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功能密度定律是否能替代摩爾定律?摩爾定律和功能密度定律比較

中科院半導(dǎo)體所 ? 來(lái)源:SiP與先進(jìn)封裝技術(shù) ? 2024-02-21 09:46 ? 次閱讀

摩爾定律 VS 功能密度定律

眾所周知,隨著IC工藝的特征尺寸向5nm、3nm邁進(jìn),摩爾定律已經(jīng)要走到盡頭了,那么,有什么定律能接替摩爾定律呢?

這就是我們今天要提出的:“功能密度定律-Function Density Law”,簡(jiǎn)稱(chēng)“FD Law”。

首先,讓我們回顧一下摩爾定律。

1. 摩爾定律

摩爾定律(Moore's Law)是由英特爾Intel)創(chuàng)始人之一戈登·摩爾(Gordon Moore)于1965年提出來(lái)的,至今已有55年。

摩爾定律內(nèi)容為:當(dāng)價(jià)格不變時(shí),集成電路上可容納的元器件的數(shù)目,約每隔18-24個(gè)月便會(huì)增加一倍,性能也將提升一倍。換言之,每一美元所能買(mǎi)到的電腦性能,將每隔18-24個(gè)月翻一倍以上。

總得來(lái)說(shuō),摩爾定律有以下三種說(shuō)法:

1、集成電路芯片上所集成的電路的數(shù)目,每隔18-24個(gè)月就翻一番。

2、微處理器的性能每隔18-24個(gè)月提高一倍,而價(jià)格下降一倍。

3、用一個(gè)美元所能買(mǎi)到的電腦性能,每隔18-24個(gè)月翻兩番。

以上幾種說(shuō)法中,以第一種說(shuō)法最為普遍,第二、三兩種說(shuō)法涉及到價(jià)格因素,其實(shí)質(zhì)是一樣的。三種說(shuō)法雖然各有千秋,但在一點(diǎn)上是共同的,即"翻番"的周期都是18-24個(gè)月,至于"翻一番"(或兩番)的是"集成電路芯片上所集成的電路的數(shù)目",是整個(gè)"計(jì)算機(jī)的性能",還是"一個(gè)美元所能買(mǎi)到的性能"就見(jiàn)仁見(jiàn)智了。

這一定律揭示了信息技術(shù)進(jìn)步的速度,盡管這種趨勢(shì)已經(jīng)持續(xù)了超過(guò)半個(gè)世紀(jì),摩爾定律仍應(yīng)該被認(rèn)為是觀測(cè)或推測(cè),而不是一個(gè)物理或自然法。

摩爾定律到底準(zhǔn)不準(zhǔn)?讓我們先來(lái)看下面一張圖,從圖中可以看出,采樣點(diǎn)基本位于曲線的附近,可以看出摩爾定律基本上還是準(zhǔn)確的。

wKgZomXVVlWAdWePAAChLjnCqMc599.jpg

摩爾定律并非數(shù)學(xué)或者物理定律,而是對(duì)發(fā)展趨勢(shì)的一種預(yù)測(cè),因此,無(wú)論是文字表述還是定量計(jì)算,都應(yīng)當(dāng)容許一定的寬裕度。從這個(gè)意義上看,摩爾的預(yù)言是相當(dāng)準(zhǔn)確了,所以才會(huì)被業(yè)界人士的公認(rèn),并產(chǎn)生巨大的反響。

"摩爾定律"的終結(jié)

摩爾定律問(wèn)世至今已55年了,我們知道:芯片上元件的幾何尺寸總不可能無(wú)限制地縮小下去,這就意味著,總有一天,芯片單位面積上可集成的元件數(shù)量會(huì)達(dá)到極限。

從技術(shù)的角度看,隨著硅片上線路密度的增加,其復(fù)雜性和差錯(cuò)率也將呈指數(shù)增長(zhǎng),同時(shí)也使全面而徹底的芯片測(cè)試幾乎成為不可能。

一旦芯片上特征尺寸達(dá)到1納米時(shí),相當(dāng)于只有5個(gè)硅原子的大小,這種情況下材料的物理、化學(xué)性能將發(fā)生質(zhì)的變化,致使采用現(xiàn)行工藝的半導(dǎo)體器件不能正常工作,摩爾定律也就要走到它的盡頭了。

2. 功能密度定律

既然摩爾定律已經(jīng)要走到盡頭了,就需要有一個(gè)新的定律來(lái)接替摩爾定律,有什么定律能接替摩爾定律呢?

這就是我們今天要提出的:“功能密度定律”(Function Density Law)。

功能密度定律:對(duì)于所有的電子系統(tǒng)來(lái)說(shuō),沿著時(shí)間軸,系統(tǒng)空間內(nèi)的功能密度總是在持續(xù)不斷地增大,并且會(huì)一直持續(xù)下去。

Function Density Law:For all electronic systems, along the time axis, the function density in system space is constantly increasing and will continue.

下圖為功能密度定律的曲線描述:

wKgaomXVVlaAZyXjAABnXgBsyYY485.jpg

從以上曲線可以看出,電子系統(tǒng)的功能密度會(huì)隨著時(shí)間延續(xù)而持續(xù)地增長(zhǎng),其增長(zhǎng)的快慢在不同的歷史時(shí)期會(huì)有所不同,如果有新的技術(shù)的突破,其增長(zhǎng)的就會(huì)比較快,如果沒(méi)有新技術(shù)突破,其增長(zhǎng)則會(huì)比較緩慢,但總的趨勢(shì)是不斷增長(zhǎng)。

要理解功能密度定律,首先我們要理解什么是功能密度?

功能密度:?jiǎn)挝惑w積內(nèi)包含的功能單位的數(shù)量稱(chēng)為功能密度。

Function density: The number of Function UNITs contained in a unit volume is called function density.

功能密度中的關(guān)鍵詞是功能單位,那什么又是功能單位(Function UNITs)呢?我們需要了解一下電子系統(tǒng)的6級(jí)功能分類(lèi)。

電子系統(tǒng)6級(jí)分類(lèi)法:

6-levels classification of electric system:

wKgaomXVVlaAc0hTAADs4D3sYDw521.jpg

功能細(xì)胞,F(xiàn)unction cell(FC),功能細(xì)胞是電子系統(tǒng)組成的最小功能單位,不可拆分,如果拆分,功能則會(huì)喪失,不可恢復(fù),例如晶體管Transistor,電阻電容、電感等都是功能細(xì)胞。

功能塊,F(xiàn)unction block(FB),功能塊由功能細(xì)胞組成,具有一定的邏輯功能,例如,6個(gè)Transistor可以組成一個(gè)SRAM存儲(chǔ)功能塊,1個(gè)Transistor和1個(gè)電容可以以組成一個(gè)DRAM存儲(chǔ)功能塊,4個(gè)MOS管可以組成一個(gè)與非門(mén)或者或非門(mén)。功能塊是具有特定功能的功能單位。

功能單元,F(xiàn)unction unit(FU),功能單元由功能塊組成,可以完成復(fù)雜功能的功能單位,例如算術(shù)邏輯單元(ALU),輸入輸出控制單元(IO Control Unit),中央處理單元(CPU)等,計(jì)算機(jī)的處理器DSPFPGA,存儲(chǔ)器等都可以歸屬于功能單元這一級(jí)別的功能單位。

微系統(tǒng),Micro System(MS),到這一級(jí)別,我們開(kāi)始定義系統(tǒng)的概念,微系統(tǒng)可以獨(dú)立完成系統(tǒng)功能,并且體積較小,通常并不直接和最終用戶打交道,例如SiP, SoC,SoP等,微系統(tǒng)通常可由功能單元、功能塊或者功能細(xì)胞組成。

常系統(tǒng),Common System(CS),也可稱(chēng)之為常規(guī)系統(tǒng),顧名思義就是常人能接觸到的系統(tǒng),一般是指和最終用戶直接打交道的系統(tǒng),這里的最終用戶指的是人。例如手機(jī),電腦,家用電器等都可稱(chēng)為常系統(tǒng),常系統(tǒng)通常由微系統(tǒng)、功能單元組成;

大系統(tǒng),Giant System(GS),一般是指復(fù)雜而龐大的系統(tǒng),例如無(wú)線通信網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng),互聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng),載入航天系統(tǒng)、空間站系統(tǒng)等,大系統(tǒng)通常由常系統(tǒng)、微系統(tǒng)等組成。

在以上的定義中,功能細(xì)胞(FC),功能塊(FB),功能單元(FU),都可以稱(chēng)之為功能單位(FUs),它們分別屬于不同級(jí)別的功能單位。

我們?cè)倩仡櫼幌鹿δ苊芏鹊亩x:

單位體積內(nèi)包含的功能單位的數(shù)量稱(chēng)為功能密度。這其中的功能單位(Function UNITs)可以是:功能塊(Function Block),功能細(xì)胞(Function Cell)或者功能單元(Function Unit)。

需要讀者注意的是:在進(jìn)行同一類(lèi)型系統(tǒng)的功能密度比較時(shí),需要采用相同級(jí)別的功能密度定義。例如,系統(tǒng)A、B、C的功能密度進(jìn)行比較,A采用功能塊(Function Block)作為功能單位來(lái)定義功能密度,則B和C同樣需要采用功能塊(Function Block)作為功能單位來(lái)定義功能密度。

3. 功能密度定律的意義

如果將功能密度定義中的功能單位具體為功能細(xì)胞(Transistor),并將其空間二維化,將其時(shí)間具體化,那么,功能密度定律就會(huì)縮化為摩爾定律。

如果將集成電路上的晶體管集成從二維平面擴(kuò)展為三維空間,將晶體管擴(kuò)展為功能單位,并將時(shí)間由具體變?yōu)橼厔?shì)化,那么,摩爾定律就會(huì)擴(kuò)展為功能密度定律。

我們也可以這么理解,對(duì)于電子系統(tǒng)的集成來(lái)說(shuō),摩爾定律是功能密度定律的在集成電路上特例,而功能密度定律則是摩爾定律在整個(gè)電子系統(tǒng)的擴(kuò)展。

也許會(huì)有人問(wèn),為什么功能密度定義時(shí)用的不是確定的功能單位,而是三個(gè)層次的功能單位(功能塊FB,功能細(xì)胞FC,功能單元FU)呢?這是由于功能本身的復(fù)雜性和不確定性。

例如,新技術(shù)的發(fā)展,功能塊的結(jié)構(gòu)發(fā)生了進(jìn)化,僅需要更小的功能塊(Function Block) 就可以實(shí)現(xiàn)同樣的功能,這樣,即使最底層的功能細(xì)胞(Function Cell)Transistor的數(shù)量沒(méi)有變化,其功能密度也同樣是增加的。

比如我們通常用的SRAM需要6個(gè)晶體管(Transistor)可以實(shí)現(xiàn)一個(gè)存儲(chǔ)單元,稱(chēng)為6T,一種新技術(shù)的出現(xiàn)據(jù)說(shuō)可以用1個(gè)晶體管實(shí)現(xiàn)一個(gè)存儲(chǔ)單元,稱(chēng)為1T,這樣,即使單位體積內(nèi)的晶體管數(shù)量不變,其功能密度卻增加了6倍。

以此類(lèi)推......

4. 小結(jié)和展望

功能密度定律預(yù)測(cè)了電子系統(tǒng)集成的趨勢(shì),并將成為判斷電子系統(tǒng)先進(jìn)性的重要指標(biāo)!

摩爾定律是關(guān)于人類(lèi)創(chuàng)造力的定律,實(shí)際上是關(guān)于人類(lèi)信念的定律,當(dāng)人們相信某件事情一定能做到時(shí),就會(huì)努力去實(shí)現(xiàn)它。摩爾當(dāng)初提出他的觀察報(bào)告時(shí),實(shí)際上是給了人們一種信念,使大家相信他預(yù)言的趨勢(shì)一定會(huì)持續(xù)。

功能密度定律同樣是關(guān)于人類(lèi)創(chuàng)造力的定律,也是關(guān)于人類(lèi)信念的定律,當(dāng)人們相信電子系統(tǒng)空間內(nèi)的功能密度一定能會(huì)持續(xù)增加時(shí),同樣會(huì)努力去實(shí)現(xiàn)。

功能密度定律(Function Density Law,簡(jiǎn)稱(chēng)FD Law)是作者Suny Li(Li Yang)于2020年1月20號(hào)在本文中首次正式提出。

在此之前,作者經(jīng)歷了20年的電子系統(tǒng)設(shè)計(jì),積累了豐富的項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn),并且通過(guò)了長(zhǎng)久的分析和思考而得出。

功能密度定律(FD Law)會(huì)不會(huì)像摩爾定律(Moore's Law)一樣,成為電子系統(tǒng)集成的最重要定律呢?

現(xiàn)在,我們還不急著給出定論,等十年以后的2030年我們?cè)倏窗桑?/p>

不再糾結(jié)于二維平面尺度上晶體管的縮放,而把思維投入到更廣闊的空間,從多維度的集成,從結(jié)構(gòu)化的創(chuàng)新,從更靈活的尺度去評(píng)判,去發(fā)展!

理解并運(yùn)用功能密度定律,你就不會(huì)再糾結(jié)摩爾定律的終結(jié),因?yàn)樾碌目臻g已經(jīng)為我們打開(kāi),并且更為廣闊!

正如人們常說(shuō)的:“山重水復(fù)疑無(wú)路,柳暗花明又一村!”




審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:摩爾定律 vs 功能密度定律

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