TPS736 低壓差 (LDO) 線性穩(wěn)壓器采用一種新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):采用電壓跟隨器配置的 NMOS 傳輸晶體管。這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)使用低 ESR 的輸出電容器時(shí)很穩(wěn)定,甚至允許在沒有電容器的情況下工作。該器件還提供高反向阻塞 (低反向電流) 和接地引腳電流,在所有輸出電流值上幾乎恒定。
TPS736 采用先進(jìn)的 BiCMOS 工藝,可在提供極低的壓差電壓和低接地引腳電流的同時(shí)產(chǎn)生高精度。未使能時(shí),電流消耗低于 1μA,專為便攜式應(yīng)用而設(shè)計(jì)。極低的輸出噪聲 (30μVRMS 和 0.1μF CNR) 專為為 VCO 供電而設(shè)計(jì)。該器件受到熱關(guān)斷和折返電流限制的保護(hù)。
*附件:TPS736 無電容器、NMOS、400mA、具有反向電流保護(hù)功能的低壓差穩(wěn)壓器 數(shù)據(jù)表.pdf
特性
- 在沒有輸出電容器或任何值或類型的電容器的情況下保持穩(wěn)定
- 輸入電壓范圍為 1.7V 至 5.5V
- 超低壓差電壓:75mV (典型值)
- 出色的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng) — 帶或不帶可選輸出電容器
- NMOS 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)提供低反向漏電流
- 低噪聲:30μVRMS 典型值 (10Hz 至 100kHz)
- 0.5% 初始精度
- 線路、負(fù)載和溫度的總體精度為 1%
- 關(guān)斷模式下的最大 IQ 小于 1μA
- 熱關(guān)斷和指定的最小/最大電流限制保護(hù)
- 提供多種輸出電壓版本:
- 1.20V 至 5.0V 的固定輸出
- 1.20V 至 5.5V 的可調(diào)輸出
- 提供自定義輸出
參數(shù)
方框圖
1. 產(chǎn)品概述
- ?型號?:TPS736
- ?特點(diǎn)?:
- 無電容器或任何類型電容器均可穩(wěn)定工作
- 輸入電壓范圍:1.7V至5.5V
- 超低壓差電壓:75mV(典型值)
- 400mA輸出電流
- NMOS拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),提供低反向泄漏電流
- 低噪聲:30μV RMS(典型值,10Hz至100kHz)
- 反向電流保護(hù)功能
2. 主要規(guī)格
- ?封裝類型?:SOT-23(DBV)、SOT-223(DCQ)、VSON(DRB)
- ?工作溫度范圍?:-40°C至125°C
- ?輸出電壓版本?:
- 固定輸出:1.20V至5.0V
- 可調(diào)輸出:1.20V至5.5V
- 定制輸出可選
- ?精度?:
- 初始精度:0.5%
- 整體精度(線路、負(fù)載和溫度):1%
- ?關(guān)斷模式靜態(tài)電流?:小于1μA
3. 功能特性
- ?穩(wěn)定性?:無需輸出電容器即可穩(wěn)定工作,適用于各種電容器類型和值
- ?反向電流保護(hù)?:NMOS通道提供固有的反向電流阻擋
- ?熱保護(hù)?:具有熱關(guān)斷和最小/最大電流限制保護(hù)
- ?噪聲降低?:通過NR引腳連接旁路電容可進(jìn)一步降低輸出噪聲
4. 應(yīng)用領(lǐng)域
- 便攜式、電池供電設(shè)備
- 開關(guān)電源的后調(diào)節(jié)
- 對噪聲敏感的電路,如VCOs
- DSPs、FPGAs、ASICs和微處理器的負(fù)載點(diǎn)調(diào)節(jié)
5. 電氣特性
- ?線路調(diào)節(jié)?:0.01%/V
- ?負(fù)載調(diào)節(jié)?:0.002%/mA(1mA至400mA)
- ? 電源抑制比(PSRR) ?:
- 100Hz:58dB
- 10kHz:37dB
- ?啟動(dòng)時(shí)間?:600μs(Vout = 3V, Rl = 30Ω, Cout = 1μF, CNR = 0.01μF)
6. 設(shè)計(jì)指南
- ?輸入電容?:建議使用0.1μF至1μF的低ESR電容器,以改善瞬態(tài)響應(yīng)、噪聲抑制和紋波抑制
- ?輸出電容?:雖然不需要輸出電容,但添加1μF的電容器可以改善負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)
- ? 噪聲降低電容(CNR) ?:連接至NR引腳,可顯著降低輸出噪聲
- ?熱設(shè)計(jì)?:根據(jù)功耗和環(huán)境溫度考慮散熱解決方案
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