LM74610-Q1 是一款控制器器件，可與 N 溝道 MOSFET 配合使用。 反極性保護電路。它旨在驅動外部 MOSFET 以模擬 與電源串聯時的理想二極管整流器。其獨特優勢 方案中，它不以 ground 為參考，因此 Iq 為零。

LM74610-Q1 控制器為外部 N 溝道 MOSFET 提供柵極驅動，并為 快速響應內部比較器，可在極性反接時對 MOSFET 柵極放電。 如果相反，這種快速下拉功能會限制反向電流的數量和持續時間 極性被感知。該器件設計還符合 CISPR25 5 類 EMI 規范和汽車 使用合適的 TVS 二極管ISO7637瞬態要求。
*附件：lm74610-q1.pdf

特性

• 適用于汽車應用
• 符合 AEC-Q100 標準，結果如下：
  • 超過 HBM ESD 分類 2 級
  • 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
• 最大反向電壓為 45 V
• 陽極端子無正電壓限制
• 用于外部 N 溝道
  MOSFET 的電荷泵柵極驅動器
• 比肖特基
  二極管/PFET 解決方案更低的功耗
• 低反向漏電流
• 零智商
• 對反極性的快速 2μs 響應
• –40°C 至 +125°C 工作環境溫度
• 可用于 OR-ing 應用
• 符合 CISPR25 EMI 規范
• 通過合適的 TVS 二極管滿足汽車ISO7637瞬態
  要求
• 無峰值電流限制

參數

方框圖

1. 產品概述

• ?類型?：Zero IQ反向極性保護智能二極管控制器
• ?特點?：
  • AEC-Q100認證，適用于汽車應用
  • 零靜態電流（Zero IQ）
  • 內部電荷泵門驅動外部N-MOSFET
  • 快速2μs反向極性響應
  • 低反向泄漏電流
  • -40°C至+125°C工作溫度范圍

2. 應用場景

• 高級駕駛輔助系統（ADAS）
• 信息娛樂系統
• 工業電動工具
• 傳輸控制單元（TCU）
• 電池OR-ing應用

3. 主要特性

• ?最大反向電壓?：45V
• ?無正向電壓限制?：Anode端子
• ?電荷泵門驅動?：外部N-MOSFET
• ?低正向電壓降?：相較于肖特基二極管
• ?EMI合規性?：符合CISPR25 Class 5標準
• ?瞬態要求?：符合汽車ISO 7637標準

4. 電氣特性

• ?最小啟動電壓?：0.48V（外部MOSFET體二極管）
• ?電荷泵電容閾值?：
  • Vcap上閾值：6.3V
  • Vcap下閾值：5.15V
• ?門驅動電流?：
  • 上升電流：8.9-9.4μA
  • 下降電流：6.35-6.8μA（正向電壓）
  • 快速下拉電流：160mA（反向電壓）
• ?反向恢復時間?：2.2-5μs
• ?占空比?：98%（典型值，25°C）

5. 功能描述

• ?工作原理?：
  • 初始上電時，電流通過MOSFET體二極管，為電荷泵電容充電。
  • 電容電壓達到上閾值后，MOSFET導通，提供低阻通路。
  • 電容電壓下降至下閾值時，MOSFET關斷，體二極管再次導通。
• ?反向極性保護?：
  • 檢測到反向電壓時，Gate Pull Down引腳快速下拉MOSFET門極，限制反向電流。
• ?無地參考?：設計使得控制器與二極管類似，無需地參考。

6. 封裝與尺寸

• ?封裝類型?：VSSOP（8引腳）
• ?尺寸?：3.00mm × 5.00mm

7. 典型應用

• ?反向極性保護?：與N-MOSFET和TVS二極管配合使用，保護電池或其他電源免受反向電壓損害。
• ?OR-ing應用?：在冗余電源系統中，替代肖特基二極管，減少正向電壓降，提高效率。

8. 設計考慮

• ?MOSFET選擇?：需考慮最大漏極電流、漏源擊穿電壓、柵閾值電壓和導通電阻。
• ?電容選擇?：建議使用220nF至4.7μF的X7R/COG陶瓷電容。
• ?TVS二極管選擇?：根據應用需求選擇合適的擊穿電壓和鉗位電壓。

9. 布局指南

• ?推薦布局?：VIN端子應使用低ESR陶瓷旁路電容，MOSFET源極和漏極應使用粗跡線，電荷泵電容應遠離MOSFET以降低熱效應。

10. 文檔與支持

• 提供數據手冊、應用指南、相關文檔鏈接和社區資源。
• 可通過TI社區獲取快速的設計幫助和技術支持。

LM74610-Q1是一款專為汽車和工業應用設計的反向極性保護智能二極管控制器，通過結合外部N-MOSFET，實現了低損耗、高效率的反向極性保護解決方案。