HMC574A GaAs MMIC 5 W T/R開關DC至3GHz技術手冊
概述
HMC574AMS8E是一款低成本SPDT開關，采用8引腳MSOP封裝，適合于高射入功率電平下需要極低失真性能的發射/接收應用。該器件可控制DC至3 GHz信號，尤其適合蜂窩/3G基礎設施、WiMAX和WiBro應用，典型插入損耗僅為0.3 dB。該設計在+8 V偏置時提供5 W處理性能和+63 dBm三階交調截點。“關斷”狀態下，RF1和RF2反射短路。
數據表：*附件：HMC574A GaAs MMIC 5 W T R開關DC至3GHz技術手冊.pdf
應用
- 蜂窩/3G基礎設施
- 專用移動無線手機
- WLAN, WiMAX和 WiBro
- 汽車遠程信息系統
- 測試設備
特性 - 低插入損耗： 0.3 dB
- 高三階交調截點：+63 dBm
- 隔離： 30 dB
- 單正電源： +3至+8V
- SMT封裝： MSOP8
備注:
1。設置邏輯門和開關Vdd = +3V至+5V，并使用HCT系列邏輯來提供TTL驅動器接口。
2 .控制輸入A/B可以直接用CMOS邏輯(HC)驅動，將+3至+8伏的Vdd施加于CMOS邏輯門和RF開關的引腳4。
3 .如圖所示，每個RF端口都需要DC隔直電容。電容值決定最低工作頻率。
4 . Vdd設置為+8V時可實現最高RF信號功率。該開關將在低至+3V的偏置電壓下正常工作(但是在較低的RF功率能力下)。
評估電路板
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