臺(tái)積電25日宣布與海思半導(dǎo)體有限公司合作，已成功產(chǎn)出業(yè)界首顆以FinFET工藝及ARM架構(gòu)為基礎(chǔ)之功能完備的網(wǎng)通處理器。這項(xiàng)里程碑強(qiáng)力證明了雙方深入合作的成果，同時(shí)也展現(xiàn)了臺(tái)積電堅(jiān)持提供業(yè)界領(lǐng)先技術(shù)的承諾，以滿足客戶對下一世代高效能及具節(jié)能效益產(chǎn)品之與日俱增的需求。

臺(tái)積電的16FinFET工藝能夠顯著改善速度與功率，并且降低漏電流，有效克服先進(jìn)系統(tǒng)單芯片技術(shù)微縮時(shí)所產(chǎn)生的關(guān)鍵障礙。相較于臺(tái)積電的28納米高效能行動(dòng)運(yùn)算（28HPM）工藝，16FinFET工藝的芯片閘密度增加兩倍，在相同功耗下速度增快逾40%，或在相同速度下功耗降低逾60%。

臺(tái)積電總經(jīng)理暨共同執(zhí)行長劉德音博士表示：“我們在FinFET領(lǐng)域的研發(fā)已經(jīng)超過十年，很高興龐大的努力獲得回饋并締造此項(xiàng)成就。我們相信能發(fā)揮此項(xiàng)技術(shù)的最大效益，并在專業(yè)集成電路服務(wù)領(lǐng)域的先進(jìn)工藝上，繼續(xù)保持長期領(lǐng)先地位的優(yōu)良紀(jì)錄。”

臺(tái)積電的16FinFET工藝早于2013年十一月即完成所有可靠性驗(yàn)證，良率表現(xiàn)優(yōu)異，并進(jìn)入試產(chǎn)階段，為臺(tái)積電與客戶的產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案、試產(chǎn)活動(dòng)與初期送樣打下良好基礎(chǔ)。

藉由臺(tái)積電的16FinFET工藝，海思半導(dǎo)體得以生產(chǎn)具顯著效能與功耗優(yōu)勢的全新處理器，以支持高階網(wǎng)通應(yīng)用產(chǎn)品。海思半導(dǎo)體同時(shí)亦采用臺(tái)積電經(jīng)過生產(chǎn)驗(yàn)證且能整合多元技術(shù)芯片的CoWoS?三維集成電路封裝技術(shù)，能有效整合16納米邏輯芯片與28納米輸出/輸入芯片，提供具成本效益的系統(tǒng)解決方案。

海思半導(dǎo)體總裁何庭波表示：“很高興在臺(tái)積電FinFET技術(shù)及CoWoS?解決方案的支持下，我們成功開發(fā)下一代面向無線通信和路由器應(yīng)用的通信處理器并得以量產(chǎn)。該芯片采用ARM V8架構(gòu)，集成32核A57，主頻可達(dá)2.6GHz，使用CoWoS?封裝技術(shù),具有豐富的通信接口和通信加速器。該芯片的調(diào)度、轉(zhuǎn)發(fā)和信令處理能力較前一代芯片性能提升3倍，支持虛擬化，可以支持SDN和NFV，應(yīng)用于未來的基站、路由器、核心網(wǎng)等通信設(shè)備。通過大幅提升關(guān)鍵指標(biāo)，極大提升了產(chǎn)品的競爭力。”