Power Integrations （PI） 8日宣布將收購Odyssey Semiconductor Technologies （奧德賽半導體技術），進軍垂直氮化鎵晶體管技術領域。該交易預計2024年7月完成，奧德賽的核心團隊將歸入PI技術部。

PI方面強調，此舉將提升公司獨特的PowiGaN技術的研發實力，這是其廣泛用于InnoSwitch IC、HiperPFS-5功率因數校正IC等一系列產品的關鍵技術。

公司計劃借助氮化鎵與碳化硅材料相比的優越性，降低成本并提升性能，推動高電流、高電壓氮化鎵技術的商業化，滿足當前碳化硅無法覆蓋的更高功率需求。

據了解，Odyssey成立于2019年，專注于高壓功率開關元件和系統的開發，擁有一家占地1萬平方英尺的半導體晶圓制造廠，配備先進的半導體開發和生產設備。Odyssey曾于今年3月以952萬美元出售資產并解散。

Odyssey主要從事650V和1200V垂直氮化鎵場效應晶體管的研發和生產。