3月6日消息，固態技術協會JEDEC近日公布了全新的JESD239 GDDR7顯存標準（Graphics Double Data Rate），相比GDDR6，新規帶來了雙倍的帶寬表現，單機承載能力最高可達每秒192GB。

據了解，JESD239 GDDR7首次采用了脈幅調制（Pulse Amplitude Modulation，PAM）接口以實現高效的高頻操作，增強了信號噪聲比，降低能源消耗。該標準利用三級（+1，0，-1）的2周期交互傳輸3比特數據，相較于傳統的NRZ（非歸零碼）接口的2周期交互傳輸2比特，顯著提升了每個循環的數據吞吐量，進而提升整體性能。

該標準還具備以下高端特性：

核心獨立LFSR（線性反饋移位寄存器）訓練模式配備眼睛屏蔽和錯誤計數器，能有效提高訓練精度并縮短訓練時間。

獨立通道數量由GDDR6的兩個翻番至四個。

支持16至32 Gbit的密度跨度，包含2通道模式，以此提高系統容量。

加入最新數據完整性功能，包括實時報告的片上糾錯、數據中毒、錯誤檢查及清除及帶命令阻塞的命令地址奇偶校驗（CAPARBLK），滿足RAS（ reliability、availability、serviceability）的市場需求。

JEDEC董事會主席Mian Quddus表示：“JESD239 GDDR7代表著高速顯存設計的一大突破。轉向PAM3信號，為顯存產業拓寬了GDDR設備性能提升的新路徑，助推圖形與各類高性能應用保持持續發展。”

JEDEC GDDR小組委員會主席Michael Litt指出：“GDDR7顛覆以往僅關注帶寬，而是通過結合最新數據完整性功能以達到RAS市場要求，這些功能使GDDR設備更順利地滿足現有的云游戲和計算機處理等市場需求，并向AI領域拓展。”

此外，根據公告信息透露，AMD、美光、英偉達、三星、SK海力士均對這一標準表示全力支持。其中，三星和美光業已規劃下一代GDDR7模塊研發項目。三星設定的目標時速為32 Gbps，這意味著性能提升率將達到1.6倍；美光方面，其目標則是研發24 Gb+ 32 Gbps系列芯片。美光在近期的路線圖里亦表明，預計到2026年，將推出達到36 Gbps及24Gb+的顯存芯片產品。