作者/Sang-Yun Lee, CEO, BeSang Inc.

英特爾自從1992年以來首次在半導體業務收入中失去第一名，需要新的策略來縮小差距或超越三星。
2017年，三星半導體部門的總收入達到691億美元，超過了英特爾的628億美元。由于內存價格高漲，三星自1992年以來首次將英特爾從芯片銷售的首位擊倒。

由于平面DRAM由于即將結束的摩爾定律而面臨縮放限制，成本縮減變得緩慢并且平面DRAM最終無法滿足需求。位增長在23年內縮小到最低點。因此，很難預計任何時候內存價格會出現下滑。

英特爾與三星的半導體收入和營業利潤比較。

不過，三星的收入是否會在2018年持續增長？根據DRAMeXchange的數據，DRAM收入在2017年增長了76％，預計2018年將增長超過30％。如果我們假設DRAM收入增長將導致三星半導體部門在2018年至少收入增長20％，而英特爾與2017年相比，收入穩步增長7％，隨后英特爾在半導體領域的領導地位將成為歷史。

DRAMeXchange預測，如果DRAM銷售額在2018年增長超過30％，三星半導體的收入將持續快速增長。

英特爾的下一步應該是什么？作為一名追隨者，英特爾需要新的策略來縮小差距或超越三星。

英特爾可能會考慮盡可能擴大其代工業務，而不受代工策略或商業模式的限制。英特爾代工廠的大門需要向各種客戶提供各種知識產權的競爭性服務。由于英特爾擁有最好的技術，因此英特爾的代工廠可能會在短時間內成為英特爾的盈利業務。

英特爾的另一個建議是與三星在內存領域進行直接競爭。英特爾在DRAM業務方面有著悠久的歷史，并且仍然擁有強大的嵌入式DRAM技術。想想3D DRAM。由于DRAM廠商還沒有3D DRAM技術，它將成為游戲規則的變革者。DRAM供應商正在使用傳統平面DRAM創造創紀錄的收入和利潤，而傳統的平面DRAM已經面臨縮放限制。如果3D DRAM出現，它肯定會在DRAM業務中形成新的范式。因此，使用3D DRAM的DRAM業務的直接競爭將是與三星競爭的最有效方式。

盡管英特爾的NSG（N -on-Volatile Memory S olution G）roup）擁有創新的3D XPoint技術，因此英特爾NSG需要額外的顛覆性技術，以便將NSG業務與其競爭對手區分開來。如下圖所示，三星和英特爾的NAND閃存市場份額差距很大。事實上，英特爾是NAND領域的一個小玩家。盡管英特爾擁有富有競爭力的NAND技術，但從外部來源發現新興技術并采用新的創新技術實現更好的英特爾NSG業務是有利的。3D XPoint具有巨大的潛力，但可能需要更多時間才能具有成本競爭力。因此，研發費用和營業收入應該平衡。當其他NAND供應商創造創紀錄的利潤時，英特爾NSG也需要盈利。

英特爾非易失性解決方案集團2017年收益和NAND閃存市場份額。

許多人可能并沒有預料到三星在如此短的時間內將超越英特爾。具有諷刺意味的是，由于平面DRAM的供應有限，摩爾定律的結束給三星帶來了巨大的商機。因此，記憶成為賣方市場。

盡管中國的手機制造商抱怨內存價格居高不下，而中國政府正在考慮DRAM固定價格的可能性，但內存價格的上漲似乎不可阻擋。DRAMeXchange預測，如果DRAM收入在2018年增長超過30％，三星將加大與英特爾的距離。傳統上，英特爾和三星之間的業務重疊度非常小。但為了奪回王位，英特爾需要在內存和晶圓代工市場進行直接競爭。英特爾當然需要盡早采取新策略。