轉(zhuǎn)自中國科學報
記者 王敏原文鏈接：https://news.sciencenet.cn/sbhtmlnews/2024/10/381762.shtm

本報訊（記者王敏）中國科學技術大學郭光燦院士團隊的郭國平教授、王保傳特任副研究員等人與本源量子計算科技（合肥）股份有限公司合作，成功研制出一種高度耦合可調(diào)的二維硅基量子點陣列，首次在硅量子點陣列中實現(xiàn)了對最近鄰以及次近鄰耦合的獨立大范圍調(diào)控，對推動硅基半導體量子計算研究具有重要意義。相關研究成果近日在線發(fā)表于《納米快報》。

硅基半導體量子點以其較小的特征尺寸、與現(xiàn)代半導體制造工藝的兼容性和具備大規(guī)模擴展量子比特數(shù)量的潛力，成為實現(xiàn)實用化量子計算和量子模擬的重要候選方案之一。近兩年來，硅基自旋量子比特在向容錯量子計算發(fā)展過程中取得了進展。要想進一步推動硅基半導體量子計算發(fā)展，實現(xiàn)量子比特的二維耦合擴展顯得尤為重要。然而，由于小尺寸帶來的制造挑戰(zhàn)以及實驗室平面工藝的局限性等因素，硅基量子點陣列的二維擴展研究進展緩慢，國際上相關報道相對較少。此外，現(xiàn)有研究主要關注最近鄰耦合的可調(diào)性，缺少對次近鄰耦合的調(diào)控研究，而這一調(diào)控在量子計算和模擬中具有重要意義。基于以上背景，郭國平研究組設計并制備了一個包含中心勢壘柵極的2×2硅基量子點陣列器件。研究人員在極低溫下對該器件的性能進行了系統(tǒng)表征，發(fā)現(xiàn)該器件每個量子點中的電子可以實現(xiàn)獨立填充，并調(diào)節(jié)至單電子占據(jù)狀態(tài)。此外，最近鄰耦合能夠在較大范圍內(nèi)獨立調(diào)控，次近鄰耦合則可以通過中心勢壘柵極實現(xiàn)非對稱調(diào)控。基于這種高度可調(diào)性，研究人員可以根據(jù)需求選擇性地關閉和打開特定的耦合，從而將量子點陣列配置為不同的耦合結構并開展具體應用研究。研究人員介紹，該工作為硅基量子點陣列作為量子計算與量子模擬的多功能平臺提供了全新可能性。