雙向GaNFast氮化鎵功率芯片搭配新型IsoFast驅動器，打造高效單級拓撲，全面提升AC-DC與AC-AC轉換能效、功率密度及性能

加利福尼亞州托倫斯2025年3月12日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼: NVTS）今日重磅發布全球首款量產級650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片及高速隔離型柵極驅動器，通過單級BDS（雙向開關）變換器實現電源技術范式躍遷。該技術將推動傳統雙級拓撲向單級架構轉型，目標市場涵蓋電動汽車充電（車載充電機OBC及充電樁）、光伏逆變器、儲能系統及電機驅動等領域，開啟數十億美元級市場機遇。

目前，超過70%的高壓功率變換器采用雙級拓撲，例如AC-DC車載充電機需先經PFC級，再經DC-DC級，并依賴笨重的直流母線電容緩沖，復雜的架構導致此類系統體積龐大、能效低下且成本高昂。雙向GaNFast氮化鎵技術將兩級整合為單級高頻高效架構，徹底消除電容與輸入電感，成為電動汽車OBC等場景的終極解決方案。

單級OBC設計參考

一家領先的電動汽車及光伏微逆制造商已開始采用單級BDS變換器以提升其系統效率、縮小尺寸并降低成本。搭載GaNFast的單級變換器可實現高達10%的降本、20%的節能以及50%的體積縮減。

理想的功率半導體開關（晶體管）需具備雙向電壓阻斷能力及電流導通能力，并以最高效率實現能量控制。納微憑借在氮化鎵創新領域的領導地位，成功推出這一里程碑產品——雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。

在過去，實現雙向控制需使用兩個分立式“背靠背”的單體開關，而新型雙向GaNFast氮化鎵功率芯片采用尖端單芯片設計（單片集成），通過合并漏極結構、雙柵極控制及集成專利的有源基板鉗位技術，實現雙向開關的突破。一顆高速高效的雙向GaNFast氮化鎵功率芯片可替代最多4個傳統開關器件，顯著提升系統性能，同時減少元件數量、PCB面積和系統成本。

1顆氮化鎵BDS可替代4顆硅基開關

首批650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片包括料號為NV6427（典型導通電阻為100 mΩ）和NV6428（典型導通電阻為50 mΩ）的兩款產品，采用頂部散熱的TOLT-16L（晶體管外形引腳頂部冷卻）封裝。未來該產品系列將擴增更低導通電阻的型號。

全新IsoFast電氣隔離型高速驅動器，專為驅動雙向氮化鎵器件設計。其瞬態抗擾度較現有驅動器提升4倍（最高達200 V/ns），且無需外部負壓供電，可在高壓系統中實現可靠、快速、精準的功率控制。首批產品包括采用SOIC-16N封裝的NV1702（雙通道數字隔離型雙向氮化鎵柵極驅動器）及采用SOIC-14W封裝的NV1701（半橋氮化鎵數字隔離器）兩款料號。

IsoFast六大特性

納微半導體

首席執行官兼聯合創始人

Gene Sheridan

“我們全新的雙向氮化鎵開關及數字隔離驅動器，是半導體和系統層面真正具有顛覆性的技術。它們不僅提升了效率、功率密度、設計簡潔性和系統成本的降本，還將以最可持續的方式重塑多個價值數十億美元的市場。

打造全電氣化星球離不開能量的雙向流動。從所有可再生能源、電網到電動汽車和儲能系統，能量應實現高效雙向流動，成為未來的關鍵‘新貨幣’。單級雙向氮化鎵開關正是這一變革的核心。”

雙向能量流動的未來展望

雙向GaNFast氮化鎵功率芯片（NV6427和NV6428）已通過品質認證并已進入量產階段。IsoFast（NV1701和NV1702）樣品可提供給符合資質的客戶。

搭載IsoFast和雙向GaNFast氮化鎵功率芯片的單級評估板及使用說明已向符合資質的客戶開放申請。

納微將于2025年3月17日至19日參加在亞特蘭大舉辦的APEC 2025，并在1107號展位上展示雙向GaNFast氮化鎵功率芯片及IsoFast驅動器。

同時，納微也會在3月28日參加于深圳舉辦的亞洲充電展，歡迎各界人士到訪，與納微團隊深入交流。

關于納微半導體

納微半導體（納斯達克股票代碼: NVTS）是唯一一家全面專注下一代功率半導體事業的公司，于2024年迎來了成立十周年。GaNFast氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅動、控制、感應及保護集成在一起，為市場提供充電更快、功率密度更高和節能效果更好的產品。性能互補的GeneSiC碳化硅功率器件是經過優化的高功率、高電壓、高可靠性碳化硅解決方案。重點市場包括移動設備、消費電子、數據中心、電動汽車、太陽能、風力、智能電網和工業市場。納微半導體擁有超過300項已經獲頒或正在申請中的專利。納微半導體于業內率先推出唯一的氮化鎵20年質保承諾，也是全球首家獲得CarbonNeutral認證的半導體公司。