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分享高壓大流High Power 探針卡特性

jf_48270530 ? 來源:jf_48270530 ? 作者:jf_48270530 ? 2025-06-27 18:04 ? 次閱讀
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一 , High Power 高壓大電流探針卡的介紹

1)High Power Device 有:

MOSFETs

DIODEs

IGBTs

PMICs

2)高壓等級可以達到; High Voltage/Current:30KV/15KA

二 , 該種高壓大流探針卡使用特性有:

1)當晶圓測試時,需要單DIE均勻加載電壓或電流,并保持高壓強度和大流能力.

?2)為了更好質量,會模塊前Full DIE 測試.

參數特性

Items Specification
Devices IGBTs、 MOSFETs PMICs 、 SiC&GaN Chips et…
Rated Voltage 30KV
Rated Current 200A , (bespoke products TBD)
Cres Normal < 2 Ohm,? (bespoke products TBD)
Leakage < 5nA /5V? (bespoke products TBD)
MAX Temperature 180℃, (bespoke products TBD)

關于盛華(www.sinowintech.com)

盛華探針卡是從事晶圓測試探針卡的研發、設計、制造和銷售的技術企業. 自成立以來,盛華始終專注于高端、高速 、高同測晶圓探針卡的創新與研發,憑借技術優勢得到了眾多客戶的認可和青睞。公司產品已覆蓋了CIS、SOC、Memory、TDDI/DDIC等多品類中高階晶圓測試領域的全性能需求。盛華秉持以客戶需求為導向,持續推動創新,不斷提供客戶最佳性價比的產品和服務.

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審核編輯 黃宇

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