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高頻電線之制程參數(shù)關系科普

廣東萬連科技有限公司 ? 2025-06-26 07:34 ? 次閱讀
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傳輸線基礎知識(帶著以下兩個問題開始我們的學習交流之旅)



什么樣的一條線才可以視為傳輸線?

什么樣的情況下,線材的傳輸被視為高頻傳輸?


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電線電纜特性參數(shù)介紹



■參數(shù)名稱:衰減,?點擊了解【你必須懂的參數(shù)之一【衰減(Attenuation)】;表示電磁波在均勻電纜上每公裡的衰減值,它由兩部分組成,由於金屬導體中的損耗而產(chǎn)生的衰減.

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衰減-Attenuation 單位–dB

高頻電子訊號在傳動時由於基本材料電阻,產(chǎn)生訊號強度(電壓)降低以外,尚有因高頻引發(fā)的Impedance,導致電子訊號強度再被降低,基本電阻的衰減取決於導體材質(zhì)可稱直流衰減,電容電感的衰減取決於頻率高低可稱交流衰減,且頻率越高此衰減越嚴重.

定義:指輸出端功率(Pout)比入射端功率(Pint)降低了多少,以dB(分貝)來表示。也可以是指輸出電壓(Vout)與入射電壓(Vin)相比訊號損耗剩下多少,一般是用NA(網(wǎng)路分析儀)來量測,可由儀器直接量得,其公式如下:

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衰減常數(shù)(電線電纜手冊一)

表示電磁波在均勻電纜上每公裡的衰減值,它由兩部分組成,

由於金屬導體中的損耗而產(chǎn)生的衰減;

由於介質(zhì)中損耗產(chǎn)生的衰減

αn={[RLGL-ω-2LLCL+(RL+ω2LL2)(GL2+ωL -2C2)1/2]/2} 1/2

在低損耗近似中,上式可近似為:

αn=(RL/Z0+GL*Z0)/2

從兩個電壓比值奈培數(shù)到同一比值的dB數(shù)之間存在一個簡單的轉(zhuǎn)換關係,如果兩個電壓的比值奈培數(shù)為rn,同樣電壓比值的dB數(shù)為rdB,由於它們等於相同的電壓比,所以可以得到:

10rdB/20=ern rdB=rn*20loge=8.68*rn

所以傳輸線單位長度的衰減dB/長度為:

αdB=8.68αn=4.34(RL/Z0+GL*Z0)

注:αn表示衰減,為奈培/長度

αdB表示衰減,為dB/長度

RL表示導線單位長度串聯(lián)電阻

CL表示單位長度電容

LL表示單位長度串聯(lián)回路電感

GL表示由介質(zhì)引起的單位長度并聯(lián)電導

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Z0表示傳輸線特性阻抗,單位為Ω(傳輸線理論)

論上,這雖是頻域中的衰減,但衰減卻與頻率沒有內(nèi)在聯(lián)繫,然而事實上,在現(xiàn)實世界中,對於非常好的傳輸,由於趨膚效應的影響,單位長度串聯(lián)電阻隨著頻率的平方根增加;由於介質(zhì)損耗因數(shù)的影響,單位長度并聯(lián)電導隨著頻率而增加,這意味著衰減也會隨著頻率的升高而增加,高頻率正弦波的衰減要大於低頻率的衰減.

單位元長度損耗由兩部分組成,一部分是由導線損耗引起的衰減:αcond=4.34(RL/Z0),另一部分衰減與介質(zhì)材料損耗有關:αdiel=4.34(GL*Z0),總衰減為:αdB=αcond+αdiel

隨著頻率的升高,介質(zhì)引起衰減的增加速度要比導線引起衰減的增加速度快,那麼會存在某一頻率,使得在這一頻率之上時介質(zhì)引起的衰減處於主導地位.

低衰減因素

低衰減可歸於下列因素:

a.很大的中心導體直徑

(d)或絕緣介電材質(zhì)的直徑。

介電材質(zhì)能防止高頻能量經(jīng)由電阻成份散逸而保存的能力.介電材質(zhì)散逸

係數(shù)越低, 代表其傳遞高頻能量之能力越高.

b.中心導體直徑或覆被低阻值.

c.低介電係數(shù).

d.低的集膚效應深度.

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實際生產(chǎn)過程控制重點




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??材料衰減:有電壓的情況下,分子會產(chǎn)生擺動,擺動會產(chǎn)生熱量,即而把部分能量轉(zhuǎn)化為熱能.

??導體衰減:導體會發(fā)熱,消耗的為熱能.反射衰減:遇到材料不均勻點

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??控制重點:設計關鍵點

?阻抗,絕緣外徑,導體外徑,屏蔽狀況

?阻抗大—衰減小﹔

?絕緣線徑大—阻抗大—衰減小﹔

?導體直徑大—衰減小﹔

?發(fā)泡度大—介電常數(shù)小—衰減小﹔

?編織密度增加—衰減小﹔

?編織+鋁箔結(jié)構—衰減小﹔

?鋁箔厚度增加—衰減小﹔

??控制重點:制造過程關鍵點

?芯線的皮厚偏小----- 衰減增大

?附著力不穩(wěn)定及芯線外觀不良粗糙-----衰減增大

?芯線的絕緣材質(zhì)-----介電常數(shù)小.衰減小.

?導體的大小---導體偏小---衰減大

?測試線材的長短---線長衰減大

?測試的環(huán)境及線材的屏蔽效果(遮蔽率)----環(huán)境差---衰減大


不同線種的應用設計理論重點介紹【同軸線結(jié)構

影響衰減的因素﹕阻抗﹑絕緣線徑﹑導體直徑﹑編織錠子數(shù)﹑每錠根數(shù)


阻抗增大—衰減減小﹔

絕緣線徑增大—阻抗增大—衰減減小﹔

導體直徑增大—衰減減小﹔

發(fā)泡度增加—介電常數(shù)減小—衰減減小﹔

外導體變化的影響

編織密度增加—衰減減小﹔

編織+鋁箔結(jié)構—衰減減小﹔

鋁箔厚度增加—衰減減小﹔


不同線種的應用設計理論重點介紹【對絞線結(jié)構

影響衰減的因素﹕導體﹑絕緣介質(zhì)﹑絕緣線徑﹑對絞節(jié)距﹑對屏蔽松緊﹑對屏蔽厚度﹑成纜節(jié)距﹑總屏蔽﹑總屏蔽厚度﹑對內(nèi)延時差.


導體線徑大—衰減小﹔導體絞合節(jié)距增大—衰減減小﹔

導體絞合質(zhì)量差(起股﹑松散﹑不圓整等)—高頻衰減跳動。

絕緣介質(zhì)﹕發(fā)泡度增大—介電常數(shù)減小—衰減減小﹔

絕緣線徑﹕絕緣線徑增大—阻抗增大—衰減減小﹔

對絞節(jié)距﹕對絞節(jié)距增大—衰減減小﹔

對屏蔽松緊

鋁箔繞包過緊—衰減增大﹔鋁箔繞包緊—高頻衰減無跳動﹔

鋁箔繞包過緊—高頻衰減跳動﹔鋁箔繞包松—高頻衰減有跳動。

鋁箔繞包不平整—高頻衰減跳動.


【衰減參數(shù)之系數(shù)的說明】

影響衰減的因素﹕在衰減參數(shù)的應用里面一般有兩個系數(shù)比較重要,如附


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以下為常規(guī)手動測量和軟件測試的圖形供參考交流!

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小結(jié)建議

以上所寫部分公式主要為理論知識,在實際制程中很少會根據(jù)這些公式來計算,在實際制中影響衰減的主要因素是阻抗,所以控制阻抗穩(wěn)定是非常重要一個環(huán)節(jié),這就要求在做導體時注意OD穩(wěn)定、外觀美觀、無刮傷、凸起等會影響到阻抗的不良因素,對於芯線要求OD穩(wěn)定、同心度高、表面光滑美觀,絞線時要求絞距穩(wěn)定、收/放線張力平衡,對於外被要求押出時不能過緊過松,所以只有做好線的每一個工段,才能保證阻抗變化不大,才能保證衰減較好 ,對于線纜研發(fā)工程師而言,不僅理論知識要掌握好,更重要的是理論結(jié)合實際來綜合設計考量,今天晚上就談到衰減,明天我們繼續(xù)如以下次序!

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