一、問(wèn)題描述

在調(diào)試一款24V/3A反激式開關(guān)電源時(shí)，發(fā)現(xiàn)空載輸出電壓正常（24V±0.5V），但帶載（>1A）后電壓跌落至20V左右，同時(shí)MOSFET發(fā)熱嚴(yán)重，效率低。

二、調(diào)試步驟與過(guò)程

第一步：確認(rèn)現(xiàn)象并采集關(guān)鍵波形

1. 測(cè)試條件

-輸入電壓：AC 220V

-負(fù)載：0A（空載）、1A（輕載）、3A（滿載）

-示波器觀察：Vds（MOSFET漏源極電壓）、Vout（輸出電壓）、次級(jí)二極管電流

2. 觀察到的現(xiàn)象

-空載時(shí)：Vout=24V，Vds波形正常，無(wú)異常振蕩。

-帶載1A時(shí)：Vout降至22V，Vds波形出現(xiàn)較大尖峰（>100V）。

-帶載3A時(shí)：Vout跌至20V，嚴(yán)重大小波，MOSFET嚴(yán)重發(fā)熱（10分鐘>80℃），效率僅78%。

第二步：分析可能原因

根據(jù)現(xiàn)象，初步判斷問(wèn)題可能來(lái)自：

1. 反饋環(huán)路不穩(wěn)定（TL431+光耦補(bǔ)償不當(dāng)）

2. 變壓器設(shè)計(jì)問(wèn)題（漏感過(guò)大或匝比錯(cuò)誤）

3. 輸出整流二極管或電容問(wèn)題（ESR過(guò)高或反向恢復(fù)差）

4. RCD吸收回路參數(shù)不當(dāng)（導(dǎo)致MOSFET電壓應(yīng)力高、損耗大，同時(shí)還影響環(huán)路）

第三步：逐項(xiàng)排查

1. 檢查反饋環(huán)路

- 測(cè)試方法：斷開環(huán)路，用可調(diào)電源模擬Vout，觀察TL431和光耦響應(yīng)。

- 發(fā)現(xiàn)問(wèn)題：

-TL431的補(bǔ)償電容（Ccomp=1uF）過(guò)大，導(dǎo)致環(huán)路響應(yīng)慢。

-光耦限流電阻（Rlimit=10kΩ）偏大，動(dòng)態(tài)調(diào)整能力不足。

- 解決方案：

-減小Ccomp至100nF，加快響應(yīng)速度。

-降低Rlimit至1kΩ，增強(qiáng)光耦驅(qū)動(dòng)能力。

結(jié)果：帶載1A時(shí)Vout回升至23.5V，但3A時(shí)仍跌落至21V，問(wèn)題未完全解決。

2. 檢查變壓器設(shè)計(jì)

- 測(cè)試方法：用LCR表測(cè)量變壓器參數(shù)，并觀察Vds波形尖峰。

- 發(fā)現(xiàn)問(wèn)題：

-漏感測(cè)量值≈30uH（偏大，設(shè)計(jì)值為400uH，理想應(yīng)20uH）。

-Vds尖峰高（>150V），說(shuō)明漏感能量未有效吸收。

- 解決方案：

-優(yōu)化變壓器繞法（采用三明治繞制，減少漏感）。

-調(diào)整RCD吸收回路（原R=200Ω，C=1nF，D=FR107 → 改為R=47Ω，C=2.2nF，D=GS2M）。

結(jié)果：Vds尖峰降至100V，但Vout在3A時(shí)仍只有21.5V，效率提升至82%，問(wèn)題未完全解決。

3. 檢查輸出整流部分

- 測(cè)試方法：用示波器觀察次級(jí)二極管電流和Vout紋波。

- 發(fā)現(xiàn)問(wèn)題：

-整流二極管（原用UF5408）反向恢復(fù)時(shí)間長(zhǎng)，過(guò)電流能力差，導(dǎo)致關(guān)斷損耗大。

-輸出電容（原用2*680uF電解）ESR較高（約0.5Ω），大電流下壓降明顯。

- 解決方案：

-更換二極管為肖特基二極管（MBR10200），降低反向恢復(fù)損耗。

-輸出電容改為低ESR固態(tài)電容（2*680uF/35V，ESR<0.1Ω）。??

結(jié)果：3A負(fù)載時(shí)Vout回升至23V，效率提升至86%，老化10分鐘MOSFET溫度降至60℃以下。

4. 最終優(yōu)化：調(diào)整PWM頻率

- 原設(shè)計(jì)：fsw=65kHz，發(fā)現(xiàn)輕載時(shí)進(jìn)入DCM模式，導(dǎo)致調(diào)整困難，輕載效率低。

- 優(yōu)化方案：更換高頻主控IC，提高頻率至100kHz，使電源工作在輕載時(shí)工作在臨界連續(xù)模式（BCM），改善調(diào)整率。

最終結(jié)果：

- 空載至滿載（0A-3A），Vout穩(wěn)定在24V±1V。

- 效率提升至88%，10分鐘MOSFET溫度<55℃。??

三、總結(jié)與經(jīng)驗(yàn)

1. 反饋環(huán)路：TL431補(bǔ)償電容和光耦限流電阻對(duì)動(dòng)態(tài)響應(yīng)影響極大，需精細(xì)調(diào)整。

2. 變壓器漏感：直接影響Vds尖峰和效率，優(yōu)化繞制工藝可大幅改善性能。

3. 整流二極管選擇：快恢復(fù)或肖特基二極管能顯著降低損耗。

4. RCD吸收回路：需根據(jù)實(shí)測(cè)Vds尖峰調(diào)整，避免過(guò)度損耗。

關(guān)鍵調(diào)試技巧：

先調(diào)環(huán)路，輸出正常后再優(yōu)化功率部分

示波器觀察Vds、Vout、二極管電流，能快速定位問(wèn)題

逐步增加負(fù)載，觀察電壓跌落和溫升趨勢(shì)