據天眼查信息，武漢新芯集成電路制造有限公司近期獲得了一項涉及“圖像傳感器及其制備工藝”的專利，專利編號為CN112397539B，該專利于2024年4月16日正式生效，其申請日期為2020年11月13日。

此項專利提出的圖像傳感器及其制備工藝主要包括以下步驟：首先，在基板上布置若干像素單元，這些像素單元被安置在基板內部的第一類型阱區中；接著，通過刻蝕工藝在相鄰像素單元之間形成隔離溝槽；然后，在隔離溝槽周圍的基板上進行第二類型離子注入，使之與第一類型阱區中的離子形成PN結；最后，使用隔離層填充隔離溝槽。這種設計將深度溝槽隔離（DTI）與離子注入形成PN結隔離相結合，在隔離溝槽周圍的基板內形成PN結，有效阻止了缺陷造成的載流子竄入讀取區和感光區，從而減少暗電流并提升光學和電氣隔離效果。此外，減小了隔離區的面積，從而提升了圖像傳感器的芯片面積利用率。