意法半導體發布兩款高壓GaN半橋柵極驅動器——STDRIVEG610和STDRIVEG611，為消費類和工業應用提供更高能效、更強魯棒性和更靈活的設計選擇。

STDRIVEG61

專為啟動時間要求在300ns的應用設計，適用于LLC或ACF電源轉換拓撲，提升適配器、充電器和功率因數校正電路性能。

STDRIVEG611

優化硬開關電機控制，集成高邊UVLO欠壓保護和過流保護智能關斷功能，適用于家電、電泵、壓縮機、工業伺服驅動等場景。

兩款器件均支持軟硬開關拓撲，內置互鎖功能防止交叉導通，集成高邊自舉二極管和高低邊線性穩壓器，傳輸延遲小于10ns，驅動性能優異。

此外，片上UVLO保護、過熱保護和高達±200V/ns的dV/dt耐量確保安全運行，輸入電壓范圍擴展至3.3V至20V，簡化控制器接口設計。緊湊的4mm x 5mm QFN封裝進一步節省電路板空間。

Q&A

Q1: STDRIVEG610和STDRIVEG611的主要區別是什么？

A1:STDRIVEG610適用于電源轉換應用，強調啟動時間；STDRIVEG611優化電機控制，增加安全保護功能。

Q2: 這兩款驅動器支持哪些應用場景？

A2:STDRIVEG610適用于適配器、充電器和PFC電路；STDRIVEG611適用于家電、電泵、壓縮機和工業伺服驅動等。

Q3: 是否有配套評估板可供使用？

A3:是的，EVLSTDRIVEG610Q和EVLSTDRIVEG611評估板現已上市，集成600V高速半橋驅動器和GaN功率開關管，助力快速開發。

兩款產品的配套評估板EVLSTDRIVEG610Q和EVLSTDRIVEG611現已上市，可幫助設計人員加快應用開發。兩款評估板均可直接使用，集成了 600V 高速半橋柵極驅動器和意法半導體的兩顆 SGT120R65AL 增強型 GaN HEMT功率開關管。

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