TPS51604 驅(qū)動程序針對高頻 CPU 進(jìn)行了優(yōu)化 V核心應(yīng)用。先進(jìn)的功能，如減少的死區(qū)時間驅(qū)動和 自動過零用于優(yōu)化整個負(fù)載范圍內(nèi)的效率。

SKIP 引腳提供 CCM作選項(xiàng)以支持 輸出電壓的受控管理。此外，TPS51604 還支持 兩種低功耗模式。當(dāng) PWM 輸入處于三態(tài)時，靜態(tài)電流降低到 130 μA，其中 立即響應(yīng)。當(dāng) SKIP 保持在三態(tài)時，電流減小 降至 8 μA（通常需要 20 μs 才能恢復(fù)開關(guān)）。與適當(dāng)?shù)?TI 配對 控制器，驅(qū)動器提供超高性能的電源系統(tǒng)。
*附件：用于高頻 CPU 內(nèi)核電源的 TPS51604 同步降壓 FET 驅(qū)動器 數(shù)據(jù)表 .pdf

TPS51604 器件采用節(jié)省空間、熱增強(qiáng)型封裝 8 引腳、2mm × 2mm WSON 封裝，工作溫度范圍為 –40°C 至 105°C。

特性

• 降低死區(qū)時間驅(qū)動電路，優(yōu)化
  CCM
• 自動過零檢測，優(yōu)化
  DCM 效率
• 多種低功耗模式，優(yōu)化輕
  負(fù)載效率
• 針對高頻
  作優(yōu)化的信號路徑延遲
• 集成 BST 開關(guān)驅(qū)動強(qiáng)度，針對超極本 FET 進(jìn)行了優(yōu)化
• 針對 5V FET 驅(qū)動進(jìn)行了優(yōu)化
• 轉(zhuǎn)換輸入電壓范圍 （V 在 ）：4.5 至 28 V
• 2mm × 2mm、8 引腳 WSON 導(dǎo)熱墊
  封裝

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

• ?產(chǎn)品名稱?：TPS51604
• ?制造商?：Texas Instruments
• ?類型?：同步降壓FET驅(qū)動器
• ?應(yīng)用領(lǐng)域?：高頻CPU內(nèi)核電源，適用于平板電腦、適配器、電池供電的NVDC鐵路等

二、主要特性

• ?優(yōu)化性能?：針對高頻CPU VCORE應(yīng)用優(yōu)化，提供先進(jìn)的CCM（連續(xù)導(dǎo)通模式）特性，如減少死區(qū)時間的驅(qū)動電路和自動零交叉檢測，以提高整個負(fù)載范圍的效率。
• ?低功耗模式?：提供多個低功耗模式，通過SKIP引腳實(shí)現(xiàn)CCM操作的受控管理，支持輸出電壓的精細(xì)控制。
• ?快速響應(yīng)?：集成的BST開關(guān)和優(yōu)化的FET驅(qū)動強(qiáng)度，確保對Ultrabook FETs的快速響應(yīng)。
• ?寬輸入電壓范圍?：轉(zhuǎn)換輸入電壓范圍從4.5V到28V。
• ?小尺寸封裝?：采用2mm x 2mm的8引腳WSON熱墊封裝，節(jié)省空間并具有增強(qiáng)的熱性能。

三、電氣特性

• ?UVLO（欠壓鎖定）保護(hù)?：VDD的UVLO閾值為4.15V（上升）和3.7V（下降），具有0.2V的遲滯。
• ?供電電流?：在PWM輸入為高電平時，供電電流為600μA；在PWM輸入為低電平時，供電電流為250μA；在PWM輸入為浮空狀態(tài)時，供電電流為130μA；在SKIP引腳為浮空狀態(tài)時，供電電流典型值為8μA。
• ?PWM和SKIP引腳規(guī)格?：包括輸入阻抗、高低電平電壓、遲滯電壓和三態(tài)電壓等。
• ?柵極驅(qū)動器特性?：提供高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動器的上升/下降時間、傳播延遲、源/漏電阻等詳細(xì)規(guī)格。

四、功能描述

• ?UVLO保護(hù)?：監(jiān)控VDD電壓水平，確保在電壓達(dá)到安全范圍之前，驅(qū)動器保持禁用狀態(tài)。
• ?PWM引腳功能?：支持三態(tài)輸入，當(dāng)PWM引腳處于三態(tài)時，驅(qū)動器進(jìn)入低功耗狀態(tài)。
• ?SKIP引腳功能?：控制零交叉檢測比較器的啟用/禁用，從而控制轉(zhuǎn)換器在CCM和DCM模式之間的切換。當(dāng)SKIP引腳處于三態(tài)時，驅(qū)動器進(jìn)入極低功耗狀態(tài)。
• ?自適應(yīng)死區(qū)時間控制?：減少低側(cè)體二極管導(dǎo)通時間，提高效率，并避免高側(cè)和低側(cè)MOSFET的同時導(dǎo)通。
• ?集成BST開關(guān)?：維持BST-SW電壓接近VDD，降低高側(cè)FET的導(dǎo)通損耗。

五、應(yīng)用與實(shí)現(xiàn)

• ?典型應(yīng)用?：提供了與TPS51632控制器和CSD87381功率塊配合使用的兩相設(shè)計(jì)示例。
• ?設(shè)計(jì)步驟?：包括選擇輸入電容、啟動電容和電阻、建立TPS51604與控制器和功率塊之間的連接等。
• ?布局指南?：建議將驅(qū)動器盡可能靠近MOSFET放置，使用寬跡線連接DRVH和DRVL引腳，以及避免PWM和使能跡線靠近高dV/dT電壓區(qū)域。

六、封裝與供貨信息

• ?封裝類型?：WSON（DSG）封裝，包含8個引腳和熱墊。
• ?供貨狀態(tài)?：活躍生產(chǎn)

七、其他信息

• ?開發(fā)支持?：提供Power Stage Designer工具鏈接，幫助用戶進(jìn)行設(shè)計(jì)。
• ?相關(guān)文檔?：提供了與其他TI產(chǎn)品的相關(guān)文檔鏈接，如TPS51632控制器和CSD87330功率塊的數(shù)據(jù)表。
• ?社區(qū)資源?：提供了TI E2E在線社區(qū)和設(shè)計(jì)支持的鏈接，方便用戶獲取幫助和分享知識。