概述
HMC-MDB277是一款無源雙平衡MMIC混頻器,采用GaAs異質結雙極性晶體管(HBT)肖特基二極管技術,可用作上變頻器或下變頻器。 所有焊盤和芯片背面都經過Ti/Au金屬化,Shottky器件已完全鈍化以實現可靠操作。
HMC-MDB277雙平衡混頻器可兼容常規的芯片貼裝方法,以及熱壓縮和熱超聲線焊,非常適合MCM和混合微電路應用。 這款緊湊型MMIC可以取代混合型雙平衡式混頻器,而且體積要小得多,性能更加穩定。 此處顯示的所有數據均是芯片在50 Ohm環境下使用RF探頭接觸測得。
數據表:*附件:HMC-MDB277 DBL-BAL混頻器芯片技術手冊.pdf
應用
- 短程/高容量無線電
- FCC E波段通信系統
- 汽車雷達
- 傳感器
- 測試和測量設備
特性 - 寬IF帶寬: DC - 18 GHz
- 無源雙平衡拓撲結構
- LO輸入功率: +14 dBm
- 裸片尺寸: 1.55 x 1.4 x 0.1 mm
框圖
外形圖
焊盤描述
毫米波砷化鎵單片微波集成電路(GaAs MMIC)的安裝與鍵合技術
芯片應通過共晶方式或使用導電環氧直接附著到接地層(詳見HMC通用操作、安裝、鍵合說明 )。建議使用0.127毫米(5密耳)厚的氧化鋁薄膜襯底制作50歐姆微帶傳輸線,用于芯片的射頻信號輸入輸出(圖1)。若使用0.254毫米(10密耳)厚的氧化鋁薄膜襯底,則芯片需凸起0.150毫米(6密耳),使芯片表面與襯底表面齊平。一種實現方法是先附著0.102毫米(4密耳)厚的芯片,再加上0.150毫米(6密耳)厚的鉬散熱片(鉬片),然后將其連接到接地層(圖2)。
為縮短鍵合線長度,微帶襯底應盡量靠近芯片放置。芯片與襯底的典型間距為0.076 - 0.152毫米(3 - 6密耳)。
操作注意事項
遵循以下預防措施,避免造成永久性損壞:
- 存儲 :所有裸芯片應置于基于醚華夫格或凝膠的靜電防護容器中,然后密封在靜電防護袋中運輸。靜電防護袋一旦打開,芯片應存放在干燥的氮氣環境中。
- 清潔度 :在清潔環境中操作芯片,請勿使用液體清潔系統清潔芯片。
- 靜電敏感度 :遵循靜電防護措施,防止靜電沖擊。
- 瞬態 :施加偏置時,抑制儀器和偏置電源的瞬態。使用屏蔽信號線和偏置電纜,減少電感拾取。
- 一般操作 :使用真空吸筆或鋒利的彎頭鑷子沿芯片邊緣操作。芯片表面有脆弱的空氣橋,請勿用真空吸筆、鑷子或手指觸碰。
安裝
芯片背面已金屬化,可使用金錫共晶預制件或導電環氧進行芯片貼裝。貼裝表面應清潔平整。
- 共晶芯片貼裝 :推薦使用80/20的金錫預制件,工作表面溫度255°C,工具溫度265°C。使用90/10的氮氫混合氣體時,工具尖端溫度應為290°C。芯片溫度不得超過320°C,持續時間不超20秒,貼裝過程中擦拭時間不超3秒。
- 環氧貼裝 :在貼裝表面涂抹少量環氧,芯片就位后其周邊應形成一圈薄環氧邊。按制造商固化時間表固化環氧。
引線鍵合
- 射頻鍵合 :推薦使用0.003英寸×0.0005英寸的帶狀鍵合線,熱壓鍵合,壓力40 - 60克。直流鍵合推薦使用直徑0.001英寸(0.025毫米)的鍵合線,熱壓鍵合。
- 球鍵合 :推薦使用直徑0.0015英寸(0.038毫米)的鍵合線進行球鍵合,壓力18 - 22克,鍵合階段溫度150°C。施加最小限度的超聲波能量以實現可靠鍵合,鍵合長度盡量短,小于12密耳(0.31毫米)。
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