前言

微電子產(chǎn)品隨著封裝集成度的提高，導(dǎo)熱逐漸變成約束器件物理性能的第一要素。基于仿真方法進(jìn)行導(dǎo)熱計算可以有效確定微電子系統(tǒng)的溫度分布，繼而進(jìn)行溫度相關(guān)的可靠性評定和信號及電源完整性評定。

經(jīng)典的導(dǎo)熱計算中，在導(dǎo)入電路版圖后第一步是做物性等效（將電路板劃分為等距的tiles），然后在等效參數(shù)的基礎(chǔ)上劃分網(wǎng)格，并對網(wǎng)格的物性進(jìn)行插值。這一類物性包括各向異性的彈性模量、剪切模量、泊松比和導(dǎo)熱系數(shù)。

等效物性建模通常有三種方法：

方法一：線性插值LIM

該方法完全按照銅和介電材料的體積分?jǐn)?shù)平均化獲得物理量數(shù)值：

該方法的缺點(diǎn)是各向同性，同時不考慮銅分布的空間位置。

方法二：Maxwell-Eucken （ME） 模型

方法三：有效熱寬度 （ETW） 模型

上述三種方法的計算誤差如下：