失效分析的定義與目標(biāo)

失效分析是對(duì)失效電子元器件進(jìn)行診斷的過(guò)程。其核心目標(biāo)是確定失效模式和失效機(jī)理。失效模式指的是我們觀察到的失效現(xiàn)象和形式，例如開路、短路、參數(shù)漂移、功能失效等；而失效機(jī)理則是指導(dǎo)致失效的物理或化學(xué)過(guò)程，如疲勞、腐蝕、過(guò)應(yīng)力等。通過(guò)失效分析，我們能夠提出有效的糾正措施，防止同類問(wèn)題再次出現(xiàn)，從而提高產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性。

失效分析的程序

1. 收集現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)

這是失效分析的第一步，也是基礎(chǔ)。只有全面、準(zhǔn)確地收集現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)，才能為后續(xù)的分析提供可靠的依據(jù)。金鑒實(shí)驗(yàn)室擁有先進(jìn)的測(cè)試設(shè)備和專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)，能夠確保測(cè)試的準(zhǔn)確性和可靠性。

2. 電測(cè)并確定失效模式電測(cè)失效主要分為連接性失效、電參數(shù)失效和功能失效。

電參數(shù)失效則需要進(jìn)行更復(fù)雜的測(cè)量，主要表現(xiàn)為參數(shù)值超出規(guī)定范圍或參數(shù)不穩(wěn)定。功能失效的確認(rèn)則需要對(duì)元器件輸入已知的激勵(lì)信號(hào)，測(cè)量輸出結(jié)果，若輸出狀態(tài)與預(yù)計(jì)狀態(tài)不符，則判定為失效。這三種失效類型之間存在一定的相關(guān)性，一種失效可能引發(fā)其他種類的失效，功能失效和電參數(shù)失效的根源往往可以歸結(jié)于連接性失效。在缺乏復(fù)雜功能測(cè)試設(shè)備和測(cè)試程序的情況下，簡(jiǎn)單的連接性測(cè)試和參數(shù)測(cè)試方法結(jié)合物理失效分析技術(shù)的應(yīng)用，仍然可以獲得令人滿意的失效分析結(jié)果。

3. 非破壞檢查X-Ray檢測(cè)是一種常見的非破壞檢查方法。它可以在不破壞芯片的前提下，利用X射線從多方向及角度透視元器件，檢測(cè)封裝情況，如氣泡、邦定線異常、晶粒尺寸、支架方向等。

這種方法適用于檢查邦定有無(wú)異常、封裝有無(wú)缺陷、確認(rèn)晶粒尺寸及l(fā)ayout。

失效分析的價(jià)值與意義

失效分析不僅能夠幫助我們解決當(dāng)前的故障問(wèn)題，更能夠通過(guò)深入探究失效的原因，為產(chǎn)品的改進(jìn)和優(yōu)化提供方向。

它有助于我們更好地理解元器件在實(shí)際使用中的表現(xiàn)，從而在設(shè)計(jì)、制造和使用過(guò)程中采取更有效的措施，減少故障的發(fā)生，提高產(chǎn)品的整體質(zhì)量和可靠性。