電子發燒友網報道（文/黃晶晶）近日，SK海力士宣布，開發出適用于AI數據中心的高容量固態硬盤SSD產品PS1012 U.2。

據介紹，PS1012采用了最新的PCIe5.0，比PCIe4.0帶寬增大一倍。數據傳輸速度可達32GT/s，順序讀取性能是以前一代規格產品的兩倍，可達13GB/s。可支持OCP 2.0版本（OCP即Open Compute Project是由全球領先的數據中心公司組成，以討論構建超高效數據中心的硬件、軟件和企業級固態硬盤（eSSD）標準的國際協議體），由此提高了全球AI領域客戶的多種數據中心服務器設備的兼容性。

圖源：SK海力士

公司計劃在今年年內向全球服務器制造商提供樣品進行產品評估，并計劃在明年第三季度將產品群擴大至122TB。

SK海力士表示：“隨著AI時代的正式到來，高性能企業級固態硬盤（eSSD，enterprise SSD）的需求正在急劇增加，能夠實現其高容量的QLC2技術正在成為業界標準，為了順應這種趨勢,公司開發出了適用該技術的61TB產品，并推向市場。”

根據規劃，其下一步的目標是開發244TB產品，主要基于321層閃存技術。“今年11月，SK海力士開發出全球最高的321層4D NAND閃存技術，為了突破企業級固態硬盤的容量極限，公司將同時進行基于321層4D NAND技術的244TB產品開發，以此引領適用于數據中心的超高容量固態硬盤市場。”

SK海力士從2023年6月量產238層NAND閃存產品，并供應于市場，又率先推出超過300層的NAND閃存，突破了技術界限。

其321層產品與上一代相比，數據傳輸速度和讀取性能分別提高了12%、13%，并且數據讀取能效也提高10%以上。SK海力士將以321層NAND閃存積極應對面向AI的低功耗、高性能新市場，并逐漸擴大其應用范圍。計劃從2025年上半年起向客戶提供321層產品。

工藝技術方面，SK海力士表示，開發321層4D NAND采用了高生產效率的“3-Plug2”工藝技術，克服了堆疊局限。該技術分三次進行通孔工藝流程，隨后經過優化的后續工藝將3個通孔（通孔是指堆疊多層基板之后，為一次性形成單元的垂直孔。）進行電氣連接。在其過程中開發出了低變形材料（是指通過改變plug內填充的物質，減少變形），引進了通孔間自動排列（Alignment）矯正技術。公司技術團隊也將上一代238層NAND閃存的開發平臺應用于321層，由此最大限度地減少了工藝變化，與上一代相比，其生產效率提升了59%。

Solidigm是SK海力士的子公司，早前Solidigm宣布推出122TB的Solidigm D5-P5336 數據中心 SSD，能夠大幅提升能效和空間利用率，為核心數據中心到邊緣的各種使用場景提供行業領先的存儲效率。

Solidigm表示，在應對內容分發網絡、通用存儲應用和對象存儲應用等數據密集型工作負載方面，這一現代高密度QLC 硬盤相較于其他廠商的入門級高密度數據中心TLC產品，能夠展現出高達15%的性能提升。在持續寫入工作負載方面，D5-P5336 的讀取響應率高出最多 40%。

對于兩者在數據中心SSD產品上的定位和發展，SK海力士表示Solidigm全球首次將基于QLC的企業級SSD商業化。SK海力士以Solidigm為中心，引領了適用于AI數據中心的固態硬盤市場。公司期待通過PS1012的開發，可以構建均衡的固態硬盤產品組合，實現兩家公司之間的協同效應最大化。