MOS管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）是一種利用電場效應來控制其電流大小的半導體三端器件，很多特性和應用方向都與三極管類似。這種器件不僅體積小、質量輕、耗電省、壽命長、而且還具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩定性好、抗輻射能力強等優點，應用廣泛，特別是在大規模的集成電路中。

MOS管結構和分類

根據導電溝道的不同，MOS管可分為N溝道和P溝道兩類，每一類又分為增強型和耗盡型兩種。所以MOS管可分為四大類：N溝道消耗型、N溝道增強型、P溝道消耗型、 P溝道增強型?，F在以N溝道器件為例來介紹一下MOS管的工作原理。

如上圖所示，N溝道增強型MOS管的結構示意圖。它以低摻雜的P型硅材料作襯底，在上面制造兩個高摻雜的N型區，分別引出兩個電極，作為源極s和漏極d，在P型襯底的表面覆蓋一層很薄的氧化膜（二氧化硅）絕緣層，并引出電極作為柵極g。這種場效應管的柵極g和P型半導體襯底、漏極d及源極s之間都是絕緣的，所以也稱為絕緣柵場效應管。

MOS管工作原理

MOS管的基本工作原理是利用柵源電壓去控制漏極電流，但漏極和源極之間不存在原始導電溝道，所以工作時還需要先建立。

①建立導電溝道

如圖所示，當外加正向的柵源電壓VGS>0時，在柵極下方的氧化層上出現上正下負的電場，該電場將吸引P區中的自由電子，使其在氧化層下方聚集，同時會排斥P區中的空穴，使之離開該區域。VGS越大電場強度越大，這種效果越明顯。當VGS達到VT時，該區域聚集的自由電子濃度足夠大，而形成一個新的N型區域，像一座橋梁把漏極和源極連接起來。該區域就稱為N型導電溝道，簡稱N溝道，而Vt就稱為開啟電壓，VGS>VT是建立該導電溝道的必備條件。

②建立漏極電流

當溝道建立之后，如果漏極之間存在一定的驅動電壓VDS。當漏極電壓VDS出現之后，漏極電位高于源極，故VGS>VGD，所以造成氧化層上的電場分布不均勻，靠近源極強度大，靠近漏極強度弱，相應的導電溝道也就隨之變化：靠近源極處寬，靠近漏極處窄。

所以，MOS管的漏極電流Id主要受電壓VGS和VDS的影響，前者通過控制導電溝道來影響Id，后者直接作為驅動來影響Id。但需要再次強調，如果導電溝道沒有建立的話，只有VDS，漏極電流是不會出現的。

MOS管主要特性

①高輸入阻抗：MOS管柵電極和源漏區之間有絕緣層，只有微弱的柵電流，所以MOS管的輸入阻抗很高，接近于無窮大。

②低輸出阻抗：由于MOS管是電壓控制器件，其源漏間電流可隨輸入電壓的改變而改變，所以其輸出阻抗很小。

③恒流性：MOS管在飽和區工作時，即使源漏電壓有所變化，其電流也幾乎不變，因此MOS管具有很好的恒流性。

MOS管常用參數

Vgs：柵源極最大驅動電壓，MOS管的一個極限參數，表示MOS管所能承受的最大驅動電壓。一旦驅動電壓超過這個極限值，會對MOS管的柵極氧化層造成永久性傷害。

VDS：漏源電壓，表示MOS管漏極與源極之間能夠承受的最大電壓值。該參數與結溫有關系，通常結溫越高，VDS值最大。

RDS(on)：漏源導通電阻，是MOS管充分導通時漏-源極之間的等效電阻。該參數與結溫和驅動電壓Vgs相關。在一定范圍內，結溫越高，Rds越大；驅動電壓越高，Rds越小。

MOS管處于導通狀態下的阻抗。導通阻抗越大，開啟狀態時的損耗越大。因此，要盡量減小MOS管的導通阻抗。

導通時的功耗：

Qg：柵極電荷，是在驅動信號作用下，柵極電壓從0V上升至終止電壓所需的充電電荷。也就是MOS管從截止狀態到完全導通狀態時驅動電路所需提供的電荷，是一個用于評估MOS管的驅動電路驅動能力的主要參數。

Id：漏極電流，它表示當殼溫處于某值時，如果MOS管工作電流為上述最大漏極電流，則結溫會達到最大值。該參數還與器件封裝和環境溫度有關。

Eoss：輸出電容能量，表示輸出電容Coss在MOS管存儲的能量大小。

根據MOS管的工作原理和特性，不難發現，它與三極管特性極其相似，都可以作為放大器件使用，如構成反向放大器、電壓跟隨器和電流跟隨器等，兩種器件構成的放大電路各有優點，MOS管放大電路輸入阻抗高、噪聲低、三極管放大電路放大能力強，實際應用中常常都是把兩者結合使用。