【DT半導體】獲悉，化合積電為了大力推動金剛石器件的應用和開發進程，推出硼摻雜單晶金剛石，響應廣大客戶在金剛石器件前沿研究的需求。

金剛石，作為超寬帶隙半導體，被公認為終極功率半導體，有可能徹底改變電力電子和射頻電子。事實上，金剛石材料本身屬于絕緣體，摻雜是實現金剛石電性能的重要途經。硼摻雜單晶金剛石兼具p型半導體的導電特性和金剛石自身優良的物理和化學性能，是制備高溫、大功率半導體元器件的優選材料。

硼摻雜單晶金剛石是一種新型的p型半導體材料，具有穩定性強、擊穿場強高、空穴遷移率大的優勢。化合積電所生產的硼摻雜單晶金剛石可實現低濃度到高濃度的摻雜，低濃度的硼摻雜單晶金剛石具有良好的遷移率，適合作為半導體器件的主要材料；高濃度的硼摻雜單晶金剛石則具有電阻率低的特點，適合作為歐姆接觸的電極。

檢測結果

化合積電硼摻雜單晶金剛石拉曼特征峰FWHM：2.53cm-1

化合積電硼摻雜單晶金剛石搖擺曲線半高寬

XRD：47.3arcsec

化合積電硼摻雜單晶金剛石表面粗糙度：Ra 0.746 nm

化合積電硼摻雜單晶金剛石遷移率達到1400 c㎡/(Vs)，載流子實現從14到19次方

化合積電的摻硼單晶金剛石二次離子質譜（SIMS）檢測結果顯示，受主濃度在深度分布上均勻，激活率高（可達2.15%）