電子發燒友網報道（文/吳子鵬）在如今的智能手機發布會上，如果不講到拍攝性能，總會覺得這場發布會不完整。甚至是，如果不將拍攝性能作為主要亮點之一，人們就會為這款手機的市場表現擔憂。研究公司CyberMedia在2019年的調查問卷中就指出，消費者購買手機時查看的第一項功能是拍攝，毫無疑問，拍攝已經成為智能手機最大賣點，或者最大賣點之一。

對于中高端和旗艦機型而言，后置攝像頭搭載5000萬像素CMOS圖像傳感器（以下簡稱：CIS）已是主流趨勢。但很長一段時間以來，5000萬像素高性能CIS主要由索尼和三星兩家國際大廠壟斷。現在局勢已然發生改變，格科微等國內廠商在這一領域已經取得實質性突破，形成產品破局。

12月22日，中國領先的CMOS圖像傳感器、DDI顯示驅動芯片設計公司格科微發布單芯片5000萬像素CIS新品——GC50E0和GC50B2，為模組和手機OEM高像素攝像頭方案提供新選擇。

5000萬像素大底CIS成為主流

CIS和ISP、鏡頭一起構成了攝像頭的靈魂。從產業進度來看，自2019年開始，手機CIS就已經開啟了1億像素時代，現在甚至是有了2億像素的手機CIS。然而，CIS的性能不只是由像素數來決定，還包括CIS尺寸和單位像素尺寸。經過效果對比，CIS廠商和消費者都發現，并不是像素數值越大手機拍攝的效果就越好。大部分場景下，4800萬-6400萬像素大底CIS（指CIS芯片尺寸更大）組成的攝像頭組合，比圍繞1億像素CIS構建的攝像頭組合表現更好。

CIS成像步驟一般可分為復位、光電轉換、積分、讀出幾部分。這里最關鍵的當然就是光電轉換，每個像素在曝光過程中吸收光子轉化成電荷，一旦像素容量達到飽和，多余的電荷便會溢出，此時輸出信號不再增加。因此，大像素通常可以容納更多的電子，也就代表CIS的動態范圍更大，對于成像這是非常關鍵的。基于大像素實現的大底CIS天生具備更多的進光量，且擁有更高的信噪比和更寬的動態范圍，在暗光或復雜光線的環境下能夠獲得更多的細節，在畫面清晰度上更勝一籌；另外大底CIS在相同的光圈下，能夠提供更大的視角，且虛化效果更好。

CIS尺寸主要取決于感光陣列和處理電路所占的面積，其中感光陣列的面積等于像素尺寸和像素數量的乘積，廠商則選擇用封裝對角線長度來區分CIS尺寸。當市場和消費者認可大底CIS之后，CMOS廠商在1200萬像素、4800萬像素、6400萬像素和超高像素1.08億像素上都嘗試了這種方案，最終綜合考慮ISP硬件、算法、存儲容量等因素，選擇了5000萬像素大底CIS。

確定了5000萬像素大底CIS方案之后，為了在此基礎上進一步提升拍攝性能，手機OEM廠商相繼提出了“多攝融合”和“全主攝”理念，通過5000萬像素大底CIS配合超廣角、人像、長焦等鏡頭，實現旗艦級的拍攝體驗。這樣做的好處是，消費者無需費心去調整相機參數，只需選擇模式就可以拍攝出高品質的照片和視頻。

縱觀當前的中高端和旗艦級手機市場，后攝模組基本是多主攝或者全主攝的方案，因此帶來了巨量的5000萬像素CIS需求。根據第三方市場調研機構日本TSR的統計數據，5000萬像素CIS的出貨量預計會從2020年的1600萬顆，增長到2026年的10億顆。

格科微發布單芯片5000萬像素CIS

從各品牌手機發布會能夠看到，無論是之前的超高像素方案，還是后來基于5000萬像素大底CIS構建的多主攝和全主攝方案，CIS主要是由索尼和三星這兩家國際大廠提供，兩家企業幾乎壟斷了中高端和旗艦級手機的后置主攝CIS訂單。不過，在5000萬像素CIS領域，國產廠商也陸續取得突破，將挑戰兩家國際廠商，尤其是索尼的霸主地位。

12月22日，格科微在上海臨港新工廠成功舉辦以“Fab-Lite新模式·引領中國芯未來”為主題的格科微20周年慶典暨臨港工廠投產儀式，以及格科微新產品發布會。

在新品發布會上，格科微發布了兩顆5000萬像素CIS，型號分別是GC50E0和GC50B2。其中，GC50E0作為格科微推出的首顆5000萬像素CIS，也是市場上首顆單芯片5000萬像素CIS，其像素尺寸為0.7μm，芯片尺寸為1/2.5''；GC50B2則是格科微推出的首顆5000萬像素大底CIS，像素尺寸為1μm，芯片尺寸為1/1.56''，這也是一顆單芯片產品，并且配備了格科微特有的DAG高動態方案，能夠滿足中高端和旗艦級手機后攝需求。

通過格科微董事長兼首席執行官趙立新的介紹可以發現，格科微GC50E0和GC50B2有兩個非常獨特的技術優勢——單芯片架構和FPPI專利技術。趙立新先生表示，堆棧式CIS已經有超過10年的發展歷史，其間國際廠商一直憑借這項技術占據市場主導地位。不過，由于堆棧式CIS是多層結構，會存在數字邏輯區局部發熱影響上方感光區性能，另外堆棧式CIS結構更為復雜，成本一直居高不下。“格科微注意到了這一市場痛點，從CMOS電路和器件工藝方面進行創新，推出了具有自主知識產權的FPPI專利技術和單芯片架構，這是工藝方面的創新。”

格科微董事長兼首席執行官趙立新

格科微的單芯片架構天然具有更好的散熱效果，消除了下層堆棧的邏輯芯片發熱帶來的像素熱噪聲，面積僅增加約 10%，總硅片用量減少40%，顯著提高了晶圓面積利用率，大大改善成本結構。FPPI專利技術解決了單芯片做小像素圖像傳感器集成在一起的困難，后續格科微將推出基于單芯片高像素技術平臺包括3200萬、5000萬、1億等在內的更高規格產品。“通過首款單芯片0.7μm3200萬像素產品GC32E1的量產證明，格科微已經突破了這項技術。”趙立新先生提到。

CIS 通常由像敏單元陣列、行驅動器、列驅動器、時序控制邏輯、AD轉換器、數據總線輸出接口、控制接口等幾部分組成。趙立新先生指出，“除了工藝上的創新，格科微的單芯片CIS方案，在電路方面也進行了大量的創新。通過改進片內ADC電路、數字電路以及接口電路等電路結構，讓我們通過非堆棧的方式實現了12bit灰度的CIS，在市場上非常有競爭力。”

基于上述創新，格科微的DAG HDR技術在5000萬像素CIS新品中得以延續。對于這項技術可能很多人都已經很熟悉，這是一種單幀高動態技術——基于單幀畫面，在暗部使用高模擬增益，亮處使用低模擬增益，從而實現暗部更清晰，亮部不過爆的效果，并減少拍照合幀數，降低多幀合成帶來的功耗問題。以拍照為例，在使用DAG HDR輸出后，需要3幀合成的場景減少了 50%；以錄像為例，相較于傳統HDR錄像功能，功耗降低40%。

通過現場demo方案和主流品牌旗艦手機對比能夠看出，基于格科微5000萬像素GC50B2實現的demo方案，在畫面細節、暗部清晰度、畫面質感和避免過曝發白等方面有非常明顯的優勢。按照趙立新先生的話來說：“格科微CIS讓手機拍照真正實現‘所見即所得’。”

目前，GC50E0已經通過客戶驗證；GC50B2也已開始在品牌客戶送測。在產品封裝上，模組廠和OEM廠商可以選擇主流的COB 封裝技術，也可以選擇格科微獨創的COM封裝技術，后者能夠有效幫助模組廠和OEM降低生產成本、提升生產效率和良率，獲得了廣泛的市場認可。

另外，格科微還透露了自己的產品規劃，預計不遠的將來，該公司將會推出一顆1/1.3''的超大底5000萬像素CIS，沖擊更高端的旗艦手機市場。

完成從Fabless到Fab-Lite轉型

12月22日，格科微臨港工廠正式宣布投產，標志著格科微完成了從Fabless到Fab-Lite的轉型。

自2003年成立以來，多年來格科微一直在走Fabless的模式，并取得了非常出色的成績。目前，格科微擁有手機CIS，非手機CIS和DDI顯示驅動三大產品線，產品廣泛應用于智能手機、平板電腦、筆記本電腦、可穿戴設備、移動支付、汽車電子等消費電子和工業應用。根據格科微2022年財報，盡管2022年受到地緣政治、全球通脹等國內外多重因素影響，疊加消費電子市場整體低迷，格科微手機CIS出貨量仍位居全球第一，占市場份額的26%。

格科微臨港工廠即該公司“12 英寸CIS集成電路特色工藝研發與產業化項目”，首個晶圓工程批便取得超過 95%的良率。該項目投產后，格科微將具備12英寸BSI晶圓后道工序生產能力。隨著更多設備安裝并投產，產能將同步釋放提升，格科微臨港工廠最終將實現月產20,000片晶圓的產能。

臨港工廠屬于格科微自有的Fab產線，公司運營模式已經正式轉變為Fab-Lite模式，打通從產品設計、研發到制造、封裝、 測試、銷售的全環節。在中高端產品方面，Fab-Lite模式讓格科微能夠實現更好的內生研發，并進一步放大FPPI專利技術和單芯片架構的優勢，在高像素產品領域達到行業領先水平。

趙立新先生舉了數個例子來表明：格科微的一大優勢是能夠提前、準確地把握市場動向。轉為Fab-Lite模式之后，新工廠將能夠幫助格科微將一些市場動向具化為中高端CIS產品，并能夠更好地滿足客戶的差異化需求。

當然，格科微常年以來和諸多晶圓代工廠建立的長期穩定的合作關系，依然會發揮巨大的效益，為公司產品穩定交付護航。

結語：新產品、新模式、新征程

單芯片0.7um5000萬像素CIS（GC50E0）和1um5000萬像素大底CIS（GC50B2）的發布，是格科微從中低端手機CIS市場向高端手機CIS市場邁出的堅定的一步，是格科微單芯片架構和FPPI專利技術結出的豐碩果實，也標志著國產手機CIS一個全新時代的開始。

臨港新工廠的投產將進一步釋放格科微領先的技術創新能力，Fab-Lite模式意味著公司經營模式發生轉變，在高端產品和定制化產品方面的響應能力上會更上一層樓。

對于格科微來說，新的征程開始了。各項數據表明，在他們面前，有一片巨大的市場空間。