TPS22975 產品系列由兩個器件組成:TPS22975 和 TPS22975N。每個器件都是一個單通道負載開關,可提供可配置的上升時間,以最大限度地減少浪涌電流。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET,可在 0.6 V 至 5.7 V 的輸入電壓范圍內工作,并支持 6 A 的最大連續電流。該開關由開和關輸入 (ON) 控制,該輸入能夠直接與低壓控制信號連接。TPS22975具有一個可選的 230 Ω片上負載電阻器,可在開關關閉時進行快速輸出放電。
*附件:tps22975.pdf
TPS22975采用節省空間的小型 2mm × 2mm 8 引腳 SON 封裝 (DSG),并帶有集成導熱墊,可實現高功率耗散。該器件的額定工作溫度范圍為 –40°C 至 +105°C 的自由空氣溫度。
特性
- 集成單通道負載開關
- 輸入電壓范圍:0.6 V 至 V
偏見 - V
偏見電壓范圍:2.5 V 至 5.7 V - 導通電阻 (R
上)- R
上VIN = 0.6 V 至 5.7 V、V 時 = 16 mΩ(典型值)偏見= 5.7 伏
- R
- 最大連續開關電流 6A
- 低靜態電流
- V 時為 37 μA(典型值)
在= V偏見= 5 伏
- V 時為 37 μA(典型值)
- 低控制輸入閾值支持使用
1.2V、1.8V 、2.5V 和 3.3V 邏輯 - 可配置的上升時間
- 熱關斷
- 快速輸出放電 (QOD)(可選)
- 帶導熱墊的 SON 8 引腳封裝
- ESD 性能測試符合 JESD 22 標準
- 2000V HBM 和 1000V CDM
參數
方框圖
1. 產品概述
- ?類型?:5.7V, 6A, 16mΩ單通道負載開關
- ?特點?:
- 集成單通道負載開關
- 輸入電壓范圍:0.6V至VBIAS(2.5V至5.7V)
- 可配置上升時間
- 低靜態電流(37μA @ VIN = VBIAS = 5V)
- 可選快速輸出放電(QOD)功能
- 小型SON 8引腳封裝,帶熱墊
- ESD性能:±2000V HBM, ±1000V CDM
2. 應用場景
3. 主要特性
- ?低導通電阻?:RON = 16mΩ(典型值)
- ?最大連續開關電流?:6A
- ?控制輸入閾值低?:支持1.2V、1.8V、2.5V和3.3V邏輯
- ?熱關斷保護?:結溫超過160°C時自動關斷
- ?快速輸出放電?:可選230Ω內部放電電阻,防止輸出懸浮
4. 電氣特性
- ?靜態電流?:37μA(典型值)@ VIN = VBIAS = 5V
- ?關斷電流?:2.3μA(典型值)@ VBIAS = 5V
- ?導通電阻?:RON隨VIN和VBIAS變化,范圍在16mΩ至26mΩ之間
- ?上升/下降時間?:可通過CT引腳上的電容調整,典型值從幾微秒到幾百微秒不等
5. 功能描述
- ?可調上升時間?:通過CT引腳上的電容設置,減少大容性負載引起的浪涌電流
- ?快速輸出放電?:當開關關閉時,可選的內部放電電阻迅速放電輸出電容,防止輸出懸浮
- ?熱關斷?:結溫超過160°C時自動關閉開關,保護器件免受過熱損壞
6. 封裝與尺寸
- ?封裝類型?:8引腳SON(DSG)封裝,2mm × 2mm,帶熱墊
- ?熱阻?:θJA = 74.8°C/W
7. 布局與熱考慮
- ?布局指南?:所有跡線應盡可能短,輸入和輸出電容應靠近器件放置,以減少寄生電感的影響
- ?熱考慮?:最大結溫應限制在125°C以下,使用公式計算最大允許功耗,并注意板級布局對熱阻的影響
8. 文檔與支持
9. 注意事項
- 使用過程中需遵守靜電放電(ESD)防護措施
- 設計時應確保符合所有安全、監管和其他要求
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