據悉，三星有望在本月晚些時候實現第九代V-NAND閃存在業內的領先地位，生產出具有更高堆疊層次的產品。據三星高層Jung-Bae Lee介紹，他們計劃于今年年初開始下一代NAND閃存的量產工作。

值得注意的是，2022年11月，三星成功量產出236層第八代V-NAND，這意味著每隔約一年半時間，三星便能推出新一代V-NAND閃存。

據韓媒Hankyung透露，第九代V-NAND閃存的堆疊層數將高達290層，但IT之家此前曾報道過，三星在學術會議上展示了280層堆疊的QLC閃存，其IO接口速度可達3.2GB/s。

此外，三星將繼續采用雙閃存堆棧設計，以簡化工藝流程并降低制造成本。然而，預計明年推出的第十代V-NAND閃存將采用三堆棧設計，這將進一步提高3D閃存的堆疊層數，同時也會增加堆棧對齊的復雜度。

半導體行業觀察機構TechInsights預測，三星的第十代V-NAND閃存有望達到430層，從而鞏固其在堆疊技術領域的領先地位。