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TPS2042B-Q1 汽車類 2 通道、0.5A 負(fù)載、2.7-5.5V、70mΩ USB 電源開關(guān)數(shù)據(jù)手冊

科技綠洲 ? 2025-05-27 09:25 ? 次閱讀

TPS20xxB-Q1 配電開關(guān)適用于可能遇到高電容負(fù)載和短路的應(yīng)用。這些器件集成了 105mΩ N 溝道 MOSFET 電源開關(guān),適用于需要在單個(gè)封裝中集成多個(gè)電源開關(guān)的配電系統(tǒng)。每個(gè)開關(guān)都由一個(gè)邏輯使能輸入控制。柵極驅(qū)動(dòng)由內(nèi)部電荷泵提供,旨在控制電源開關(guān)的上升時(shí)間和下降時(shí)間,以最大限度地減少開關(guān)期間的電流浪涌。該電荷泵無需外部元件,并允許在低至 2.7 V 的電源下工作。
*附件:tps2042b-q1.pdf

當(dāng)輸出負(fù)載超過限流閾值或出現(xiàn)短路時(shí),該器件通過切換到恒流模式,將過流 (OCx) 邏輯輸出拉低,將輸出電流限制在安全水平。當(dāng)持續(xù)的嚴(yán)重過載和短路增加開關(guān)中的功率耗散,導(dǎo)致結(jié)溫升高時(shí),熱保護(hù)電路會關(guān)閉開關(guān)以防止損壞。一旦器件充分冷卻,就會自動(dòng)從熱關(guān)斷中恢復(fù)。內(nèi)部電路確保開關(guān)保持關(guān)閉狀態(tài),直到出現(xiàn)有效的輸入電壓。該配電開關(guān)旨在將電流限制設(shè)置為 1 A(典型值)。

特性

  • 適用于汽車應(yīng)用
  • 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn),結(jié)果如下:
    • 器件溫度等級 1:-40°C 至 125°C 環(huán)境工作溫度范圍
    • 器件 HBM ESD 分類 2 級
    • 器件 CDM ESD 分類等級 C6
    • 器件 MM ESD 分類等級 M0
  • 105mΩ 高側(cè) MOSFET
  • 500mA 連續(xù)電流
  • 熱保護(hù)和短路保護(hù)
  • 精確電流限制:0.75 A(最小值)、1.25 A(最大值)
  • 工作范圍:2.7 V 至 5.5 V
  • 0.6 ms 典型上升時(shí)間
  • 欠壓鎖定
  • 抗毛刺故障報(bào)告 (OC)
  • 上電期間無 OC 毛刺
  • 最大待機(jī)電源電流:1 μA(單通道、雙通道)或 2 μA(三通道、四通道)
  • 雙向開關(guān)

參數(shù)
image.png

方框圖

image.png

1. 產(chǎn)品概述

TPS2042B-Q1是一款限流電源分配開關(guān),專為可能遇到重電容負(fù)載和短路情況的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件通過了AEC-Q100認(rèn)證,適用于汽車應(yīng)用,并集成了105-mΩ的N通道MOSFET功率開關(guān)。

2. 主要特性

  • ?AEC-Q100認(rèn)證?:適用于汽車級應(yīng)用。
  • ?溫度范圍?:-40°C至125°C的工作環(huán)境溫度范圍。
  • ?ESD保護(hù)?:HBM ESD等級2,CDM ESD等級C6,MM ESD等級M0。
  • ?高側(cè)MOSFET?:具有105-mΩ的低導(dǎo)通電阻。
  • ?連續(xù)電流?:最大連續(xù)電流為500mA。
  • ?保護(hù)功能?:包括熱保護(hù)和短路保護(hù)。
  • ?電流限制?:準(zhǔn)確的電流限制,范圍在0.75A至1.25A之間。
  • ?工作電壓?:支持2.7V至5.5V的工作電壓范圍。
  • ?上升時(shí)間?:典型值為0.6ms。
  • ?欠壓鎖定?:防止在低電壓條件下工作。
  • ?故障報(bào)告?:去抖動(dòng)故障報(bào)告(OC),上電時(shí)無OC抖動(dòng)。
  • ?待機(jī)電流?:最大待機(jī)供電電流為1μA(單/雙通道)或2μA(三/四通道)。
  • ?雙向開關(guān)?:支持雙向電流流動(dòng)。

3. 應(yīng)用領(lǐng)域

  • ?重電容負(fù)載?:適用于需要處理重電容負(fù)載的電路。
  • ?短路保護(hù)?:為電路提供短路保護(hù)功能,防止損壞。

4. 功能描述

  • ?電源開關(guān)?:N通道MOSFET設(shè)計(jì),防止反向電流。
  • ?電荷泵?:內(nèi)部電荷泵提供驅(qū)動(dòng)電壓,無需外部組件。
  • ?驅(qū)動(dòng)電路?:控制MOSFET柵極電壓,減少EMI。
  • ?使能輸入?:邏輯低電平使能電源開關(guān)。
  • ?過流保護(hù)?:遇到過流或過熱時(shí),OCx輸出低電平。
  • ?電流感應(yīng)?:使用感測FET監(jiān)測電流,提高效率。
  • ?熱保護(hù)?:防止長時(shí)間過載或短路導(dǎo)致的損壞。
  • ?欠壓鎖定?:監(jiān)測輸入電壓,低于閾值時(shí)關(guān)閉開關(guān)。

5. 封裝與尺寸

  • ?封裝類型?:SOIC(D)8引腳封裝。
  • ?封裝尺寸?:4.90mm x 6.00mm。

6. 典型應(yīng)用

  • ?USB應(yīng)用?:適用于USB主機(jī)、自供電集線器和總線供電集線器。
  • ?熱插拔應(yīng)用?:控制插入設(shè)備時(shí)的電流和電壓涌流。

7. 設(shè)計(jì)指導(dǎo)

  • ?輸入電容?:推薦在IN和GND之間放置0.01-μF至0.1-μF的陶瓷旁路電容。
  • ?輸出電容?:在輸出負(fù)載較重時(shí),建議添加高值電解電容
  • ?布局建議?:旁路電容應(yīng)靠近IN和GND引腳,使用低電感跡線連接。

8. 熱管理

  • ?熱阻?:結(jié)到環(huán)境的熱阻為117.2°C/W。
  • ?功率耗散與結(jié)溫?:根據(jù)rDS(ON)、輸入電壓和操作溫度計(jì)算功率耗散和結(jié)溫。

9. 文檔與支持

  • ?相關(guān)鏈接?:提供技術(shù)文檔、支持資源、工具和軟件的快速訪問鏈接。
  • ?更新通知?:可訂閱更新以接收文檔變更通知。
  • ?支持論壇?:TI E2E論壇提供設(shè)計(jì)幫助和專家解答。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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