TPS7N53 是一款低噪聲 （2.2μVRMS）、超低壓差線性穩(wěn)壓器 （LDO），能夠以僅 95mV 的壓差 （典型值） 提供 3A 電流，與輸出電壓無關(guān)。該器件的輸出電壓可通過單個(gè)外部電阻器在 0.5V 至 1.5V 范圍內(nèi)調(diào)節(jié)。低噪聲、高 PSRR 和高輸出電流能力相結(jié)合，使 TPS7N53 設(shè)計(jì)用于為雷達(dá)電源、通信和成像應(yīng)用中的噪聲敏感元件（如 RF 放大器、雷達(dá)傳感器、SERDES 和模擬芯片組）供電。
*附件：TPS7N53 3A、低輸入電壓、低噪聲、高精度、低壓差 （LDO） 穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表.pdf

需要低輸入、低輸出 （LILO） 工作電壓的數(shù)字負(fù)載 [例如專用集成電路 （ASIC）、現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列 （FPGA） 和數(shù)字信號(hào)處理器 （DSP）] 也受益于出色的精度（在負(fù)載、線路和溫度范圍內(nèi) 1.5%）、遙感、出色的瞬態(tài)性能和軟啟動(dòng)功能，以提供最佳系統(tǒng)性能。多功能性、高性能和小尺寸解決方案使該 LDO 成為大電流模擬負(fù)載（如模數(shù)轉(zhuǎn)換器 （ADC）、數(shù)模轉(zhuǎn)換器 （DAC） 和成像傳感器）以及串行器/解串器 （SerDes）、FPGA 和 DSP 等數(shù)字負(fù)載的絕佳選擇。

特性

• 輸入電壓范圍：
  • 1.1V 至 2.2V
• 輸出電壓噪聲：2.2μVRMS
• 線路、負(fù)載和溫度范圍內(nèi)的精度為 1.5%（最大值）
• 低壓差：3A 時(shí)為 95mV（典型值）
• 電源抑制比 （3A）：
  • 80kHz 時(shí)為 1dB
  • 63kHz 時(shí)為 10dB
  • 100kHz 時(shí)為 51dB
  • 25MHz 時(shí)為 1dB
• 可調(diào)輸出電壓范圍：0.5V 至 1.5V
• 可調(diào)軟啟動(dòng)浪涌控制
• 漏極開路、電源正常 （PG） 輸出
• 封裝：3mm × 3mm、16 引腳 WQFN 封裝

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

• ?型號(hào)?：TPS7N53
• ?類型?：3A低輸入電壓、低噪聲、高精度、低壓差LDO穩(wěn)壓器
• ?應(yīng)用場(chǎng)景?：適用于雷達(dá)功率、通信和成像應(yīng)用中的噪聲敏感組件供電，如RF放大器、雷達(dá)傳感器、SERDES和模擬芯片組等。

2. 關(guān)鍵特性

• ?輸入電壓范圍?：1.1V至2.2V
• ?輸出電壓范圍?：0.5V至1.5V，可調(diào)
• ?輸出電流?：最大3A
• ?低噪聲?：輸出電壓噪聲為2.2μV RMS（100Hz至100kHz帶寬）
• ?高精度?：輸出電壓精度為±1.5%（最大），負(fù)載、線路和溫度范圍內(nèi)
• ?低壓差?：典型值為95mV（在3A輸出電流下）
• ? 高電源抑制比（PSRR） ?：在1kHz時(shí)為-80dB，在1MHz時(shí)為-25dB

3. 功能特點(diǎn)

• ?可調(diào)輸出電壓?：通過單個(gè)外部電阻設(shè)置輸出電壓
• ?軟啟動(dòng)功能?：可調(diào)軟啟動(dòng)時(shí)間，減少啟動(dòng)時(shí)的沖擊電流
• ?電源良好（PG）輸出?：開漏輸出，指示LDO輸出電壓穩(wěn)定
• ?遠(yuǎn)程感應(yīng)?：支持遠(yuǎn)程電壓感應(yīng)，提高輸出電壓精度
• ?熱關(guān)斷保護(hù)?：防止過熱損壞
• ?過流保護(hù)?：具有過流限制功能

4. 封裝與尺寸

• ?封裝類型?：WQFN-16（3.00mm x 3.00mm）
• ?熱阻?：θJA為42.9°C/W

5. 電氣特性

• ?靜態(tài)電流?：在輸入電壓為1.1V至2.2V，輸出電流為0A時(shí)，典型值為150μA
• ?線性調(diào)整率?：典型值為-200μV/V
• ?負(fù)載調(diào)整率?：典型值為-100μV/A
• ?輸出電流限制?：在輸出電壓為1.5V時(shí)，最大為3.9A
• ?短路電流限制?：在輸出短路時(shí)，最大為0.4A

6. 應(yīng)用指南

• ?電容選擇?：推薦使用10μF或更大的輸入和輸出電容，以最小化噪聲和紋波
• ?布局建議?：將輸入和輸出電容放置在靠近LDO引腳的位置，以最小化寄生電感和電阻
• ?噪聲優(yōu)化?：通過選擇合適的噪聲抑制電容（CNR）和輸出電容（COUT），可以進(jìn)一步優(yōu)化LDO的噪聲性能