概述

ADRF5023是一款非反射式、單刀雙擲(SPDT)開關(guān)，采用硅工藝制造。

ADRF5023的工作頻率范圍為9 kHz至45 GHz，典型插入損耗為1.7 dB，隔離度為42 dB。該器件的直通路徑、端接路徑和RF公共端口熱切換分別具有30 dBm、24 dBm和30 dBm的RF輸入功率處理能力。

ADRF5023需采用3.3 V正電源和?3.3 V負(fù)電源供電。該器件采用互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)/低壓晶體管對晶體管邏輯(LVTTL)兼容控制。

當(dāng)負(fù)電源電壓(V SS )接地時(shí)，ADRF5023也可在單一正電源電壓(V DD )下工作。在此工作條件下，可在降低開關(guān)特性、線性度和功率處理性能的同時(shí)保持小信號性能。

ADRF5023采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的20引腳、3.0 mm × 3.0 mm、基板柵格陣列(LGA)封裝，工作溫度范圍為?40°C至+105°C。

數(shù)據(jù)表：*附件：ADRF5023硅SPDT開關(guān)，非反射式，9kHz至45GHz技術(shù)手冊.pdf
特性

• 超寬帶頻率范圍：9 kHz 至 45 GHz
• 非反射設(shè)計(jì)
• 低插入損耗
  • ?18 GHz 時(shí)為 0.9 dB
  • ?40 GHz 時(shí)為 1.6 dB
  • ?45 GHz 時(shí)為 1.7 dB
• 高隔離：?45 GHz 時(shí)為 42 dB
• 高輸入線性度：
  • 0.1 dB 功率壓縮 (P0.1dB)：31 dBm
  • 3 階交調(diào)點(diǎn) (IP3)：53 dBm
• TCASE = 85°C 時(shí)具有高功率處理能力
  • 30 dBm 直通路徑
  • 24 dBm 終止路徑
  • 30 dBm 熱切換（RFC 端口）
• RF 建立時(shí)間（0.1 dB 最終 RF 輸出）：3.5 μs
• 無低頻雜散信號
• 全關(guān)閉狀態(tài)控制
• 正向控制接口：與 CMOS/LVTTL 兼容
• 20 引腳、3.0 mm × 3.0 mm LGA 封裝

框圖

引腳配置

接口示意圖

ADRF5023有兩個(gè)電源引腳(VDo和Vss)和兩個(gè)控制引腳(CTRL和EN)。圖18顯示了電源和控制引腳的外部元件和連接。Voppin和Vss引腳通過一個(gè)100pF多層陶瓷電容去耦。器件引腳排列允許去耦電容靠近器件放置。偏置和工作不需要其它外部元件，但當(dāng)RF線路偏置0 V以外的電壓時(shí)，RF引腳上的DC隔直電容除外，詳情參見“引腳配置和功能描述”部分。

圖21顯示了參考疊層上從器件RF引腳到50ωCPWG的推薦布局。PCB焊盤與器件焊盤的比例為1:1。接地焊盤繪制為阻焊層定義，信號焊盤繪制為焊盤定義。PCB焊盤的RF走線以相同寬度延伸至封裝邊緣，并以45°角逐漸變細(xì)至RF走線。屏蔽罩還被設(shè)計(jì)成在沒有任何孔徑減小的情況下與襯墊相匹配，并且被分成用于槳的多個(gè)開口。