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GPIO靜電放電防護方案

靜芯微 ? 來源:jf_65561982 ? 作者:jf_65561982 ? 2024-09-19 17:02 ? 次閱讀

GPIO靜電放電防護方案

方案簡介

GPIO的全稱是General Purpose Input Output (通用輸入/輸出端口),簡稱為GPIO或總線擴展器,是一種在微控制器微處理器、以及其他集成電路(IC)上常見的接口,它允許這些設備與外部世界進行交互。GPIO接口提供了基本的數字信號功能,可通過軟件分別配置成輸入或輸出,即能夠作為輸入讀取外部設備的狀態(如按鈕是否被按下),或者作為輸出控制外部設備(如點亮LED燈)。

因其可能需要引線至外部傳輸數據,導致其易受靜電及其他一些電磁脈沖的影響,此類情況會給后續產品的穩定性及可靠性帶來一定隱患,為了確保這些數據端口能夠在最終安裝環境中正常工作,普通的防護方案或許會對數據的傳輸造成一定影響,此方案采用集成和分立兩種ESD靜電保護元器件方案,具有導通電壓精度高、響應速度快、寄生電容值低、鉗位電壓低的特性,在不影響數據傳輸的前提下滿足IEC61000-4-2 Level 4靜電放電防護需求,且做到成本最優化。

GPIO的ESD防護

GPIO 引腳廣泛應用于各種系統和應用中,能夠執行諸如讀取傳感器數據、控制LED燈的亮滅以及監測開關狀態等任務。GPIO 具有3.3V 或 5V 的低電壓,需要低電壓 ESD 保護二極管

根據系統中必須保護的 GPIO 引腳數量,可以使用單通道或多通道二極管。在為GPIO選擇ESD保護器件時我們需要考慮如下要求:

工作電壓

保護二極管的反向工作電壓 (VRWM) 必須大于或等于受保護系統的工作電壓。對于 GPIO 引腳,典型工作電壓范圍在 3.3V 至 5V 之間。這意味著工作電壓大于或等于 3.3V 至 5V。

極性

保護系統時,可根據需求選擇單向或雙向二極管。若線路中僅涉及正電壓,單向二極管是理想選擇,它不僅能抵御正電壓的潛在威脅,還能在遭遇負ESD沖擊時,通過鉗制在較低電壓水平來提供額外保護,這對于對負電壓敏感的應用尤為有利。而面對既有正電壓又可能出現負電壓的復雜環境,雙向二極管則更為適用,能夠全面抵御雙向電壓的沖擊。

鉗位電壓

鉗位電壓取決于最近的下游電路,建議小于器件引腳的絕對最大電壓。在這種情況下,下游電路很可能是一個具有數據表中指定的絕對最大電壓的微控制器。

電容

不同芯片GPIO口的速率不一樣,一般選擇低電容的器件。

IEC 61000-4-2 等級

IEC 61000-4-2 測試標準定義了實際的 ESD 沖擊。該標準包含兩項測量:接觸放電和空氣間隙放電。接觸和空氣間隙等級越高,器件能夠承受的電壓就越高。對于 GPIO 引腳,建議觸點的 IEC 61000-4-2 最低額定值為 8kV,氣隙的最低額定值為 15kV。

應用示例

方案一:

wKgZombr6L-AdnQMAAAfFHx_qsw076.png

wKgaombr6JyAOazOAAA2j_k_J_M844.png

我們以8個GPIO口引腳的微控制器為例,方案一中推薦SELC2F5V1BT和SELC2X5V1BT作為GPIO接口的防護器件,這是兩款用于防止靜電放電、過壓等瞬態事件ESD防護器件。兩款器件電氣特性相似,封裝不同,客戶可根據接口實際情況進行選擇。

這兩款器件工作電壓都為5V,結電容僅為0.3pf,鉗位電壓為42V,都符合IEC 61000-4-2 (ESD) Level 4規范,在 ±25kV(空氣)和 ±22kV(接觸)下提供瞬變保護.

方案二:

wKgaombr6MCAIg9zAAAUCCUPfzk263.png

wKgZombr6KiAEXrXAAAk94rFrro713.png

方案二中我們推薦一種集成式十引腳ESD防護器件SEUC10F5V4U,可同時保護四條I/O通道。器件的流通式封裝設計簡化了 PCB 布局,減少布線過程中的不連續性,促進了信號完整性和系統穩定性的提升。其工作電壓為5V,結電容僅為0.6pF,鉗位電壓為15V,符合IEC 61000-4-2 (ESD) 規范,可在 ±17kV(空氣)和 ±12kV(接觸)下提供瞬變保護。

型號參數

規格型號 方向 工作電壓(V) IPP(A) 鉗位電壓(V) 結電容(pF) 封裝
SELC2F5V1BT Bi. 5 4.5 22 0.3 DFN1006-2L
SELC2X5V1BT Bi. 5 4.5 22 0.3 DFN0603-2L
SEUC10F5V4U Uni. 5 4.5 15 0.6 DFN2510-10L

電氣特性表

At TA = 25℃ unless otherwise noted

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse Stand-off Voltage VRWM 5 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mA 6.5 V
Reverse Leakage Current IR VRWM=5V 1 uA
Clamping Voltage VC IPP=1A; tp=8/20us 12 V
Clamping Voltage VC IPP=4.5A; tp=8/20us 22 V
Junction Capacitance CJ VR=0V; f=1MHz 0.3 pF

表1 SELC2F5V1BT電氣特性表

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse Stand-off Voltage VRWM 5.0 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mA 6.5 V
Reverse Leakage Current IR VRWM=5V 1.0 uA
Clamping Voltage VC IPP=1A; tp=8/20us 12.0 V
Clamping Voltage VC IPP=4.5A; tp=8/20us 22.0 V
Junction Capacitance CJ VR=0V; f=1MHz 0.3 pF

表2 SELC2X5V1BT電氣特性表

Parameters Symbol conditions Min. Typ. Max. Unit
Reverse stand-off voltage VRWM 5.0 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT= 1mA 6.0 V
Reverse Leakage Current IR VRWM=5V 1.0 uA
Peak Pulse Current IPP TP=8/20us@25℃ 4.5 A
Clamping Voltage VCL IPP=1A; TP=8/20us 9.0 11.0 V
Clamping Voltage VCL IPP=4.5A; TP=8/20us 12.0 15.0 V
Junction capacitance CJ I/O pins to ground;
VR=0V; f = 1MHz
0.6 pF
Between I/O pins;
VR=0V; f = 1MHz
0.3

表3 SEUC10F5V4U電氣特性表

總結與結論

由于GPIO口廣泛應用于各類傳感器的控制與連接,所以選擇正確的ESD保護器件在工業自動化領域十分重要。ELECSUPER SEMI研發各種低電容低鉗位電壓的ESD和TVS保護器件,可按照客戶需求性能與封裝提供定制化開發服務,為各種接口及通信線路提供值得信賴的保護器件。以上解決方案是保護GPIO接口的優選之策,確保數據傳輸的可靠與穩定。

審核編輯 黃宇

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