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STM32驅(qū)動SD NAND(貼片式SD卡)全測試:GSR手環(huán)生物數(shù)據(jù)存儲的擦寫壽命與速度實測

MK米客方德 ? 2025-05-14 14:07 ? 次閱讀
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智能皮電手環(huán)及數(shù)據(jù)存儲技術(shù)不斷迭代的當下,主控 MCU STM32H750與存儲 SD NAND MKDV4GIL-AST的強強聯(lián)合,正引領(lǐng)行業(yè)進入全新發(fā)展階段。二者憑借低功耗、高速讀寫與卓越穩(wěn)定性的深度融合,以及高容量低成本的突出優(yōu)勢,成為大規(guī)模生產(chǎn)場景下極具競爭力的數(shù)據(jù)存儲解決方案。?

在對能耗極為敏感的智能穿戴設(shè)備、便攜式電子產(chǎn)品領(lǐng)域,能源續(xù)航直接決定用戶體驗與設(shè)備競爭力。STM32H750與 SD NAND MKDV4GIL-AST構(gòu)建的低功耗架構(gòu),通過智能電源管理與高效數(shù)據(jù)處理機制,將系統(tǒng)能耗降低 30%以上。以智能皮電手環(huán)為例,該組合可使設(shè)備續(xù)航時間延長至 14天,減少頻繁充電帶來的使用困擾,不僅顯著提升用戶體驗,更使設(shè)備整體能耗成本降低 25%,實現(xiàn)節(jié)能與經(jīng)濟性的雙重突破。?

在數(shù)據(jù)處理效率方面,這套黃金搭檔展現(xiàn)出強大實力。SD NAND MKDV4GIL-AST在 STM32H750的驅(qū)動下,順序讀取速度可達 30MB/s,順序?qū)懭胨俣冗_ 20MB/s,能夠快速捕捉傳感器產(chǎn)生的海量數(shù)據(jù),面對每秒數(shù)千次的傳感器數(shù)據(jù)采集,二者協(xié)同可實現(xiàn)數(shù)據(jù)零延遲存儲,在智能終端數(shù)據(jù)處理場景下,更能大幅提升系統(tǒng)響應(yīng)速度,有力保障系統(tǒng)穩(wěn)定流暢運行。?

Test Tool & Environment

1. H2 test
2. Card Reader : Transcend TS - RDP5K (GL834)
3. Win7 OS
4. Agilent U1252B
SD NAND:MKDV4GIL-ASTStandby Current (uA)

Operating Current (mA)

Throughput (MB/s)

Item

ReadWriteReadWrite

#1

131

33.1

41.5

22.3

10.2

#2

125

28.2

38.6

18.1

10

#3

128

31.4

40.1

21.8

10.1

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STM32H750基于ARM? Cortex?-M7內(nèi)核的高性能超值系列MCU

卓越性能

在 400 MHz主頻下,從 Flash執(zhí)行程序時,STM32H750超值系列可實現(xiàn) 2020 CoreMark/856 DMIPS的出色性能。其 L1緩存(16 KB指令緩存 + 16 KB數(shù)據(jù)緩存)保障零等待執(zhí)行,即便使用外部存儲器也無損性能。此外,DSP指令集與雙精度 FPU進一步拓展了應(yīng)用范疇。


強化安全

該系列集成加密 /哈希處理器,對 AES - 128、AES - 192、AES - 256加密進行硬件加速,同時支持 GCM、CCM、三重 DES及 MD5、SHA - 1、SHA - 2 等哈希算法。在現(xiàn)場初始編程或固件升級時,提供身份驗證安全服務(wù),有力保護軟件 IP。

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高效能效

電源域架構(gòu)可將不同電源域設(shè)為低功耗模式,實現(xiàn)能效優(yōu)化。主穩(wěn)壓器具備電壓調(diào)節(jié)功能,在運行和停止模式下為內(nèi)核提供不同電壓范圍。器件還內(nèi)置 USB穩(wěn)壓器和備份穩(wěn)壓器,為片內(nèi) PHY供電。支持最高 125°C結(jié)溫,即便環(huán)境溫度升高,也能保障內(nèi)核與外設(shè)性能正常發(fā)揮。運行模式(外設(shè)關(guān)閉),VDD = 3.3 V、25 °C時,典型功耗 263 μ/MHz;待機模式(低功耗模式)下,典型功耗僅 4 μA。

圖形處理優(yōu)勢

新型 LCD - TFT控制器借助 Chrom ART Accelerator?技術(shù),支持雙層圖形處理。該圖形加速器使圖形內(nèi)容創(chuàng)建速度提升至僅靠內(nèi)核運行時的兩倍,不僅能高效實現(xiàn) 2-D原始數(shù)據(jù)復(fù)制,還支持圖像格式轉(zhuǎn)換、圖像混合(透明度混合)等功能,大幅提升圖形處理速度,釋放更多 MCU內(nèi)核帶寬供其他應(yīng)用。此外,還嵌入 1個 JPEG硬件加速器,可快速進行 JPEG編解碼,減輕 CPU負擔。



豐富集成特性

音頻方面配備 2個專用音頻 PLL、3個全雙工 I2S接口、1個支持時分多路復(fù)用(TDM)模式的新串行音頻接口(SAI)以及 1個 DFSDM(用于 Sigma - Delta調(diào)制器或 MEMS麥克風的數(shù)字濾波器) 。

通信接口多達 35個,包括 4個 UART、4個 12.5 Mb/s的 USART接口、1個低功耗 UART、6個 100 Mb/s的 SPI接口、4 個帶新型可選數(shù)字濾波功能的 1 MHz I2C接口、2個 FD - CAN、2個 SDIO、帶片上 PHY的 USB 2.0全速設(shè)備 /主機 / OTG控制器、1個 USB2.0高速 /全速設(shè)備 /主機 / OTG控制器(含片上全速 PHY和 ULPI)、以太網(wǎng) MAC、SPDIF - IN、HDMI - CEC、攝像頭接口、單線協(xié)議接口和 MDIO從接口 。

模擬模塊

擁有 2個 12位 DAC、3個最高 16位分辨率(3.6 Msample/s)的快速 ADC,以及 22個 16位和 32位定時器(16位高分辨率定時器運行頻率高達 400 MHz)。靈活存儲控制器帶 32位并行接口,支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR、NAND和 SDRAM等存儲器擴展,也可通過雙模 Quad - SPI從外部串行 Flash執(zhí)行代碼。還具備模擬隨機數(shù)發(fā)生器。

STM32H750超值系列提供 128 KB Flash 和 1 MB分散架構(gòu) SRAM,包括 192 KB TCM RAM(64 KB ITCM RAM和 128 KB DTCM RAM,用于關(guān)鍵程序和數(shù)據(jù))、512 KB、288 KB、64 KB用戶 SRAM 以及 4 KB備份域 SRAM。封裝形式采用 BGA和 LQFP規(guī)范,有 LQFP100、UFBGA176和 TFBGA240引腳類型。

存儲SD NAND(貼片式T卡): MKDV4GIL-AST SD NAND SMART功能

實時監(jiān)控

SD NAND SMART功能能夠在設(shè)備使用過程中不間斷地監(jiān)控其性能與健康狀況。它可實時反饋編程和擦除周期、備用塊狀態(tài)、預(yù)計剩余使用壽命等關(guān)鍵信息。借助這種實時監(jiān)測機制,用戶能盡早察覺潛在問題或設(shè)備磨損跡象,進而提前采取應(yīng)對措施,有效降低因設(shè)備故障導致的數(shù)據(jù)丟失風險。

統(tǒng)計分析輔助決策

SMART功能所提供的數(shù)據(jù)是用戶進行合理規(guī)劃的重要依據(jù)。以醫(yī)療、工業(yè)等領(lǐng)域為例,用戶通過掌握 SD NAND/SD卡的剩余使用壽命、編程和擦除周期、備用塊狀態(tài)等數(shù)據(jù),可合理安排設(shè)備維修或開展預(yù)防性維護工作,保障相關(guān)設(shè)備始終處于最佳運行狀態(tài),維持系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

保障數(shù)據(jù)完整性

該功能可大幅降低設(shè)備意外故障發(fā)生的概率,確保數(shù)據(jù)收集工作穩(wěn)定、連續(xù)地進行。用戶通過 SMART功能提前發(fā)現(xiàn)潛在風險,能及時采取行動保護重要數(shù)據(jù),避免因 SD NAND/SD卡故障而造成數(shù)據(jù)丟失,守護數(shù)據(jù)的完整性。

提升安全性與可靠性

在數(shù)據(jù)安全至關(guān)重要的場景下,SD SMART功能為用戶增添了一層安全保障。用戶持續(xù)了解 SD NAND/SD卡的健康狀況,可減少因設(shè)備故障或數(shù)據(jù)損壞引發(fā)的數(shù)據(jù)泄露風險。這對于處理高度敏感數(shù)據(jù)的行業(yè)意義重大,有助于維護行業(yè)信譽與用戶信任,從數(shù)據(jù)安全層面顯著提升了 SD NAND/SD卡的安全性和可靠性,切實保護用戶隱私與數(shù)據(jù)安全。

SD NAND SMART數(shù)據(jù)讀取方法及說明(MK MKDV4GIL-AST為例)HOST下指令為 CMD56,參數(shù)為 0x00000001,發(fā)送該指令后,可獲取 1扇區(qū)數(shù)據(jù)。

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SD NAND的兩種總線模式:SDIO與 SPI的差異與應(yīng)用

嵌入式存儲領(lǐng)域,SD NAND存儲設(shè)備憑借靈活的通信模式備受青睞,其支持的 SDIO模式與 SPI模式在驅(qū)動方式、傳輸特性及應(yīng)用場景上各有千秋。

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從驅(qū)動模式來看,SPI模式采用簡潔的 4線制通信架構(gòu),包括片選信號(CS)、數(shù)據(jù)輸入線(DI)、時鐘線(CLK)和數(shù)據(jù)輸出線(DO)。在主從架構(gòu)下,SPI模式實現(xiàn)全雙工數(shù)據(jù)交互,主控設(shè)備能通過 CS信號精準控制每個 SD NAND設(shè)備,簡單直接的通信方式使其易于集成。SDIO模式則基于 6線制架構(gòu),涵蓋時鐘線(CLK)、命令線(CMD)和 4條數(shù)據(jù)線(DAT0~DAT3) 。相比 SPI,SDIO模式擁有更豐富的命令集,支持高效的多設(shè)備管理機制,在 4位數(shù)據(jù)傳輸時,理論帶寬優(yōu)勢明顯。

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傳輸模式上,SPI模式以串行數(shù)據(jù)傳輸為核心,支持獨立的序列輸入和輸出,特別適合接口資源緊張的單片機系統(tǒng)。雖然其傳輸速率不及 SD模式,但憑借協(xié)議簡單、兼容性強的特點,成為嵌入式設(shè)備常用選擇。1位 SD模式采用指令與數(shù)據(jù)通道分離設(shè)計,通過 CMD線傳輸指令,DAT0線進行數(shù)據(jù)傳輸,獨特的傳輸協(xié)議格式確保了數(shù)據(jù)傳輸?shù)母呖煽啃裕m用于對穩(wěn)定性要求嚴苛的應(yīng)用場景。4位 SD模式在 1位 SD模式基礎(chǔ)上,擴展 DAT1~DAT3數(shù)據(jù)線,實現(xiàn) 4位并行傳輸,通過引腳功能重配大幅提升數(shù)據(jù)傳輸帶寬,能滿足對讀寫速度要求極高的存儲應(yīng)用,但需要主控芯片具備相應(yīng) SDIO接口支持。

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在實際應(yīng)用中,SD NAND設(shè)備可通過特定初始化流程自由選擇工作模式。盡管 4位 SDIO模式理論傳輸速率出色,但考慮到 SPI模式引腳占用少、協(xié)議簡潔的特性,目前在單片機系統(tǒng)的 SD NAND讀寫操作中,SPI模式依然占據(jù)主流地位 。開發(fā)者可根據(jù)具體應(yīng)用場景的需求,如對傳輸速率、接口資源、可靠性的不同側(cè)重,靈活選擇 SD NAND的工作模式,充分發(fā)揮其性能優(yōu)勢。

皮膚電測量的原理與操作要點如下:

測量原理

測量過程并不復(fù)雜。首先,將兩個電極安置在人體對情緒變化較為敏感的部位。由于人體汗腺分布廣泛,像手指、手掌、腳掌等區(qū)域,汗腺活動相對更為活躍,常作為電極放置的優(yōu)選位置。不過,具體放置位置還需綜合考量電極材料以及實際測量任務(wù)來確定 。

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安置好電極后,向其施加一個低恒定電壓。此時,通過測量兩個電極之間的電壓差,就能獲取相關(guān)的皮膚電數(shù)據(jù)。這是因為當人體處于不同情緒狀態(tài)時,汗腺分泌活動會發(fā)生改變,進而影響皮膚表面的電阻或電導特性,而電壓差的變化恰恰能反映這種特性改變。

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采樣率相關(guān)

在采樣率方面,皮膚電的采樣率最高可達 2000Hz。但在一般情況下,1 - 10Hz的采樣率足以滿足需求。然而,若要與其他生理信息(如心率)同步采集時,為確保數(shù)據(jù)的準確性和匹配度,則可能需要采用更高的采樣率。

  • 皮膚電特性:皮膚的汗腺活動會影響皮膚表面的電阻和電導特性。當人體處于不同的生理和心理狀態(tài)時,汗腺分泌活動會發(fā)生變化,進而導致皮膚電阻或電導產(chǎn)生相應(yīng)改變。一般來說,當人處于緊張、興奮、焦慮等情緒狀態(tài)或受到外界刺激時,交感神經(jīng)興奮,汗腺分泌增加,皮膚表面的水分和電解質(zhì)增多,使得皮膚電導升高,電阻降低。
  • 傳感器工作原理:智能皮電手環(huán)通常采用一對電極來測量皮膚電反應(yīng)。這對電極與皮膚接觸,形成一個閉合電路。當有微小電流通過皮膚時,電極可以測量出皮膚兩端的電壓變化,進而根據(jù)歐姆定律(\(I = V/R\),其中I是電流,V是電壓,R是電阻)計算出皮膚的電阻或電導值。為了確保測量的準確性和穩(wěn)定性,電極通常采用特殊的材料,如銀 /氯化銀電極,以減少電極極化和噪聲干擾。
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  • 信號處理與轉(zhuǎn)換:傳感器測量到的皮膚電信號通常是非常微弱的,且夾雜著各種噪聲和干擾。因此,需要通過一系列的信號處理電路對原始信號進行放大、濾波、模數(shù)轉(zhuǎn)換等處理。放大電路將微弱的電信號放大到可測量的范圍;濾波電路則用于去除噪聲和干擾,提高信號的質(zhì)量;模數(shù)轉(zhuǎn)換電路將模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號,以便微控制器進行處理和分析。
  • 數(shù)據(jù)處理與分析:經(jīng)過處理的數(shù)字信號被傳輸?shù)街悄芷る娛汁h(huán)的微控制器或芯片中,微控制器根據(jù)預(yù)設(shè)的算法對數(shù)據(jù)進行分析和處理。這些算法可以根據(jù)皮膚電信號的變化特征,如幅值、頻率、變化率等,來推斷人體的生理和心理狀態(tài)。例如,通過分析皮膚電信號的波動情況,可以判斷用戶是否處于應(yīng)激狀態(tài)、情緒是否發(fā)生變化等。一些智能皮電手環(huán)還可能結(jié)合其他傳感器的數(shù)據(jù),如心率、加速度等,進行更全面的生理狀態(tài)監(jiān)測和分析。

通過上述原理,智能皮電手環(huán)能夠?qū)崟r監(jiān)測人體的皮膚電反應(yīng),為用戶提供有關(guān)自身生理和心理狀態(tài)的信息,可應(yīng)用于醫(yī)療健康、運動監(jiān)測、心理研究等多個領(lǐng)域。

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