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?貼片電容微型化對AR-HUD光學模組高頻濾波的影響研究

平尚科技 ? 來源:平尚科技 ? 作者:平尚科技 ? 2025-05-07 15:12 ? 次閱讀

?貼片電容微型化對AR-HUD光學模組高頻濾波的影響研究

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隨著AR-HUD(增強現實抬頭顯示)向高分辨率、低延遲方向演進,其光學模組對電源網絡的純凈度與空間利用率提出雙重挑戰。驅動激光微鏡、DLP芯片等高精度光學器件的電源需抑制GHz級高頻噪聲,同時適應模組內部毫米級安裝空間。東莞市平尚電子科技有限公司(平尚科技)通過AEC-Q200認證的微型貼片電容及高頻濾波技術,為AR-HUD的可靠性與小型化提供了創新解法。


AR-HUD

AR-HUD的高頻挑戰:空間與性能的極限博弈


AR-HUD光學引擎需在有限空間(通常≤50mm×30mm)內集成激光驅動、圖像處理及通信模塊,其電源網絡的高頻噪聲(如DC-DC開關諧波、5G頻段耦合)易導致投影圖像抖動或色彩失真。以某客戶的AR-HUD項目為例,其電源模塊因傳統0603封裝電容(1.6mm×0.8mm)體積過大,導致PCB布線擁擠,高頻噪聲(2MHz~6GHz)抑制不足,圖像刷新延遲達20ms。平尚科技的01005超微型貼片電容通過三維堆疊電極與LTCC工藝,容值密度提升至15μF/mm3,SRF拓展至20GHz,在5.8GHz頻段的阻抗衰減效率達40dB,圖像延遲壓縮至5ms以內。

平尚科技技術路徑:微型化與高頻性能的協同突破

平尚科技的微型貼片電容通過三大核心技術實現車規級高頻濾波:

1.納米陶瓷介質:采用稀土摻雜鈦?酸鋇基材料,介電常數溫度穩定性(Δε/ε)≤±2%(-55℃~150℃),避免高溫導致的容值漂移;

2.三維堆疊電極:通過硅通孔(TSV)技術垂直堆疊8層介?質,容值達10μF的電容體積僅0.4mm×0.2mm×0.1mm,較傳統封裝縮小70%;

3.高頻優化設計:梯度介電層分布與低感電極結構?,將等效串聯電感(ESL)降至0.03nH,抑制GHz級頻段的寄生振蕩。


車規認證


車規級驗證:從芯片到光學模組的全鏈路測試

平尚科技構建“AR-HUD高頻噪聲模擬平臺”,覆蓋極端場景驗證:

EMC輻射測試:10米法暗室(?CISPR 25)驗證5.8GHz頻段輻射噪聲降低30dB,通過Class 5限值;

動態負載響應:模擬激光微鏡瞬時電流(?10A/1ms),電容電壓跌落<±1%,ESR穩定在2mΩ@100kHz;

機械應力測試:50G隨機振動(I?SO 16750-3)與-55℃~150℃溫度循環,容值漂移<±0.5%,引腳斷裂率<0.001%。

以某新能源車企的AR-HUD項目為例,平尚科技通過替換傳統電容為01005微型陣列,將電源模塊體積壓縮60%,紋波電壓從50mVpp降至10mVpp,圖像刷新率從60Hz提升至120Hz,并通過ISO 26262功能安全認證。


技術前瞻:智能化與高頻融合

為應對下一代AR-HUD的8K分辨率與200GHz通信需求,平尚科技研發集成濾波功能的智能電容模組:

頻段自適應濾波:內置可調?電感與電容陣列,通過SPI接口動態調整濾波頻段(覆蓋24GHz~200GHz);

健康狀態監測:微型傳感?器實時反饋ESR、溫度及容值數據,通過CAN總線實現預測性維護,故障率降低50%。


其原型產品已通過某頭部車企的48小時滿負荷測試(150℃/10A脈沖),性能衰減<1%。

在AR-HUD向高集成化、高清晰度發展的技術拐點上,平尚科技通過AEC-Q200認證的微型貼片電容及高頻濾波方案,為行業定義了空間效率與信號完整性的新標桿。從納米材料到智能化集成,平尚科技正以創新實力推動車載光學顯示的性能躍升,為未來沉浸式交互體驗奠定硬件基石。

審核編輯 黃宇

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