簡(jiǎn)介

HMC1082CHIP是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)驅(qū)動(dòng)放大器，工作頻率范圍為5.5 GHz至18 GHz。HMC1082CHIP提供24 dB典型增益、36 dBm輸出IP3和25.5 dBm輸出功率（1 dB壓縮），功耗僅為220 mA（采用5 V電源電壓）。飽和輸出功率(P SAT )為26 dBm，功率附加效率(PAE)為24%。

HMC1082CHIP是一款適合各種應(yīng)用的理想驅(qū)動(dòng)放大器，包括5.5 GHz至18 GHz的點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無(wú)線電和航海雷達(dá)（9 GHz時(shí)）。HMC1082CHIP還可用于6 GHz至18 GHz EW和ECM應(yīng)用。
數(shù)據(jù)表：*附件：HMC1082 GaAs pHEMT MMIC中等功耗放大器，5.5-18GHz技術(shù)手冊(cè).pdf

應(yīng)用

• 軟件定義無(wú)線電
• 電子戰(zhàn)(EW)
• 雷達(dá)應(yīng)用
• 電子對(duì)抗(ECM)

特性

• 高飽和輸出功率：26 dBm（24% PAE）
• 高增益：24 dB（典型值）
• 高輸出IP3：36 dBm（典型值）
• 高輸出P1dB：25.5 dBm
• 裸片尺寸：2.19 mm × 1.05 × 0.1 mm

框圖

引腳配置

接口示意圖

典型性能特征

HMC1082CHIP芯片中功率放大器的架構(gòu)如圖35所示。HMC1082CHIP芯片使用級(jí)聯(lián)的三級(jí)放大器。每一級(jí)的標(biāo)稱VDo電壓為5 V。