半導(dǎo)體的破產(chǎn)重整。 ? 聚力成半導(dǎo)體早期由重慶捷舜科技有限公司投資設(shè)立,并于2018年9月與重慶大足區(qū)政府簽約,啟動外延片和芯片產(chǎn)線項目,主要業(yè)務(wù)是硅基氮化鎵/碳化硅基氮化鎵
發(fā)表于 05-22 01:07
?2501次閱讀
近日,士蘭微電子8英寸碳化硅(SiC)功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目(廈門士蘭集宏一期)正式封頂。封頂
發(fā)表于 03-04 14:20
?517次閱讀
后每周可以生產(chǎn)約1萬片車規(guī)級晶圓。 ? ? ? 安意法半導(dǎo)體有限公司成立于2023年8月,由三安光電(股權(quán)占比51%)與意法半導(dǎo)體(中國)投資有限公司(股權(quán)占比49%)共同出資設(shè)立,項目
發(fā)表于 02-27 18:45
?1693次閱讀
引言
碳化硅(SiC)作為一種高性能的半導(dǎo)體材料,因其卓越的物理和化學(xué)性質(zhì),在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而,在SiC外延片的制造過程中,表面污染物的存在會嚴(yán)重影響
發(fā)表于 02-11 14:39
?414次閱讀
引言
碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料,因其出色的物理和化學(xué)特性,在功率電子、高頻通信及高溫環(huán)境等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而,在SiC外延生長過程中,掉落物缺陷(如顆粒脫落、乳凸等)一直是
發(fā)表于 02-10 09:35
?401次閱讀
據(jù)廈門日報的最新報道,士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目于1月21日取得了重要進(jìn)展。在主廠房的核心區(qū)域三層作業(yè)面上,鋼結(jié)構(gòu)首吊成功吊裝,標(biāo)志著該項目正式進(jìn)入快速建設(shè)階段。預(yù)
發(fā)表于 01-24 15:01
?893次閱讀
1月8日,記者從西部(重慶)科學(xué)城獲悉,奧松半導(dǎo)體8英寸MEMS特色芯片IDM產(chǎn)業(yè)基地一期項目FAB主廠房近日封頂,標(biāo)志著該
發(fā)表于 01-09 18:25
?1063次閱讀
一、引言
在半導(dǎo)體制造業(yè)中,外延生長技術(shù)扮演著至關(guān)重要的角色。化學(xué)氣相沉積(CVD)作為一種主流的外延生長方法,被廣泛應(yīng)用于制備高質(zhì)量的外延片。而在CVD
發(fā)表于 01-08 15:49
?364次閱讀
隨著碳化硅(SiC)材料在電力電子、航空航天、新能源汽車等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,高質(zhì)量、大面積的SiC外延生長技術(shù)變得尤為重要。8英寸SiC晶圓作為當(dāng)前及未來一段時間內(nèi)的主流尺寸,其
發(fā)表于 12-31 15:04
?398次閱讀
年底將增至1.4萬片/月,并在2025年具備年產(chǎn)16.8萬片車規(guī)級SiC MOS的生產(chǎn)能力。同時,GaN(氮化鎵)產(chǎn)能已達(dá)4000
發(fā)表于 10-16 15:27
?2213次閱讀
分子束外延(MBE)技術(shù)。外延層可以具有不同的摻雜類型和濃度,以滿足特定的電子特性。 擴散片是通過在硅片上擴散摻雜劑來制造的。這個過程通常在高溫下進(jìn)行,以使摻雜劑擴散到硅片中。擴散
發(fā)表于 07-12 09:16
?1604次閱讀
Flag完成!從動土開工到投產(chǎn),18個月搞定!中國首條12英寸MEMS量產(chǎn)線!5年投資370億,兩座晶圓廠,12萬片/月產(chǎn)能! 今天(6月28日),廣州增芯科技有限公司12英寸先進(jìn)智能
發(fā)表于 06-29 08:39
?1706次閱讀
江蘇昕感科技在半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域又邁出了重要的一步。由該公司投資建設(shè)的6英寸硅基半導(dǎo)體芯片項目,預(yù)計將在今年年底全面通線,年產(chǎn)能將達(dá)到100萬
發(fā)表于 06-26 10:49
?2731次閱讀
前言硅片按照產(chǎn)品工藝進(jìn)行分類,主要可分為硅拋光片、外延片和SOI硅片。上期我們已經(jīng)介紹SOI硅片,本期關(guān)注硅拋光
發(fā)表于 06-12 08:09
?3136次閱讀
制造等產(chǎn)線擴張;另一部分是源自過去十多年時間里,SiC襯底尺寸從4英寸完全過渡至6英寸,加上良率的提升。 ? 更大的襯底尺寸,意味著單片SiC晶圓所能夠制造的芯片數(shù)量更多,晶圓邊緣的浪費減少,單芯片成本降低。因此目前SiC產(chǎn)業(yè)都往8
發(fā)表于 06-12 00:16
?3332次閱讀
評論