電子發燒友網報道（文/章鷹）4月15日到17日，在慕尼黑上海電子展上，功率器件大廠英諾賽科帶來了數字能源、消費電子、汽車電子、機器人領域最新的氮化鎵器件方案。

圖：英諾賽科展臺新品和氮化鎵晶圓 電子發燒友拍攝

“與硅基器件相比，氮化鎵的功率密度可達 30W/mm，是硅的150倍，開關頻率提升 10 倍以上，可使電源適配器體積縮小 60%?！?西安電子科技大學廣州研究院教授弓小武對媒體表示。當前，GaN作為一種性能優異的寬禁帶半導體材料，近年來在功率半導體市場備受關注，從消費電子快充領域崛起，到如今的AI服務器、人形機器人等新興市場應用，氮化鎵器件正在顯示強大的發展潛力。

英諾賽科現場展示的8英寸氮化鎵晶圓，其單顆芯片成本較傳統6英寸方案降低30%，以折算氮化鎵分立器件計算，產品累計出貨量達到8.5億顆，晶圓良率達到95%，超越同行。

隨著 AI 服務器的市場規模不斷擴大，其核心處理器，包括 CPU、GPU、NPU、ASIC、FPGA等，以及內存、網絡通信等芯片元器件的性能和功耗水平都在提升。通用服務器原來只需要2顆800W服務器電源，但是AI服務器需求提升為4顆1800W高功率電源。

由于服務器CPU/GPU的功率需求不斷攀升，傳統的12V供電架構已無法滿足高效傳輸的需求，48V供電系統逐漸成為主流。值得關注的是，由于服務器內部空間有限，高功率密度的電源設計成為關鍵。

圖：INN100EA035A 電子發燒友拍攝

英諾賽科推出100V增強型GaN功率器件INN100EA035A，采用雙面散熱封裝，顯著提升功率密度和效率，適用于AI服務器和48V基礎設施的高效能源轉換。該器件在48V/25A條件下穩態損耗減少35%以上，系統級效率可達98%。

圖：氮化鎵服務器電源解決方案 電子發燒友拍攝

英諾賽科SVP產品負責人孫毅表示：“服務器電源的功率等級已從800W提升到1.3kW，甚至4kW，因此對功率密度以及效率提出了非常高的要求。氮化鎵的開通與關斷損耗與碳化硅、硅器件相比下降了50%以上，并且沒有反向恢復損耗，可以輕松滿足鈦金級效率需求。”

在慕尼黑上海電子展上，針對數據中心的前端輸入側——服務器電源PSU （PFC/LLC）1kW-4kW AC/DC環節，英諾賽科帶來多款氮化鎵服務器電源解決方案，分別是1KW 48V-12V LLC、3.6KW CCM TTP PFC，4.2KW PSU案例。此前，英諾賽科推出2KW PSU參考設計，采用圖騰柱無橋PFC+LLC結構，效率高達96.5%，體積僅為185*65*35(mm3)，完美符合 80 Plus 鈦金級能效。

本次慕展展示的4.2KW PSU參考設計，采用圖騰柱無橋PFC+LLC結構，效率高達96.8%，體積僅為185*659*37(mm3)，適合數據中心、通信PSU和服務器電源的能效要求。據悉，英諾賽科的氮化鎵服務器電源解決方案已經進入長城、浪潮等大廠的供應鏈。

英諾賽科2024年財報顯示，在新能源汽車和AI及數據中心兩大領域中，公司高歌猛進，分別實現車規芯片交付數量同比增長986.7%、AI及數據中心芯片交付量同比增長669.8%的迅猛增長。