PLC是工業自動化系統的核心組成部分，PLC在工作過程中將實時產生過程和結果數據，需要存儲器具有快速讀寫及百億次擦寫壽命等特性，該存儲需求超出了常規非易失存儲器的能力。

MRAM的擦寫壽命高達萬億次，可支持連續20年毫秒級間隔的擦寫操作。還具有納秒級高速寫入特性，可以在異常掉電瞬間完整地保存PLC產生的過程和結果數據，而無需備份電池。非常適合工控場景需求，并且可以替代現有的備用電池方案。

MRAM HS4MANSQ1A-DS1容量為4Mbit，支持SPI/QPI(串行單線/四線接口)模數。芯片可配置為1位I/O獨立接口或4位I/O通用接口，SOP8封裝，由于在存儲器陣列中采用MRAM技術，存儲陣列中的數據將保持10年以上，可以保證PLC系統長期穩定的運行。

HS4MANSQ1A-DS1封裝圖

低功耗是PLC系統重要指標之一，MRAM HS4MANSQ1A-DS1單一電源VCC僅3.3V，待機電流只有2mA，休眠電流僅有2μA，可以很好的節省系統功耗。從耐久度上來看，HS4MANSQ1A-DS1在105℃環境下數據可以保留10年以上，85℃環境下數據可以保留20年以上，性能遠超過傳統非易失閃存的使用壽命，由此可見，國芯思辰MRAM HS4MANSQ1A-DS1非常適合PLC系統。

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