超低壓兼容

控制電源Vcc=2.7~5.5V，電機(jī)電源VM=2.5~15V

特別適合電池供電設(shè)備（如3.7V鋰電池系統(tǒng)），干電池設(shè)備可直接驅(qū)動(dòng)

待機(jī)電流低至5μA（STBY模式），功耗敏感場(chǎng)景福音

精密微步控制

支持4種勵(lì)磁模式（1-2相/W1-2相/2W1-2相/4W1-2相）

4W1-2相模式實(shí)現(xiàn)1/16微步（見(jiàn)P25電流矢量表），顯著抑制電機(jī)振動(dòng)噪聲

僅需CLK時(shí)鐘信號(hào)即可完成正反轉(zhuǎn)控制（無(wú)需方向切換延時(shí)）

智能扭矩調(diào)節(jié)

TQ引腳動(dòng)態(tài)切換輸出扭矩（25%或100%）

公式：Iout = (1/5 × Vref) / RNF（例：Vref=2.5V, RNF=1Ω → Iout=0.5A）

輕載時(shí)切25%模式可降溫降耗（如P16示波圖對(duì)比）

關(guān)鍵設(shè)計(jì)技巧

電流設(shè)置黃金公式

def calc_current(vref, rnf, torque=100):
base_current = (0.2 * vref) / rnf  # Vref單位V, RNF單位Ω
return base_current * (0.25 if torque==25 else 1.0)

示例：目標(biāo)電流0.3A，選擇RNF=0.5Ω

vref = 0.75  # 需滿足0.4V

	

	硬件設(shè)計(jì)要點(diǎn)

	OSC引腳：必接220pF電容（P15），生成320kHz三角波（P6）

	保護(hù)機(jī)制

	TSD：結(jié)溫>170°C時(shí)關(guān)斷（滯回40°C）

	ISD：MOSFET電流>1.7A時(shí)硬件鎖存（需ENABLE復(fù)位）

	雙路UVLO：Vcc<2.2V或VM<2.0V時(shí)立即關(guān)斷輸出

	MO監(jiān)控引腳：開(kāi)漏輸出，接上拉電阻可檢測(cè)初始狀態(tài)（P15）

	避坑指南

	上電序列（P34）

	錯(cuò)誤操作：ENABLE=High時(shí)直接RESET=High → 電機(jī)突跳

	正確流程：

	
sequenceDiagram
上電->>ENABLE: 保持Low
上電->>RESET: 先置Low再拉High
RESET-->>MCU: 初始化完成
MCU->>ENABLE: 置High啟動(dòng)輸出


	

	PCB布局雷區(qū)

	VM退耦電容必須<1cm引線（P35 Note1）

	RNF電阻需選用1%精度（P7表顯示通道差異±8%）

	散熱設(shè)計(jì)：SSOP20封裝θja=176°C/W（P13），滿幅0.8A輸出需鋪銅≥40%

	實(shí)戰(zhàn)應(yīng)用場(chǎng)景

				場(chǎng)景
			

				推薦配置
			

				優(yōu)勢(shì)
		

				相機(jī)云臺(tái)
			

				4W1-2相 + TQ=25%
			

				超靜音，0.1A微電流
		

				醫(yī)療泵
			

				2W1-2相 + Vref=1.0V
			

				平穩(wěn)啟停，防藥液震蕩
		

				電池閥
			

				W1-2相 + STBY控制
			

				待機(jī)功耗<1μW
		

	



	審核編輯 黃宇