揚杰科技亮相PCIM以硬核技術驅(qū)動能源變革

5月6-8日，揚杰科技攜多款高性能功率器件及解決方案亮相德國PCIM Expo & Conference 2025，全方位展示了在 SiC、IGBT、Mosfet 等領域的最新突破成果：從車規(guī)級芯片的耐高溫 “硬實力”，到消費電子器件的微型化 “巧工藝”，每一款產(chǎn)品都承載著 “讓能源轉(zhuǎn)換更高效” 的技術追求。 本次展會，揚杰科技重點推進汽車電子、消費電子、可再生能源、AI 及工控等領域的技術發(fā)展，面對全球能源結(jié)構轉(zhuǎn)型與智能化進程加速的雙重趨勢，正以 “技術創(chuàng)新” 為畫筆，在產(chǎn)業(yè)升級的藍圖上勾勒關鍵注腳。

一

精彩回顧 高潮不斷

展會期間，揚杰電子技術團隊憑借專業(yè)知識和豐富經(jīng)驗，向現(xiàn)場來訪嘉賓全面介紹了各細分領域的多元化產(chǎn)品及解決方案，并耐心解答疑問咨詢，獲得來訪客戶嘉賓的高度贊譽。

在新能源汽車領域，揚杰科技展示了IGBT模塊、SiC Mosfet等產(chǎn)品，以高效能解決方案賦能新能源汽車產(chǎn)業(yè)升級；在AI方面，推出了系列Mosfet產(chǎn)品，這些產(chǎn)品通過市場應用得到了充分驗證，在關鍵指標上表現(xiàn)卓越，為AI提供高效、可靠的電源管理支持，顯著提升能源轉(zhuǎn)換效率并降低系統(tǒng)功耗；在光伏與儲能領域，揚杰科技展示了1200V/160A三電平IGBT模塊和950V/600A下一代三電平模塊，適用于大型光伏逆變器與儲能變流器。其SiC Mosfet采用低Ron,sp設計，可顯著降低開關損耗，助力光儲系統(tǒng)效率提升至98%以上;在消費電子領域，揚杰科技推出Mosfet新品與微溝槽IGBT單管，前者采用高密度溝槽設計，導通電阻降低20%，適用于服務器電源與消費電子快充；后者通過背面加工工藝優(yōu)化，飽和壓降與關斷損耗雙降，可提升變頻器能效5%以上。

二

技術論壇 共探發(fā)展

展會現(xiàn)場，揚杰科技的技術專家也帶來了兩場關于SiC、IGBT的專業(yè)主題演講，在展會現(xiàn)場與業(yè)內(nèi)專家、專業(yè)觀眾共同探討和分享新技術的魅力：

揚杰科技IGBT產(chǎn)品、技術和優(yōu)勢

近年來揚杰科技在功率半導體領域持續(xù)突破創(chuàng)新，其自主研發(fā)的IGBT產(chǎn)品矩陣已形成完整技術體系。通過多年技術積累，在晶圓設計、封裝工藝等核心環(huán)節(jié)取得顯著突破。當前產(chǎn)品已批量應用于新能源汽車、光伏儲能、工業(yè)變頻等關鍵領域，憑借高功率密度、低導通損耗及強可靠性等優(yōu)勢贏得市場認可。未來將持續(xù)深耕第三代半導體技術，拓展車規(guī)級模塊與智能功率模塊的研發(fā)布局，為新能源產(chǎn)業(yè)升級提供核心器件支撐。

揚杰科技如何做好車規(guī)碳化硅器件

隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)加速升級，揚杰科技依托"研發(fā)-制造-應用"三位一體協(xié)同機制，在碳化硅（SiC）芯片設計、模塊封裝及系統(tǒng)集成領域?qū)崿F(xiàn)技術突破，其產(chǎn)品以高功率密度、高可靠性及快速開關特性深度賦能電驅(qū)系統(tǒng)與充電樁核心部件，推動電動汽車能效提升與輕量化發(fā)展進程。

三

圓滿收官 共啟新章

揚杰科技在展會中全面且系統(tǒng)的展示，吸引了業(yè)內(nèi)眾多專業(yè)人士的關注，展會雖已結(jié)束，但揚杰科技的的步伐不會停歇。借此契機，揚杰科技愿與產(chǎn)業(yè)合作伙伴們一同探索未來智能產(chǎn)業(yè)的新應用、新范式，共同定義產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新標準。我們將以全球資源為基石，以本地效率為引擎，攜手打造更加智慧、安全、可持續(xù)的世界。

揚州揚杰電子科技股份有限公司是國內(nèi)少數(shù)集半導體分立器件芯片設計制造、器件封裝測試、終端銷售與服務等產(chǎn)業(yè)鏈垂直一體化（IDM）的杰出廠商。產(chǎn)品線涵蓋分立器件芯片、MOSFET、IGBT&功率模塊、SiC、整流器件、保護器件、小信號等，為客戶提供一攬子產(chǎn)品解決方案。公司產(chǎn)品廣泛應用于汽車電子、清潔能源、工控、5G通訊、安防、AI、消費電子等諸多領域。

我司于2014年1月23日在深交所上市，證券代碼300373，相信在您的關懷支持下，我們一定能夠成為世界信賴的功率半導體伙伴。