限芯片需要兩次跨芯片跳轉(zhuǎn)通信的問題。

上述the Base Active Interposer Die 和奇異摩爾Central IOD互聯(lián)系列3D Base Die 互聯(lián)芯粒如出一轍。Kiwi 3D Base Die是用于高性能chiplet 芯片的片內(nèi)互聯(lián)芯粒,支持 3D封裝方式。該系列以高性能片上網(wǎng)絡(luò)為互聯(lián)核心,通過3D Die2Die 接口和封裝,實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)超平面芯片的互聯(lián)效率。并整合了多種等高速互聯(lián)接口,搭配大容量的片上近存,可實(shí)現(xiàn)高效的片內(nèi)數(shù)據(jù)傳輸調(diào)度與存儲,成為高性能3D芯片的基礎(chǔ)底座。

這種設(shè)計對3D堆疊良率提出了更高要求。AMD繼續(xù)采用臺積電SoIC混合鍵合工藝,現(xiàn)在每個基礎(chǔ)芯片需要鍵合兩倍數(shù)量的加速器復(fù)合芯片(XCD),若出現(xiàn)缺陷將導(dǎo)致更嚴(yán)重的良率損失和硅片浪費(fèi)。AMD敢于選擇這種方案,印證了臺積電SoIC工藝的成熟度,以及雙方長達(dá)五年(AMD作為SoIC首位客戶)的深度合作。

雖然仍采用臺積電N6工藝,但基礎(chǔ)芯片已獲得多項(xiàng)速度升級:剩余芯片間互連帶寬從4.8TB/s雙向等效提升至5.5TB/s;縱向擴(kuò)展的Infinity Fabric速度提升20%;更重要的是內(nèi)存控制器現(xiàn)已支持更快的HBM3E。AMD堅持使用經(jīng)過驗(yàn)證的CoWoS-S封裝技術(shù)連接3D Base Die和HBM,強(qiáng)調(diào)其封裝尺寸與MI300保持一致。

計算芯片方面,XCD從N5工藝升級至臺積電N3P節(jié)點(diǎn)。此次AMD僅啟用了芯片上36個CU中的32個(MI300為40個啟用38個)。值得注意的是,XCD在Base Die上的朝向發(fā)生變化,數(shù)據(jù)焊盤現(xiàn)在位于Base Die中央?yún)^(qū)域,數(shù)據(jù)經(jīng)256MB末級內(nèi)存附加緩存(MALL)后最終抵達(dá)HBM。

創(chuàng)始人田陌晨在2021年奇異摩爾創(chuàng)立之初就秉承為國創(chuàng)業(yè)的精神,深耕Chiplet賽道,奇異摩爾是國內(nèi)最早布局3D Base Die 互聯(lián)芯粒的科創(chuàng)企業(yè)之一,憑借在有源基板3D base tile的設(shè)計能力以及先進(jìn)封裝方面的資源整合成功聯(lián)合學(xué)術(shù)界在國內(nèi)首次實(shí)現(xiàn)三維存算一體芯片技術(shù)突破。

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此次獲得 “2025 中國創(chuàng)新 IC 強(qiáng)芯 - 創(chuàng)新突破獎”,既是對奇異摩爾的肯定,也在實(shí)際應(yīng)用潛力上取得了業(yè)界的高度認(rèn)可。未來公司將繼續(xù)以創(chuàng)新為驅(qū)動,不斷探索技術(shù)新場景,構(gòu)建半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新生態(tài),為高性能 AI 計算領(lǐng)域的發(fā)展持續(xù)貢獻(xiàn)力量,助力國產(chǎn)集成電路產(chǎn)業(yè)邁向新的高度。

關(guān)于我們

AI網(wǎng)絡(luò)全棧式互聯(lián)架構(gòu)產(chǎn)品及解決方案提供商

奇異摩爾,成立于2021年初,是一家行業(yè)領(lǐng)先的AI網(wǎng)絡(luò)全棧式互聯(lián)產(chǎn)品及解決方案提供商。公司依托于先進(jìn)的高性能RDMA 和Chiplet技術(shù),創(chuàng)新性地構(gòu)建了統(tǒng)一互聯(lián)架構(gòu)——Kiwi Fabric,專為超大規(guī)模AI計算平臺量身打造,以滿足其對高性能互聯(lián)的嚴(yán)苛需求。我們的產(chǎn)品線豐富而全面,涵蓋了面向不同層次互聯(lián)需求的關(guān)鍵產(chǎn)品,如面向北向Scale-out網(wǎng)絡(luò)的AI原生超級網(wǎng)卡、面向南向Scale-up網(wǎng)絡(luò)的GPU片間互聯(lián)芯粒、以及面向芯片內(nèi)算力擴(kuò)展的2.5D/3D IO Die和UCIe Die2Die IP等。這些產(chǎn)品共同構(gòu)成了全鏈路互聯(lián)解決方案,為AI計算提供了堅實(shí)的支撐。

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原文標(biāo)題:奇異摩爾榮獲2025中國創(chuàng)新IC強(qiáng)芯-創(chuàng)新突破獎,助力國產(chǎn)化芯片技術(shù)突破

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