概述
HMC1057是一款次諧波MMIC混頻器，可用作鏡像抑制混頻器(IRM)或單邊帶上變頻器。 此款無源MMIC混頻器采用GaAs Shottky二極管技術制造。 針對下變頻應用，外部正交混合器件可用于選擇所需邊帶同時抑制圖像信號。 所有焊盤和芯片背面都經過Ti/Au金屬化，Shottky器件已完全鈍化以實現可靠操作。 此處顯示的所有數據均是芯片在50 Ohm環境下使用RF探頭接觸測得。
數據表：*附件：HMC1057次諧波I Q混頻器，71-86GHz技術手冊.pdf

應用

• 短途/高容量無線電
• 測試設備和傳感器
• 軍用最終用途
• E波段通信系統
• 汽車雷達

特性

• 無源： 無需直流偏置
• 高輸入IP3： 13 dBm
• 高LO/RF隔離： 30 dB
• 高2LO/RF隔離： 50 dB
• 寬IF帶寬： DC - 12 GHz
• 上變頻和下變頻應用
• 裸片尺寸： 1.74 x 1.73 x 0.1 mm

框圖

外形圖

焊盤描述

毫米波砷化鎵單片微波集成電路（GaAs MMIC）的安裝與鍵合技術

芯片應通過共晶方式或使用導電環氧直接連接到接地層（詳見HMC通用操作、安裝、鍵合說明 ）。建議使用0.127毫米（5密耳）厚的氧化鋁薄膜襯底制作50歐姆微帶傳輸線，用于芯片的射頻信號傳輸（圖1）。若使用0.254毫米（10密耳）厚的氧化鋁薄膜襯底，則芯片需凸起0.150毫米（6密耳），使芯片表面與襯底表面齊平。一種實現方法是先附著0.102毫米（4密耳）厚的芯片，再加上0.150毫米（6密耳）厚的鉬散熱片（鉬片），然后將其連接到接地層（圖2）。

為了縮短鍵合線長度，微帶襯底應盡可能靠近芯片放置。芯片與襯底的典型間距為0.076 - 0.152毫米（3 - 6密耳）。

操作注意事項

遵循以下預防措施，以免造成永久性損壞：

• 存儲 ：所有裸芯片應放置在基于醚華夫格或凝膠的靜電防護容器中，然后密封在靜電防護袋中運輸。靜電防護袋一旦打開，所有芯片應存放在干燥的氮氣環境中。
• 清潔度 ：在清潔環境中操作芯片，請勿使用液體清潔系統清潔芯片。
• 靜電敏感度 ：遵循靜電防護措施，防止靜電沖擊（> ±250V靜電沖擊）。
• 瞬態 ：施加偏置時，抑制儀器和偏置電源的瞬態。使用屏蔽信號線和偏置電纜，以減少電感拾取。
• 一般操作 ：使用真空吸筆或鋒利的彎頭鑷子沿芯片邊緣操作芯片。芯片表面可能有脆弱的空氣橋，請勿用真空吸筆、鑷子或手指觸碰。

安裝

芯片背面已金屬化，可使用金錫共晶預制件或導電環氧進行貼裝。貼裝表面應清潔平整。

• 共晶芯片貼裝 ：推薦使用80/20的金錫預制件，工作表面溫度為255°C，工具溫度為265°C。使用90/10的氮氫混合氣體時，工具尖端溫度應為290°C。請勿使芯片暴露在高于320°C的溫度下超過20秒，貼裝過程中擦拭時間不得超過3秒。
• 環氧貼裝 ：在貼裝表面涂抹少量環氧，確保芯片放置到位后，其周邊能形成一圈薄環氧邊。按制造商的固化時間表固化環氧。

引線鍵合

使用直徑0.025毫米（1密耳）的純金線進行球鍵合或楔鍵合。熱壓超聲鍵合時，推薦使用的典型工作臺溫度為150°C，球鍵合壓力為40 - 50克，楔鍵合壓力為18 - 22克。使用最小限度的超聲波能量，以實現可靠鍵合。鍵合從芯片開始，在封裝或襯底上結束。所有鍵合線應盡可能短，長度小于0.31毫米（12密耳）。