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MDDTVS管失效模式大起底:熱擊穿、漏電流升高與反向擊穿問題解析

MDD辰達半導體 ? 2025-04-28 13:37 ? 次閱讀

在電子設計中,MDD-TVS管是保護電路免受瞬態電壓沖擊的重要器件。然而,TVS管本身在惡劣環境或選型、應用不當時,也可能出現失效問題。作為FAE,本文將系統梳理TVS管常見的三大失效模式——熱擊穿、漏電流升高與反向擊穿,幫助大家深入理解失效機理,提升電路防護的可靠性。
一、熱擊穿:過載能量導致的不可逆損傷
熱擊穿是TVS管最常見、也最致命的失效方式之一。它通常發生在TVS管承受的浪涌能量超過其最大脈沖功率時,比如連續高強度雷擊、異常浪涌或電源異常。這時,TVS器件內部結溫迅速升高,導致硅片局部熔化甚至碳化,器件永久性短路或開路。
主要成因包括:
瞬態脈沖能量遠超器件規格(選型不合理)。
浪涌頻率過高,TVS來不及冷卻導致累積過熱。
散熱設計不足(PCB布局過于密集或銅箔面積不足)。
預防對策:
選型時留足浪涌裕量(至少1.5倍以上)。
加強散熱設計,如擴大銅箔面積、采用散熱通孔。
必要時配合保險絲使用,防止熱失控。
二、漏電流升高:器件退化的前兆
TVS管在正常反向電壓下應呈現極小的漏電流(通常uA級別)。但如果器件經歷過多次較強浪涌沖擊,即便未完全擊穿,內部結結構也可能受損,表現為漏電流異常升高。
造成漏電流升高的原因:
多次接近極限的脈沖沖擊,導致結面退化。
長期高溫環境加速材料老化。
制造工藝缺陷或材料應力積累。
識別與應對:
定期進行漏電流檢測,發現異常及時更換。
選用高可靠性、高溫特性優異的TVS產品。
布局時盡量減小TVS兩端引線電感,降低局部過電壓。
三、反向擊穿問題:電氣失效的直接表現
正常情況下,TVS管的擊穿電壓(Vbr)高于系統工作電壓。但如果器件因制造缺陷、材料不均勻或外部過壓導致反向擊穿,TVS會提前導通甚至徹底失效,導致后級電路長期暴露在異常電壓下。
常見原因:
選型錯誤,Vbr過低,系統工作電壓接近擊穿閾值。
電路中存在異常尖峰或共模干擾,局部電壓超標。
TVS長時間工作于臨界狀態,加速老化擊穿。
預防措施:
準確評估系統最高工作電壓,合理選定Vbr。
引入濾波、限流措施,緩沖異常尖峰。
在高可靠性要求場合,選用汽車級、工業級高耐壓TVS產品。
了解MDD-TVS管的典型失效模式,不僅有助于現場故障排查,更能從源頭設計階段做好防護,延長系統壽命。選型正確、布局合理、留足裕量,是防止TVS失效、構建高可靠性電路的核心原則。掌握這些細節,讓你的防護設計真正做到滴水不漏!如果需要更詳細的TVS選型和應用指南,也可以繼續來問我。

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