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淺談瑞盟科技·MS8816/MS8816P

王子文 ? 來源:jf_30348363 ? 作者:jf_30348363 ? 2025-02-08 16:39 ? 次閱讀

概述:

MS8816/MS8816P 采用先進的制造工藝,功耗低,可靠性高,隔離度好。該

電路包含 8×16 個模擬開關陣列,7 到 128 個地址譯碼和鎖存電路。通過不同的

地址信號,可以對 128 個開關尋址。DATA 端口輸入邏輯電平“1”或“0”,可對

模擬開關打開或關閉。模擬信號范圍從 VDD 到 VEE。還可以通過芯片 CS,允許對

芯片開關陣列擴展。

芯片特性

■ 內含控制鎖存器,地址譯碼

■ 很短的建立時間和保持時間

■ 寬電壓范圍:4.5V~13.2V

■ 12Vpp 模擬信號

■ Ron 最大 65Ω@VDD=12V,25℃

■ ⊿Ron≤10Ω@VDD=12V,25℃

■ 低失真,全 CMOS 開關

■ 小的饋通和串擾

■ 獨立的模擬數字參考電壓源

芯片應用:

■ 按鍵系統

■ PBX 系統

■ 模擬/數字多路開關

音頻/視頻開關

■ 移動設備

■ 測試設備

芯片系統框圖:

wKgZO2eHVFuAWXzWAACO1_qiOW4034.png

封裝信息:

wKgZO2eHVG2AI7tJAABmTb544DM957.png

管腳描述:

wKgZPGeIaa6AAiCQAAB8KGjKIUM199.png

wKgZO2eIcCSAEl2FAALIFfmx2Og592.png

功能描述:

MS8816/MS8816P是一個8×16模擬開關矩陣電路。開關矩陣是Y方向8列,X方

向16行。當開關斷開時,模擬開關陣列相應X行和Y行之間實現絕對的隔離;當開

關接通時,X行和Y行之間相連。

控制寄存器由一個128位可寫RAM組成,其位數可通過地址輸入線

(AX0-AX3,AY0-AY2)來選擇。數據由DATA端口寫入到存儲器。當STROBE和CS輸

入為高電平時,不同的數據可以寫入DATA端口,在STROBE下降沿,數據被鎖存,

為確保有效寫入,在下降沿前數據端口必須保持穩定。當邏輯“1”寫入存儲單

元時,就把相應的交叉點開關導通;當邏輯“0”寫入存儲單元時,就把相應的

交叉點開關斷開。當數據寫入到存儲器,被尋址的存儲器位置的交叉點的狀態改

變。其余的的開關保持原先的狀態。在控制器寫入不同的數據,可以得到X和Y

不同組合。當RESET輸入邏輯“1”,CS不管任何狀態,關閉所有開關,存儲器的

數據清零。兩個電壓參考腳(VSS和VEE)可以提供MS8816/MS8816P負的模擬信號。

數字信號電壓范圍從VDD到VSS,模擬信號的電壓范圍從VDD到VEE。如果只有一個

電源時,可以把VSS和VEE接到一起。

地址譯碼:

在STROBE和CS使能信號的控制下,7根地址線輸入到7-128地址譯碼器。DATA經過

緩沖以后作為所有儲存器的輸入。當RESET低電平同時CS高電平下,數據和地址

才可以寫入鎖存器,數據在STROBE下降沿鎖存。只有當STROBE高電平的時候,數

據才可以寫入,開關可以打開和關閉。為保證數據有效寫入,STROBE下降沿之前

應保持數據穩定。

極限參數

(長時間工作在極限狀態下,會影響電路使用壽命)

wKgZO2eIrT-AKQOrAAB6ijVU4xY595.png

推薦條件

wKgZO2eIrVOAIv_TAABjdRmHzlw069.png

直流參數 (VEE=VSS=0V,VDD=12V)

wKgZPGem_RWASxgXAAEo3Diq2X0166.png

直流參數-導通電阻

wKgZPGem_b6AHtesAADD3fZDM9A894.png

交流參數-交叉點性能

(VEE=-7V,VDD=5V,VSS=0V)

wKgZPGem_fWARabPAAHKwoijKW0491.png

交流參數-時序控制

VEE=-7V,VDD=5V,VSS=0V)

wKgZPGem_guAQmJ_AAC2F22LryE342.png

wKgZPGem_jCAemVwAAFZXKu2IsY856.png

wKgZPGem_jqAQY06AACe3lRTS_w936.png

地址譯碼真值表

wKgZPGem_lqAQpf_AAEoBiT9PUg895.png

封裝信息:

PLCC44

wKgZO2em_z6AYo0MAAFc_lERxrk498.png

LQFP44:

wKgZPGenAJuAVHChAAHX0JoZbu4162.png

——愛研究芯片的小王

審核編輯 黃宇

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