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艾邁斯歐司朗發布紅外LED新品,搭載全新IR:6技術

電子 ? 來源:電子 ? 作者:電子 ? 2024-11-26 09:35 ? 次閱讀

全新IR:6薄膜紅外LED芯片技術,提供850nm、940nm及新增920nm波長選項;

OSLON? P1616與OSLON? Black系列是首批采用IR:6技術的產品,為客戶提供直接替換方案,顯著提升終端產品(安防攝像頭、生物識別認證系統及熱處理醫療設備)的亮度與效率。

艾邁斯歐司朗今日宣布,發布最新IR:6紅外(IR)LED芯片技術。相較于艾邁斯歐司朗現有IR LED發射器芯片,該技術能將顯示亮度提升35%,工作效率提高42%。

IR:6技術可適用于個人電腦中的生物特征認證系統(圖片:艾邁斯歐司朗)

全新IR:6薄膜芯片技術,將助力制造商大幅度提升照明效果與圖像質量,實現更快速、更準確的生物特征識別,并降低能耗以及延長電池續航時間,尤其針對安防攝像頭、個人電腦及智能門鈴中的生物識別認證系統等產品。

IR:6技術適用于閉路電視監控(CCTV)系統應用(圖片:艾邁斯歐司朗)

在用于治療組織損傷的光療醫療設備領域,IR:6芯片憑借其卓越的光功率輸出,使設備制造商能夠在保持治療效果的前提下,減少LED使用數量,從而減小設備尺寸并降低物料成本。

艾邁斯歐司朗OSLON? P1616高功率LED系列和OSLON? Black系列為首個承載這項新技術的產品。OSLON? P1616高功率LED系列采用1.6mm×1.6mm緊湊型封裝;OSLON? Black系列提供多種發光角度選項,其中包括專為IR攝像頭設計的新型矩形照明視場。

艾邁斯歐司朗產品市場經理Dominic Bergmann強調:“全新升級的IR:6技術使艾邁斯歐司朗的紅外LED在亮度和效率方面在細分市場遙遙領先。客戶若采用基于IR:6的新款LED替換現有紅外LED,將能在降低功耗的同時,即時獲得更出色的應用性能。”

IR:6:新一代紅外LED技術

全新IR:6芯片技術在材料、結構和設計上進行了提升,實現卓越的性能表現。具體提升表現在:

提高芯片固有效率;

引入新型中央焊盤設計,優化電流分布并降低正向電壓;

優化芯片表面的粗糙度,提高光解耦效率和亮度。

此外,全新的IR:6技術增添了以920nm為主導波長的發光功能,同時保留常規的850nm和940nm波長。得益于光電二極管對較短波長更高的靈敏度,920nm新選項相較于940nm選項能提供更高的信噪比(SNR),并且紅曝現象較850nm更為微弱。

在發布時,IR:6技術已應用于以下專為空間受限應用設計的OSLON? P1616產品系列的“B”版本:

OSLON? P1616 SFH 4180BS:提供920nm/940nm波長選項,輻射通量為1,485mW,發光角度為130°;

OSLON? P1616 SFH 4181BS:提供920nm/940nm波長選項,輻射通量為1,550mW,發光角度為70°;

OSLON? P1616 SFH 4182BS:提供920nm/940nm波長選項,輻射通量為1,650mW,發光角度為130°。

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OSLON? P1616 SFH 4181BS產品圖片(圖片:艾邁斯歐司朗)

該技術還應用于現有OSLON? Black發射器的新版本:

OSLON? Black SFH 4713B:采用850nm波長,輻射通量為980mW,發光角度為80°;

OSLON? Black SFH 4714B:采用850nm波長,輻射通量為940mW,發光角度為150°;

OSLON? Black SFH 47167B:采用850nm波長,輻射通量為940mW,提供110°×130°的矩形照明視場。

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OSLON? Black SFH 4713B產品圖片(圖片:艾邁斯歐司朗)

IR:6芯片由位于艾邁斯歐司朗德國的雷根斯堡工廠生產。艾邁斯歐司朗掌握OSLON? P1616及OSLON? Black LED的完整供應鏈,包括從芯片到封裝,確??蛻魧υ摦a品的大批量供應充滿信心。

審核編輯 黃宇

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