美光宣布將在日本廣島建設(shè)DRAM工廠
據(jù)日媒報(bào)道，美國(guó)美光科技公司將斥資6000~8000億日元（約合277.2~369.6億元人民幣）在日本廣島新建一座DRAM內(nèi)存晶圓廠。該廠預(yù)計(jì)將于2026年破土動(dòng)工，并于2027年底投入運(yùn)營(yíng)。
據(jù)悉，新廠將采用EUV光刻機(jī)技術(shù)，并計(jì)劃在2025年量產(chǎn)的下一代1-gamma（nm）節(jié)點(diǎn)引入EUV光刻技術(shù)。鑒于DRAM行業(yè)的代際周期，新廠有望具備生產(chǎn)1-gamma甚至1-delta DRAM的能力。
原本，美光希望在今年啟動(dòng)新廠運(yùn)營(yíng)，以便在2025年量產(chǎn)后迅速擴(kuò)大1-gamma DRAM的產(chǎn)能。然而，受半導(dǎo)體行業(yè)尤其是存儲(chǔ)領(lǐng)域衰退影響，美光已調(diào)整投資計(jì)劃，放慢了產(chǎn)能擴(kuò)張步伐。
值得注意的是，新廠建設(shè)費(fèi)用中的一部分將由日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省提供補(bǔ)貼，最高金額可達(dá)1920億日元（約合88.7億元人民幣）。
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