在工業自動化和電力電子領域，高效、穩定的功率半導體器件是確保設備性能的關鍵。揚杰電子（Yangjie Electronic）推出的MG75HF12TLC1 IGBT模塊，是一款專為高功率應用設計的高性能解決方案。憑借其先進的溝槽技術和優異的電氣特性，這款模塊成為電機驅動、UPS系統等領域的理想選擇。

產品概述

MG75HF12TLC1是一款電壓等級為1200V、額定電流75A的IGBT模塊，采用低飽和壓降（VCE(sat)）的溝槽技術，顯著提升了開關效率和功率密度。模塊內置超快軟恢復反并聯二極管，進一步優化了整體性能。其最高結溫可達175℃，并具備高短路承受能力（10微秒），適用于嚴苛的工作環境。

核心優勢

高效能與低損耗模塊的飽和壓降低至1.95V（25℃時），且具有正溫度系數特性，確保高溫環境下性能穩定。其開關損耗極低，開啟能量損耗（Eon）為17.7mJ，關斷能量損耗（Eoff）為4.9mJ，適合高頻開關應用。

高可靠性設計模塊采用低電感封裝技術，熱阻極低（IGBT部分熱阻為0.26 K/W），散熱性能優異。此外，其寬工作溫度范圍（-40℃至150℃）和高達300A的短路電流承受能力，確保了在極端條件下的穩定運行。

集成化解決方案模塊不僅包含高性能IGBT，還集成了快速恢復二極管，為用戶提供完整的功率開關解決方案。這種設計簡化了系統布局，減少了外部元器件需求，提高了整體可靠性。

典型應用

MG75HF12TLC1廣泛應用于以下場景：

電機驅動：為工業電機和伺服系統提供高效能量轉換。

不間斷電源（UPS）：確保電源切換時的快速響應和高可靠性。

軟開關焊機：優化焊接設備的能效和穩定性。

技術亮點

模塊的關鍵參數包括：

電氣特性：柵極閾值電壓5.8V（典型值），輸入電容5.83nF，反向傳輸電容0.23nF。

開關特性：開啟延遲時間358ns，上升時間219ns，關斷延遲時間440ns。

二極管性能：正向壓降低至1.45V（150℃時），反向恢復電荷3.28μC。

此外，模塊通過了2500V的隔離電壓測試，符合RoHS標準，體現了其高安全性和環保性。

總結

揚杰電子的MG75HF12TLC1 IGBT模塊憑借其高效能、低損耗和高可靠性，成為高功率電力電子應用的優選。無論是工業自動化還是新能源領域，這款模塊都能提供卓越的性能表現。揚杰電子通過持續創新，為全球客戶提供高質量的功率半導體解決方案，助力電力電子技術的進步。

審核編輯 黃宇