TPS22959 是一個(gè)小的、超低的 R 上 、單通道負(fù)載 開(kāi)關(guān)與受控打開(kāi)。該器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET，可在 輸入電壓范圍為 0.8 V 至 5.5 V，支持最大 15 A 的連續(xù)電流。
*附件：tps22959.pdf

超低 R 的組合上以及 該器件非常適合驅(qū)動(dòng)具有非常嚴(yán)格的壓降容差的處理器軌。 該器件的受控上升時(shí)間大大降低了大批量負(fù)載引起的浪涌電流 電容，從而減少或消除電源上的電壓下降。開(kāi)關(guān)可以是 通過(guò) ON 引腳獨(dú)立控制，該引腳能夠直接與低壓連接 來(lái)自微控制器或低壓分立邏輯的控制信號(hào)。該設(shè)備進(jìn)一步 通過(guò)集成一個(gè) 224 Ω 下拉電阻器以實(shí)現(xiàn)快速輸出，減小了整體解決方案的尺寸 開(kāi)關(guān)關(guān)閉時(shí)的放電 （QOD）。

TPS22959采用小型 3.00 mm x 3.00 mm WSON-8 封裝 （DNY）。The DNY 封裝集成了一個(gè)導(dǎo)熱墊，可在大電流和高電流下實(shí)現(xiàn)高功率耗散 溫度應(yīng)用。該設(shè)備的特點(diǎn)是在自然通風(fēng)溫度下運(yùn)行 溫度范圍為 –40°C 至 105°C。

特性

• 集成單通道負(fù)載開(kāi)關(guān)
• VBIAS 電壓范圍：2.5 V 至 5.5 V
• VIN 電壓范圍：0.8 V 至 5.5 V
• 超低 R上電阻
  • R上V 時(shí) = 4.4 mΩ 在 = 5 V （V 偏見(jiàn) = 5 V）
• 15 A 最大連續(xù)開(kāi)關(guān)電流
• 低靜態(tài)電流
  • （V 為 20 μA 偏見(jiàn) = 5 V）
• 低關(guān)斷電流
  • （V 為 1 μA 偏見(jiàn) = 5 V）
• 低控制輸入閾值允許使用 1.2 V 或更高的 GPIO
• V寬的受控和固定轉(zhuǎn)換速率偏見(jiàn)和 V在
  • tRV 時(shí) = 2663 μs 在 = 5 V （V 偏見(jiàn) = 5 V）
• 快速輸出放電 （QOD）
• 帶導(dǎo)熱墊的 SON 8 引腳封裝
• ESD 性能測(cè)試符合 JESD 22 標(biāo)準(zhǔn)
  • 2kV 人體模型 （HBM）
  • 1kV 充電器件模型 （CDM）

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

TPS22959是一款小型、超低導(dǎo)通電阻（R ON）的單通道負(fù)載開(kāi)關(guān)，適用于驅(qū)動(dòng)高電流電壓軌，具有嚴(yán)格的電壓降容差。該設(shè)備集成了N溝道MOSFET，可在0.8V至5.5V的輸入電壓范圍內(nèi)工作，并支持最大連續(xù)電流達(dá)15A。

2. 主要特性

• ?超低導(dǎo)通電阻?：R ON = 4.4mΩ（在V IN = 5V，V BIAS = 5V時(shí)）
• ?高電流能力?：最大連續(xù)開(kāi)關(guān)電流15A
• ?寬輸入電壓范圍?：0.8V至5.5V
• ?低靜態(tài)電流?：20μA（在V BIAS = 5V時(shí)）
• ?低控制輸入閾值?：支持1.2V或更高的GPIO電壓
• ?受控上升時(shí)間?：有助于減少大容性負(fù)載引起的浪涌電流
• ? 快速輸出放電（QOD） ?：集成224Ω下拉電阻，實(shí)現(xiàn)快速輸出放電
• ?小型封裝?：3.00mm x 3.00mm的8引腳WSON封裝

3. 應(yīng)用領(lǐng)域

• 服務(wù)器
• 醫(yī)療設(shè)備
• 電信系統(tǒng)
• 計(jì)算設(shè)備
• 工業(yè)系統(tǒng)

4. 功能描述

• ?開(kāi)關(guān)控制?：通過(guò)ON引腳獨(dú)立控制，ON引腳為高電平時(shí)使能開(kāi)關(guān)。
• ?過(guò)壓和欠壓保護(hù)?：集成保護(hù)功能，防止電壓異常損壞設(shè)備。
• ?熱關(guān)斷?：在結(jié)溫超過(guò)125°C時(shí)自動(dòng)關(guān)斷，保護(hù)設(shè)備免受過(guò)熱損害。
• ?輸出下拉電阻?：集成224Ω下拉電阻，當(dāng)開(kāi)關(guān)關(guān)閉時(shí)實(shí)現(xiàn)快速輸出放電。

5. 電氣特性

• ?導(dǎo)通電阻?：在V IN = 5V，V BIAS = 5V時(shí)，R ON 典型值為4.4mΩ，最大值為5.8mΩ。
• ?靜態(tài)電流?：在V BIAS = 5V時(shí)，I Q 典型值為26.0μA，最大值為27.0μA。
• ?上升時(shí)間?：在V IN = 5V，V BIAS = 5V時(shí)，t R 典型值為2663μs，最大值為3000μs。

6. 封裝與尺寸

• ?封裝類型?：8引腳WSON封裝（DNY）
• ?尺寸?：3.00mm x 3.00mm

7. 布局指南

• ?輸入和輸出電容?：建議在VIN和VOUT引腳附近放置低ESR陶瓷旁路電容，以減小電壓波動(dòng)和浪涌電流。
• ?熱管理?：使用通孔將暴露的熱焊盤連接到PCB的接地平面，以提高熱性能。
• ?組件布局?：將輸入、輸出和偏置電壓的旁路電容放置在盡可能靠近TPS22959引腳的位置。

8. 設(shè)計(jì)資源

• 提供PSPICE模型，可在TI產(chǎn)品頁(yè)面獲取，用于設(shè)計(jì)驗(yàn)證和仿真。
• TI社區(qū)資源：包括TI E2E在線社區(qū)和設(shè)計(jì)支持，可獲取設(shè)計(jì)幫助和解答問(wèn)題。