概述
HMC8038是一款高隔離度、非反射式、0.1 GHz至6.0 GH、單刀雙擲(SPDT)開關芯片,采用無引腳、表貼封裝。 該開關非常適合蜂窩基礎設施應用,可實現高達4.0 GHz的62 dB隔離、高達4.0 GHz的0.8 dB低插入損耗和60 dBm輸入三階交調截點。 擁有高達6.0 GHz的出色功率處理能力,并提供針對35 dBm的0.1 dB壓縮點(P0.1dB)的輸入功率(VDD = 5 V)。 片內電路在極低直流下采用3.3 V至5 V的單正電源電壓,以及0 V至1.8 V/3.3 V/5.0 V的單正電壓控制。 使能輸入(EN)設為邏輯高電平將該開關置于全部關斷狀態,其中RFC為反射式。
HMC8038的所有器件引腳均提供ESD保護,包括RF接口,并可承受4 kV HMB和1.25 kV CDM。 HMC8038分別提供150 ns和170 ns的快速開關和RF建立時間性能。 該器件采用符合RoHS標準的緊湊型4 mm × 4 mm LFCSP封裝。
數據表:*附件:HMC8038高隔離度、硅SPDT、非反射開關,0.1GHz至6.0 GHz技術手冊.pdf
應用
- 蜂窩/4G基礎設施
- 無線基礎設施
- 汽車遠程信息系統
- 移動無線電
- 測試設備
特性 - 非反射式50 ?設計
- 高隔離度: 60 dB(典型值)
- 低插入損耗: 0.8 dB(典型值)
- 高功率處理
34 dBm(通過路徑)
29 dBm(端接路徑) - 高線性度
0.1 dB壓縮(P0.1dB): 35 dBm(典型值)
輸入三階交調截點(IP3): 60 dBm(典型值) - ESD額定值
4 kV人體模型(HBM),3A類
1.25 kV充電器模型(CDM) - 單正電源
3.3 V至5 V
1.8 V兼容控制 - 欲了解更多特性,請參考數據手冊
框圖
引腳配置
接口示意圖
利用適當的RF電路設計技術,生成圖17所示應用中使用的評估PCB。RF端口的信號線必須具有50歐姆的阻抗,封裝接地引腳和背面接地片必須直接連接到接地層,如圖18所示。
輪廓尺寸
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