業內傳來最新消息，據湖北九峰山實驗室稱，于20日成功打造全球首款8英寸硅光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓。此創新成果采用8英寸SOI硅光晶圓和8英寸鈮酸鋰晶圓進行鍵合，每片晶圓集結了光電收發功能，成為現有全球頂級硅基化合物光電集成技術的代表之作。

它能夠大批量生產具有超低損耗和超高帶寬的高端光芯片，被譽為全球最優秀的光電集成芯片。該研究是由九峰山實驗室攜手行業關鍵合作伙伴共同完成，即將實現廣泛的商業應用。

當前，業界針對薄膜鈮酸鋰的研發仍主要側重于3英寸、4英寸以及6英寸晶圓的制備及其上面的微納加工工藝。而此次九峰山實驗室成功研制的這款8英寸硅光薄膜鈮酸鋰晶圓，首次實現了低損耗的鈮酸鋰波導、高速率電光調制器等多種芯片的集成。

這一突破性的成果無疑為薄膜鈮酸鋰光電芯片的制作和巨大規模的光子集成開辟了一條充滿希望的產業化道路，并且為高性能光通信的應用場景提供了解決難題的有效科技途徑。