2017年，有個(gè)非常殘忍的事情出現(xiàn)了：不僅所有顯卡缺貨，就連隔一年一跌價(jià)的內(nèi)存、SDD固態(tài)硬盤，價(jià)格也跟插了翅膀似的，使勁猛竄！由于近半年存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格上漲，直接把三星推向了半導(dǎo)體市場第一名的寶座，擠下了霸占這一位置23年的Intel，在全球半導(dǎo)體市場的份額達(dá)到14.6%。全球NAND閃存市場，三星電子是毋庸置疑的霸主企業(yè)，其市場份額一度超過四成。

目前，國內(nèi)相關(guān)產(chǎn)業(yè)起步太晚，市場份額極低，定價(jià)權(quán)依然握在三星、鎂光，東芝等國際大廠手中。目前全球范圍內(nèi)主要的NAND Flash供應(yīng)商有三星、東芝、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士及英特爾(如圖1)。國家集成電路設(shè)計(jì)深圳產(chǎn)業(yè)化基地主任周生明稱，目前，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值已經(jīng)占據(jù)IC總體產(chǎn)值的近三分之一，其中NAND Flash(閃存)超過40%。NAND Flash的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛，涵蓋將會(huì)呈現(xiàn)暴發(fā)式增長的智能終端、車載、5G應(yīng)用、VR、大數(shù)據(jù)和云計(jì)算等方面。

2017年NAND FLASH市場份額

近日韓國當(dāng)?shù)孛襟w報(bào)道，3月9日，三星位于平澤的NAND工廠突然遭遇30分鐘的意外停電。盡管備用的不間斷電源可以應(yīng)對20分鐘左右的突發(fā)狀況，但是在CVD（化學(xué)氣相沉積）、擴(kuò)散、蝕刻和離子注入等工藝中，60分鐘的停電可能將影響60％的輸入晶圓片（即等待加工的晶圓片）。

一般情況下，超過20分鐘的任意停電將導(dǎo)致一半以上的輸入晶圓報(bào)廢。由于平澤工廠此次停電事故，預(yù)計(jì)3月份全球NAND供應(yīng)將暫時(shí)收緊，同時(shí)預(yù)計(jì)這次事故會(huì)降低全球NAND庫存水平。

花旗銀行分析，三星3月份11％的NAND產(chǎn)能預(yù)計(jì)將受到影響。目前，三星平澤工廠一層每月NAND產(chǎn)能為90k片晶圓，二層DRAM／NAND裝備則正在安裝中。盡管有不間斷電源備用，預(yù)計(jì)此次停電事故仍將影響到60％的產(chǎn)能。

如果以三星NAND總產(chǎn)能514k片／月來計(jì)算，估計(jì)三星3月份NAND芯片出貨量的11％將報(bào)廢。目前全球每月NAND產(chǎn)能為1，557k片／月，因此預(yù)計(jì)2018年3月全球NAND供應(yīng)量將下降3．5％。

不過三星有事故保險(xiǎn)，因此停電事故對其影響有限。三星的內(nèi)存晶圓廠都投了事故保險(xiǎn)，此次意外停電可獲得一筆保險(xiǎn)賠償，因此對三星的利潤影響不大。此外，由于其有充足的NAND庫存準(zhǔn)備，相信三星的銷售和運(yùn)營也不會(huì)受到影響。

花旗銀行指出，受服務(wù)器DRAM采用1xnm和1ynm驅(qū)動(dòng)， 預(yù)計(jì)三星將繼續(xù)保持強(qiáng)勁增長。SK Hynix方面，預(yù)計(jì)2018年強(qiáng)勁的服務(wù)器DRAM和SSD需求將使該公司創(chuàng)下新的盈利紀(jì)錄。

目前，全球幾大NAND Flash大廠商的技術(shù)情況如下：

在2D工藝上，三星主要量產(chǎn)的是14納米的MLC和TLC，東芝和西部數(shù)據(jù)則是15納米的MLC/TLC，美光和英特爾是16納米的MLC，并且應(yīng)用在高端市場，SK海力士則是14納米的TLC，這些2D產(chǎn)品最高容量都是128Gbit。

在3D方面，現(xiàn)階段三星正從48層轉(zhuǎn)到64層，并且已經(jīng)率先應(yīng)用到自己的產(chǎn)品中，預(yù)計(jì)64層 3D NAND第四季度會(huì)出貨給市場其他客戶。東芝和西部數(shù)據(jù)同樣也是從BISC2的48層轉(zhuǎn)到BISC3的64層，目前基于BISC3的64層已經(jīng)開始量產(chǎn)。美光和英特爾直接從32層提升到64層的B16A和B17A，目前B16A已經(jīng)量產(chǎn)，B17A則還要等一段時(shí)間。目前各原廠在64或者72層都包含256Gbit/512Gbit兩種規(guī)格，主要應(yīng)用在嵌入式產(chǎn)品和SSD產(chǎn)品，用于應(yīng)對未來持續(xù)增加的手機(jī)和SSD市場。

至于2D NAND因?yàn)橛行∪萘康氖袌龊统叽绲纫蛩剡€會(huì)持續(xù)兩、三年的時(shí)間，并且未來主要應(yīng)用在汽車、監(jiān)控、工業(yè)等領(lǐng)域。

2D和3D的區(qū)別類似平房和樓房的區(qū)別，蓋得越高，住的人也就越多，雖然在2D轉(zhuǎn)3D的過程中導(dǎo)致市場出現(xiàn)嚴(yán)重缺貨，但隨著各家在64層的投產(chǎn)，容量將提升2~4倍，下一個(gè)階段的96層，容量將可提升到1Tbit，這將是2D可量產(chǎn)最大容量的8倍。

目前主要原廠新增加的產(chǎn)能分布是：三星主要的3D工廠是中國西安工廠，F(xiàn)ab18工廠，另外西安工廠正在建設(shè)第二條產(chǎn)線。東芝和西部數(shù)據(jù)則主要是Fab2工廠，還有為96層準(zhǔn)備的Fab6工廠。美光和英特爾主要是F10X和大連工廠。海力士主要是M14工廠。

在中國企業(yè)方面，在制造端的產(chǎn)業(yè)鏈也在發(fā)展(如下圖)，除了長江存儲(chǔ)(YMTC)外，獨(dú)立的主控廠商有硅格、國科、華瀾等。此外，華為、中興等公司也針對自己的產(chǎn)品推出了存儲(chǔ)產(chǎn)品解決方案，品牌模組有江波龍(longsys)、記憶科技等。前不久江波龍公司收購了美光旗下的雷克沙(Lexar)品牌，以進(jìn)一步拓展海外市場。

眾所周知，內(nèi)存、閃存的漲價(jià)源于缺貨。談起缺貨漲價(jià)的程度，大概超過了不少人的想象，畢竟市場需求量擺在哪里。至于這些芯片漲價(jià)的原因更是千奇百怪，但漲價(jià)的理由都是統(tǒng)一的，那就是根本供不上貨。比如去年秋季東芝莫名其妙報(bào)廢了10萬片晶圓，漲價(jià)；鎂光的工廠受到了氮?dú)馕廴荆瑵q價(jià)；三星的工廠突發(fā)停電導(dǎo)致晶圓損壞，漲價(jià)；網(wǎng)上甚至有調(diào)侃說現(xiàn)在連火都懶得放了，畢竟此前導(dǎo)致漲價(jià)的海力士工廠大火還能讓媒體記者拍些照片，還算是有圖有真相。

從2016年二季度開始，閃存市場經(jīng)歷了有史以來持續(xù)時(shí)間最長且幅度最高的漲價(jià)、缺貨潮，其中消費(fèi)類閃存產(chǎn)品每GB銷售單價(jià)從2016年的0.12美元上漲到現(xiàn)在的0.3美元以上，主流的eMMC產(chǎn)品上漲幅度超過60%，SSD產(chǎn)品超過80%。2017年全球NAND Flash的總產(chǎn)量也達(dá)到了1620億GB當(dāng)量，較2016年提升了40%。目前市場價(jià)格依然較高，部分市場的供應(yīng)依然得不到滿足。