概述

HMC8400是一款砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)。 HMC8400是一款寬帶低噪聲放大器，工作頻率范圍為2 GHz至30 GHz. 該放大器提供13.5 dB增益、2 dB噪聲系數、26.5 dBm輸出IP3和14.5 dBm輸出功率（1 dB增益壓縮），功耗為67 mA（采用5 V電源時）。 HMC8400僅采用單正電源供電時具有自偏置以實現67 mA的漏極電流IDD。 HMC8400還具有增益控制選項VGG2。 HMC8400放大器輸入/輸出內部匹配50 ?，可方便地集成到多芯片模塊(MCM)中。 所有數據均由通過最短0.31 mm (12 mils)的兩條0.025 mm (1 mil)線焊連接的芯片獲取。
數據表：*附件：HMC8400-DIE 2GHz至30GHz，GaAs pHEMT MMIC低噪聲放大器技術手冊.pdf

應用

• 測試儀器儀表
• 微波無線電和甚小孔徑終端(VSAT )
• 軍事與太空
• 電信基礎設施
• 光纖產品

特性

• 針對1 dB壓縮(P1dB)的輸出功率： 14.5 dBm（典型值）
• 飽和輸出功率(PSAT)： 17 dBm（典型值）
• 增益： 13.5 dB（典型值）
• 噪聲系數： 2 dB
• 輸出三階交調截點(IP3)： 26.5 dBm（典型值）
• 電源電壓： 5 V (67 mA)
• 50 Ω匹配輸入/輸出
• 裸片尺寸： 2.7 mm × 1.35 mm × 0.1 mm

框圖

引腳配置和功能描述

接口示意圖
典型性能特征

HMC8400是GaAs，pHEMT，MMIC低噪聲放大器?；炯軜嬍且粋€自偏置共源共柵分布式放大器，其漏極集成RF扼流圈。級聯分布式架構使用一個基本單元，由兩個從源極連接到漏極的場效應晶體管(fet)堆疊而成。然后將基本單元復制幾次，用傳輸線分別連接頂部器件的漏極和底部器件的柵極。

每個單元都采用額外的電路設計技術來優化整體帶寬和噪聲系數。這種架構的主要優勢在于，在比單個基本單元提供的帶寬大得多的帶寬范圍內，可以保持低噪聲系數。這種架構的簡化原理圖如圖34所示。